XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System图案化
量子回路设计における最适化问题
（1）（Kokuken）日本科学技术局研究与发展战略中心，“战略建议：每个人的量子计算机”，2018年。 https：// wwwjst.go.jp/crds/pdf/2018/sp/crds-fy2018-sp-04.pdf（2）p.w.Shor，“用于量子计算的算法：离散日志和保理”，Proc第35届IEEE计算机科学序言研讨会，第124-134页，1994年。（3）L.K.Grover，“用于数据库搜索的快速量子机械算法”，第28 ACM计算理论座谈会论文集，第212-219页，1996年。（4）N。Kunihiro，“代理量计算机的计算时间的精确分析”，IEice Trans基础，第88-A卷，第105–111页，2005年。（5）M.A。nielsen和I.L.chuang，量子计算和量子信息，剑桥大学出版社，2000年。（6）A。Peruzzo，J。McClean，P。Shadbolt，M.-H周，P.J。Love，A。Aspuru-Guzik和J.L.O'Brien，“光子量子处理器上的变异特征值求解器”，《自然通信》，第5卷，第1期，2014年7月，第4213页（7）to奥利T.可逆计算，在：de bakker J.，van leeuwen J.（eds）自动机，语言和程序 - iCalp 1980，计算机Sci-Ence中的讲义，第85卷，Springer，柏林（8）Arxiv e-Prints，Quant-PH/9902 062，1999年2月。（9）K。Iwama，S。Yamashita和Y. Kambayashi，“设计基于CNOT的量子CUITS的跨形成规则”，设计自动化会议，第419-429-2002页，2002年。（10）Z. Sasanian和D.M.（12）M。Soeken，M。Roetteler，N。Wiebe和G.D. Micheli，“基于LUT的层次可逆逻辑Synthe-Sis”，IEEE TransMiller，“可逆和Quan-Tum电路优化：一种功能性方法”，《可使用的计算》第4个国际研讨会（RC 2012），第112-124页，2013年。（（11）A。Mishchenko和M. Perkowski，“快速的启发式启发式最小化 - 独家及产品或产品”，第五届国际式Reed-Muller Workshop，pp.242–250，2001。计算。集成。电路系统，第38卷，第9期，第1675–1688页，2019年。（（13）E。Souma和S. Yamashita，“同时分解许多MPMCT大门时，减少T计数”，第50届国际多重逻辑国际研讨会（IS- MVL 2020），第22-22-27页，11月2020年，（（14）X. Zhou，D.W。 Leung和I.L.Chuang，“量子逻辑门结构的方法论”，物理。 修订版 A，第62卷，052316，2000年10月。 （（15）A。Barenco，C.H。 Bennett，R。Cleve，D.P。 Divincenzo，Chuang，“量子逻辑门结构的方法论”，物理。修订版A，第62卷，052316，2000年10月。（（15）A。Barenco，C.H。Bennett，R。Cleve，D.P。 Divincenzo，Bennett，R。Cleve，D.P。Divincenzo，
采用螺旋激光干涉曝光法的大面积无缝纳米图案圆柱模具制造系统
摘要 随着纳米技术领域的进步，纳米图案化不仅在高附加值产品中得到广泛应用，而且在廉价产品中也得到广泛应用。此外，大规模生产廉价产品所需的技术，如连续卷对卷 (R2R) 工艺，正在迅速兴起。人们对亚微米和纳米模具的制造进行了广泛的研究。在这项研究中，我们提出了一种激光干涉曝光来制造可用于连续卷对卷图案化的纳米图案圆柱形模具。此外，我们还展示了使用棱镜在圆柱体（长度为 300 毫米，直径为 100 毫米）上制造无缝图案的螺旋曝光工艺。使用 UV 树脂将图案转移到平面模具上，并使用场发射扫描电子显微镜进行测量；测量结果显示图案均匀，具有纳米图案线宽（75 纳米）和亚微米周期（286 纳米）。观察结果表明，使用激光干涉光刻制造卷模的方法是一种快速可靠的无缝图案化方法。
