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手性铁电列液晶作为多功能激光器
我们基于手性铁电列相（n f ∗）提出了液晶激光器装置。激光培养基是通过将铁电列材料与手性剂和一小部分荧光染料混合而获得的。值得注意的是，在N f ∗相中，非常低的电场垂直于螺旋轴能够重新定位分子，从而产生了一个周期性结构，其导演不是单个谐波，但包含各种傅立叶成分的贡献。此功能诱导了几个光子带盖的外观，这些光子带镜的光谱范围取决于磁场，可以利用该磁场来构建可调激光设备。在这里，我们报告了可以在低电场下进行调谐的自制n f ∗激光器的表征，并在材料的两个光子带中呈现激光作用。获得的结果为设计新的和更通用的液晶激光器设计开辟了有希望的途径。
在化学复杂合金中观察拓扑厅效应
拓扑结构效应（）是手性自旋纹理的运输响应，因此可以用作检测和理解这些非常规磁序的强大探针。到目前为止，仅在非中心人对称系统中观察到，dzyaloshinskii-moriya相互作用稳定自旋手性，或与Ruderman – Kasuya – Kasuya – Yosida-Yosida-type相互作用的三角晶格磁铁。在这里，在Fe-Co-Ni-Mn化学复杂合金中观察到的一个明显的化学合金，其在广泛的温度和磁场上具有简单的以面部为中心的立方（FCC）结构。由于在近距离包装的FCC晶格上磁性原子的随机占用以及原子之间直接的海森贝格交换相互作用，该合金被证明具有强烈的磁性挫败感，这证明了在低温方向上出现重进入的自旋玻璃状态，并且是第一个原理计算。因此，这归因于在外部磁场下强烈的自旋挫败产生的非变化旋转手性，这与负责Skyrmion Systems的机制以及几何沮丧的磁体不同。
STM 设计和仪器的进步
扫描隧道显微镜和相关扫描技术在理解表面结构方面取得了显著进展。这一进展主要得益于仪器设计和操作可靠性的改进。几年前，实验人员自豪地展示了他们的仪器在各种环境下的原子分辨率能力，例如空气、惰性气体、液体、超高真空 (UHV) 和低温。今天，扫描隧道显微镜被设计成在极端条件下工作，例如在尽可能低的背景压力、尽可能低的温度和尽可能高的磁场下。例如，Fein 等人 [1] 设计了一种 STM，其工作温度低至 400 mK，磁场强度高达 8 特斯拉。在作者的实验室中，已经建造了一个兼容 UHV 的 STM，其工作压力范围为 10-12 mbar（图 1）。 STM 与其他显微镜或分析技术的结合也已实现，包括 STM 与光学、电子和场离子显微镜以及几乎所有已知的常规表面分析技术的结合。最后，通过改变探针和
量子格里菲斯（Griffiths）在安德森（Anderson）临界绝缘体过渡的三维超导体中的奇异性
无处不在的真实材料无处不在，可能会对量子相跃迁产生巨大影响。源自该疾病增强的量子波动，量子格里菲斯（Griffiths）奇异性（QGS）已被揭示为低维超导体的量子关键性的普遍现象。然而，由于波动效应较弱，在三维（3D）超导系统中检测实验的QGS非常具有挑战性。在这里，我们报告了与从3D超导体到Anderson临界绝缘体MGTI 2 O 4（MTO）中量子相过渡相关的QGS的发现。在垂直磁场和平行磁场下，在接近量子临界点时的动力学临界指数会发散，证明存在3D QGS。在3D超导体中，MTO显示出相对强大的波动效应，其特征是广泛的超导过渡区域。增强的波动可能是由安德森本地化的迁移率边缘引起的，最终导致发生3D量子相变和QGS。我们的发现提供了一种新的观点，可以理解强烈无序的3D系统中的量子相变。
厚 Al0.85Ga0 中的异常过量噪声行为。...
