机构名称：
¥ 1.0
该路线图采用拓扑组装的前体（TAP）的技术，通过三个步骤可以阻止访问基态或其他异构体：（1）将所需结构的原子，结构和局部对称性的前体分子选择（2），然后将其选择为不同的拓扑组成。这是通过将前体单元限制在受约束的超晶格中并控制其整体取向以诱导相邻单元某些原子节点之间的连通性来实现的。（3）然后使用密度功能理论将这些拓扑组件放松到其最近的势能表面临界点。已提出了该路线图的使用，用于合成仅由五角大碳组成的五烯 - 五甲基 - 3,3-二甲基-1-丁烯（C 6 H 12）。理论计算表明，该碳多晶型物在动态和机械上是稳定的，耐温度高达1000 K，具有超高的理想强度，可以优于石墨烯，并且具有内在的准准级带隙，最大为3.25 eV。
碳同素异形 - VCU技术转移
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