BACUS-Newsletter-October-2022.pdf - 光掩模
压印光刻是一种有效且众所周知的复制纳米级特征的技术。纳米压印光刻 (NIL) 制造设备采用一种图案化技术，该技术涉及通过喷射技术将低粘度抗蚀剂逐场/逐场/逐次沉积和曝光到基板上。将图案化的掩模放入流体中，然后通过毛细作用，流体快速流入掩模中的浮雕图案。在此填充步骤之后，抗蚀剂在紫外线照射下交联，然后去除掩模，在基板上留下图案化的抗蚀剂。与光刻设备产生的图案相比，该技术可以忠实地再现具有更高分辨率和更大均匀度的图案。此外，由于该技术不需要大直径透镜阵列和先进光刻设备所需的昂贵光源，因此 NIL 设备实现了更简单、更紧凑的设计，允许将多个单元聚集在一起以提高生产率。
人类社会互动中笑的语言图案
笑声是一种传达各种情绪状态的社会行为，并且与语言交流杂乱无章。随着人们越来越多地参与语音激活的人工智能（语音-AI）系统，一个悬而未决的问题是，在语言与技术互动时，笑声模式如何。在实验1中，我们收集了用户（n = 76）和亚马逊Alexa Socialbots（旨在模拟人类对话互动的语音-AI界面）之间记录的简短对话（〜10分钟）的语料库，并分析了笑声的互动和务实的环境。笑声被编码为相对于各种语音行为以及语音模式（例如持续时间和发音）的互动中的位置。我们的分析表明，当Alexa的言语内容被认为是不合适的话语背景时，最常见的笑声是最常见的。语料库中的笑声在很大程度上也很短且未发声 - 这些特征通常与负面的社会价值有关。在实验2中，我们发现单独的听众没有区分数据集的正面和负面笑声，尽管我们发现笑声被评为更正面的笑声也被评为更加兴奋和真实。总的来说，我们讨论了人类计算机互动模型的发现以及在社交机器人对话中使用笑声的应用。
在工业用电介质上制造铜图案......
在 DLW 技术中，值得注意的是直接激光金属化 (DLM) 技术，该技术专注于精确选择和合成前体，用一定强度和脉冲持续时间的激光照射，导致化学反应并在表面形成金属微图案 [23,37,38]。例如，研究表明，DLM 可成功用于在玻璃和陶瓷表面制造铜、镍、金和其他金属基微图案 [39,40,41]。由于许多纳米材料的前体制备可能很复杂且耗时，DLM 方法的进一步发展导致找到了廉价、环保且易于合成的新型前体。研究表明，深共熔溶剂 (DES) 可能取代人们所寻求的前体，这种溶剂此前已被证明是分析化学中的有效萃取剂 [42] 以及电化学金属化的介质 [43]。
密码应变相关光图案发生器
虽然这些技术可以在调制光束中实现高空间分辨率以及生成静态和动态光模式，但它们通常需要高度复杂的光学元件。这最近将注意力转向了折射自由曲面光学元件，它可以通过简单而坚固的装置将光源的强度分布重新分配为任意预定模式，其中至少一个表面相对于垂直于元件主平面的轴没有平移或旋转对称性。[10] 自由曲面光学元件的表面可以精确设计以产生所需的强度模式，[11] 将所涉及的几何形状定义为球面或非球面透镜的总和，或通过 Q 多项式描述和非线性偏微分方程。[10,12] 该方法的优点包括相关系统小型化、视场更宽和成像分辨率更高。 [2,13,14] 通常需要多种制造技术，包括磨削、抛光和超精密车削，[15,16] 这些技术非常耗时、成本高、通用性差，因此无法快速实现自由曲面光学系统，也无法通过外部门改变其特性。 3D 打印技术可以提供替代的制造方法，可以生成具有前所未有复杂几何形状的物体。[17–19] 3D 打印包含多种工艺，可使用不同材料制造非常规结构。[20–22] 在光学和光电子领域，增材制造已经用于生产非球面透镜、微光学元件、波导、光子晶体、发光二极管 (LED)、探测器和传感器。 [19,23,24] 尽管 3D 打印具有光学质量和亚微米分辨率的宏观物体仍然具有挑战性，[25] 但已经提出了许多方法来提高可实现的精度、打印速度和打印物体的尺寸。[26–28] 重要的是，一些应用可能会利用从质量较低的表面生成的光图案，利用 3D 打印技术提供的设计灵活性和定制性。一个相关的例子是加密标签，[29,30] 人们非常希望能够用肉眼或低成本扫描仪识别生成的光图案，而无需笨重的光学元件和复杂的光学系统。[31,32]