Al 0.85 Ga 0.15 As 0.56 Sb 0.44 由于其电子和空穴电离系数之间的比率非常大，因此作为 1550 nm 低噪声短波红外 (SWIR) 雪崩光电二极管 (APD) 的材料最近引起了广泛的研究兴趣。这项工作报告了厚 Al 0.85 Ga 0.15 As 0.56 Sb 0.44 PIN 和 NIP 结构的新实验过剩噪声数据，测得的噪声在比以前报告的乘法值高得多的倍增值下（F = 2.2，M = 38）。这些结果与经典的 McIntyre 过剩噪声理论不一致，该理论高估了基于该合金报告的电离系数的预期噪声。即使添加“死区”效应也无法解释这些差异。解释观察到的低过量噪声的唯一方法是得出结论，即使在相对较低的电场下，该材料中电子和空穴碰撞电离的空间概率分布也遵循威布尔-弗雷歇分布函数。仅凭电离系数的知识已不足以预测该材料系统的过量噪声特性，因此需要提取该合金的电场相关电子和空穴电离概率分布。
纳米套件中电子排放和电崩解的审查
随着电子设备的连续微型化，迫切需要了解纳米级的电子发射和电击穿机理。对于纳米含量，电崩解的完整过程包括纳米渗透的生长，电子发射和纳米 - 渗透的热逃亡以及等离子体形成。本评论总结了与此分解过程有关的最新理论，实验和高级原子模拟。首先，纳米胶质中的电子发射机制及其在不同机制之间的转移，例如图像电位（不同电极的配置）的影响，阳极筛选，电子空间充电势和电子交换势。讨论了电子发射和电崩解的相应实验结果，以了解底物和可调节纳米胶的固定纳米胶囊，包括空间充电效应，电极变形和电分解特性。讨论了有关纳米 - 渗透生长以及高电场下的纳米电极或纳米 - 渗透热失控的高级原子模拟。最后，我们对纳米级电崩溃过程的未来理论，实验性和原子性模拟研究的未来理论，实验和原子模拟研究的关键挑战和观点概述。
crbr3 2D磁铁 /元素中的手性声子和巨型光学效应，刺； Ajit Ulman，Kanchan；刘，尚；格拉纳多斯·德尔·阿吉拉（Granados deláguila），安德烈斯（Andrés）； Huan
声子决定了由于其非零角动量而导致的非弹性光散射过程的光螺旋。在这里，我们表明二维（2D）磁性CRBR 3在布里鲁因区中心托有手性声子。这些手性声子是偶合性e g声子的线性组合，并且声子特征模词表现出顺时针和逆时针旋转振动，与对应于𝑙=±1的角动量。这种E G手性声子完全切换了入射圆形光的极化。另一方面，非分类的非手续A G声子在平面外磁场下显示出巨大的磁光效应，旋转了散射线性极化光的极化平面。随着磁场强度从0增加到5 t，散射光的相应极化程度从91％变为-68％。相比之下，手性E G模式不显示场依赖性。我们的结果为2D磁性材料中的语音性手性和磁光学现象的研究奠定了基础，及其相关应用，例如声子霍尔效应，拓扑光子学和拉曼激光。
单线，三重和对密度波的超导性超导性超导性在掺杂三角形的moir´e系统
最近的实验进步已建立了扭曲的双层过渡金属二甲元化（TMD），它是研究多体物理学的高度可调平台。尤其是，据信，位移场下的同型TMD被认为是由具有自旋依赖性跳相θ的广义三角晶格哈伯德模型描述的。为了探索θ对系统的影响，我们对相关的三角晶格T-J模型执行密度矩阵重新归一化组计算。通过在小孔掺杂下更改θ，我们获得了一个准长范围的超导顺序，并在0 <θ<π/ 3中与电荷和自旋密度波共存。 div>超导性由主导的旋转单线d波和亚尺寸三重态P-波配对组成。有趣的是，S z =±1三个三个配对组件具有配对密度波。此外，我们发现了一个三胞胎超导率区域，与π/ 3 <θ<2π/ 3内的电荷密度波和铁磁性共存，该区域通过spin-flip和衡量变换的联合操作在较小的θ下与以前的相位相关。我们的发现为扭曲TMD系统中的外来超导性提供了实验性搜索的见解和方向。
商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 栅极漏电流行为调查
摘要 — 过去十年，碳化硅 (SiC) 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的商业化不断扩大。栅极氧化物可靠性是 SiC 功率 MOSFET 的主要问题，因为它决定了器件的使用寿命。在这项工作中，我们研究了商用 1.2 kV SiC 功率 MOSFET 在不同栅极电压下的栅极漏电流。高氧化物电场引发的碰撞电离和/或阳极空穴注入 (AHI) 导致空穴捕获，从而增强了栅极漏电流并降低了器件的阈值电压。由于 Fowler-Nordheim (FN) 隧穿而产生的电子注入和捕获往往会降低栅极漏电流并增加阈值电压。还对商用 MOSFET 进行了恒压时间相关电介质击穿 (TDDB) 测量。栅极漏电流的结果表明，场加速因子的变化是由于高栅极氧化物场下栅极电流/空穴捕获增强所致。因此，建议在低栅极电压下进行 TDDB 测量，以避免在正常工作栅极电压下高估寿命。
量子卡诺循环的数值“精确”模拟
我们基于开放量子动力学理论研究了量子卡诺发动机的效率。该模型包括用于控制等温和等熵过程的子系统以及控制这些过程之间转变的系统-浴 (SB) 相互作用的时间相关外部场。在不同循环频率下，使用这些场下的分层运动方程，在非微扰和非马尔可夫 SB 耦合机制下进行数值模拟。严格评估了应用于整个系统的功和与浴交换的热量。此外，通过将准静态功视为自由能，我们首次计算了量子热力学变量并使用热力学功图分析了模拟结果。对这些图的分析表明，在强 SB 耦合区域，SB 相互作用的场是主要功源，而在其他区域，子系统的场是功源。我们发现，在准静态情况下可实现最大效率，并且效率仅由浴温决定，与 SB 耦合强度无关，这是卡诺定理的数值表现。由 AIP Publishing 独家授权发布。https://doi.org/10.1063/5.0107305