单相电解质的低离子电导率已不能满足600 ˚C以下的使用要求,制备高离子电导率的复合电解质成为发展方向。本文综述了掺杂CeO 2 无机盐(碳酸盐、硫酸盐)、掺杂CeO 2 金属氧化物以及掺杂CeO 2 钙钛矿复合电解质,分析了第二相对CeO 2 基电解质性能的影响。由于独特的H + /O 2−共导电性,无机盐的加入可以提高掺杂CeO 2 无机盐复合电解质的电导率。掺杂CeO 2 钙钛矿体系总电导率的提高可能是由于晶界电导率提高引起的。在掺杂CeO 2 金属氧化物体系中加入氧化物可以降低烧结温度,提高晶界电导率。以期为制备性能优异的二氧化铈复合电解质提供理论指导。
Figure 7. Morphologies and surface roughness values of (a) the initial surface and the polished surface under conditions of (b) without UV-light, (c) TiO 2 film electrode with UV-light, (d) TiO 2 film electrode with UV-light and anodic bias, (e) CeO 2 -TiO 2 composite-film electrode with UV-light and (f) CeO 2 -TiO 2 composite-film elec- trode with UV-light and anodic bias [31] 图 7. (a) 初始表面; (b) 无紫外光条件下抛光表面; (c) 有紫外光并使用用 TiO 2 薄膜电极抛光下表 面; (d) 在有紫外光和阳极偏压的 TiO 2 薄膜电极下抛光表面; (e) 有紫外光并使用 CeO 2 -TiO 2 复合 膜电极下抛光表面; (f) 有紫外光和阳极偏压的 CeO 2 -TiO 2 复合膜电极抛光表面的形貌和表面粗糙 度值 [31]
摘要:多吡咯(PPY)是一种廉价的导电聚合物,具有有效的存储容量,但其有限的溶解度限制了其生产和应用。因此,为了扩大其应用范围,多功能PPY复合材料的设计和研究引起了极大的关注。PPY/铁基复合材料是通过水热方法,聚合方法和一锅方法等方法制备的。有关PPY/铁复合材料的应用的研究主要集中在电容器,电磁波吸收材料,吸附剂,传感器,药物和催化剂等领域。,它们在超级电容器的电极材料,电磁波的吸收,重金属离子的吸附以及催化降解,展示广泛的应用前景中表现出色。随着制备技术的持续发展和应用领域的进一步扩展,PPY/基于铁的复合材料有望在更多领域中发挥重要作用。关键字:polypyrrole;准备方法;复合材料;应用区域
与传统体硅相比,绝缘体上硅(SOI)衬底具有许多优势,包括低漏电流、低电容、低功耗、更好地抵抗短沟道效应(SCE)和卓越的缩放能力[1 – 4]。这使得SOI衬底不仅适用于传统的MOSFET,而且由于天然的衬底隔离[5 – 8]和更简单的多栅极设计,它也对新型半导体器件具有吸引力,例如TFET和Z2-FET。此外,建立在SOI平台上的光电探测器(PD)也表现出优异的光电性能。高工作速度、高抗辐射和低寄生电容的优势使基于SOI的PD在电子和光子集成电路(EPIC)、光通信系统和航空航天等许多应用领域中极具竞争力[9 – 16]。为了在 SOI 薄膜中形成 pn 光电二极管,通常使用常规离子注入来掺杂 Si 沟道 [17]。然而,离子注入会损坏并降低 Si 的质量,这个问题在缺乏种子层以促进再结晶的超薄 SOI 薄膜中尤其严重。此外,用于激活掺杂剂的高温退火可能会引起应力和损坏,并进一步降低器件的性能。为了克服这些缺点,可以使用电场诱导的静电掺杂 [18,19] 来形成 pn 结并完全避免离子注入。之前,我们已经证明在