M. Garín、R. Khoury、I. Martín、Erik Johnson。通过纳米颗粒定向毛细管凝聚进行纳米级直接蚀刻。纳米尺度，2020 年，
* 通讯作者：moises.garin@uvic.cat 我们报告了一种通过在纳米颗粒/基底界面的弯月面中毛细管冷凝在纳米尺度上局部输送气相化学蚀刻剂的方法。该过程简单、可扩展且不需要对纳米颗粒进行功能化。此外，它不依赖于材料的任何特定化学性质，除了溶液是水性的和所涉及表面的润湿性之外，这应该使其能够应用于其他材料和化学品组合。具体而言，在这项工作中，我们通过使用暴露于 HF 蒸汽的自组装单层聚苯乙烯颗粒定期对 SiO 2 层进行图案化来演示所提出的工艺。然后使用图案化的 SiO 2 层作为掩模来蚀刻 Si 中的倒置纳米金字塔图案。已经证明了硅纳米图案化适用于从 800 nm 到 100 nm 的颗粒尺寸，对于 100 nm 纳米颗粒，实现了尺寸小至 50 nm 的金字塔。
光罩
使用 EUV 光刻技术不断缩小尺寸的需求为图案化材料和工艺带来了挑战和机遇。缩小 BEOL 互连结构是提高功能设备性能的关键要素。在本文中，我们研究了各种因素对 EUV 单次曝光通孔图案化的影响，以找到缩小临界尺寸 (CD) 的有效策略，从而提高临界尺寸均匀性 (CDU) 和局部临界尺寸均匀性 (LCDU) 并降低缺陷率。这项工作基于在最小水平互连线间距为 28nm 时图案化片上系统 (SoC) 随机逻辑通孔层，这是使用 0.33 NA EUV 工具进行单次曝光互连的极限。该设计使用激进的 3/2 CPP/Mx 齿轮比，相当于 38nm 到 34nm 间距的正交通孔阵列，从而检查主要图案化参数和照明源与矩形通孔的 OPC 处理共同优化的影响。将通孔图案转移到底部电介质，以研究 LCDU 的演变和蚀刻过程中的缺陷率。
制造和应用方面的最新技术进步......
图 1. 当今正在开发的有机电化学晶体管 (OECT) 示意图，涵盖简便的制造技术和广泛的应用。印刷工艺：丝网印刷，经许可改编，[57] 版权所有 2019，Wiley-VCH；喷印，经许可改编，[58] 版权所有 2020，美国化学学会。基于激光的图案化：激光烧蚀图案化，经许可改编，[59] 版权所有 2012，Wiley-VCH；激光图案化 OECT，经许可改编，[60] 版权所有 2020，IOP Publishing Ltd. 纳米压印光刻：S/D 纳米压印，经许可改编，[61] 版权所有 2016，Wiley-VCH；有源层纳米压印，经许可改编，[62] 版权所有 2013 SID。基于纤维的图案化：基于纳米纤维的图案化，经许可改编，[63] 版权所有 2019，美国化学学会；基于编织的，经许可改编，[53] 版权所有 2011，Wiley-VCH。生物传感器：葡萄糖传感器，经许可改编，[64] 版权所有 2019，Springer Nature；离子传感器，经许可改编，[65] 版权所有 2018，Wiley-VCH。逻辑电路：逆变器和 NAND，经许可改编，[46] 版权所有 2019，Springer Nature；惠斯通电桥，经许可改编，[66] 版权所有 2017，Wiley-VCH。神经形态装置：纳米线人工突触，经许可改编，[67]
用于 EUV 光刻的光化图案掩模缺陷检测
随着极紫外 (EUV) 光刻技术进入大批量生产，半导体行业已将光刻波长匹配的光化图案化掩模检测 (APMI) 工具视为 EUV 掩模基础设施的主要空白。现在，已经开发出一种光化图案化掩模检测系统来填补这一空白。结合开发和商业化 13.5nm 波长光化空白检测 (ABI) 系统的经验以及数十年的深紫外 (DUV) 图案化掩模缺陷检测系统制造经验，我们推出了世界上第一个高灵敏度光化图案化掩模检测和审查系统 ACTIS A150（ACTinic 检测系统）。生产此 APMI 系统需要开发和实施新技术，包括高强度 EUV 源和高数值孔径 EUV 光学器件。APMI 系统具有高分辨率、低噪声成像，对缺陷具有极高的灵敏度。它已证明能够检测出印刷晶圆上估计光刻影响为 10% CD 偏差的掩模缺陷。