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中间的单片锗-Tin基座波导...
摘要：锗键（GESN）是CMOS兼容的组IV材料。它的生长受到SN隔离的趋势和GESN层中缺陷的产生的困扰，当它在晶格不匹配的底物上生长时。到目前为止，据报道，在近中音红外光源和光电探测器的直接波段间隙中使用了薄的GESN。在这种交流中，我们报告了高质量的单晶GESN（〜1μm），其压缩应力（-0.3％）和Si基板上的GE缓冲液对GE缓冲液的低缺陷（-0.3％）的生长。然后将生长的GESN制成1.25μm宽度的基座波导。估计的传播损失为1.81 dB/ cm，弯曲损失为0.19 dB/弯曲，测量为3.74μm。在没有GE-O吸收峰在820和550 cm-1处，在最佳制造和测量条件下，提出的GESN波导可能支持超过25μm的波长的光传播。
Unifold 1650
基座组件应易于调整水平，并准确对齐面板，垂直方向最大偏差为 + 25 毫米。基座头组件应包括机械铆接在轧制成型螺柱上的压花头和 2 个止动螺母，用于调整水平和阻止垂直移动。基座头应包括防振导电盖，带有内置隔离垫片，用于面板定位。
buğraCoşkun -bcskn.xyz
2021年10月/2021年目前的R＆D控制系统设计工程师Profen Communication＆Services，Inc。•设计了控制算法，用于飞机SOTM SOTM基座的控制器PCB和嵌入式程序（概念项目）。•写了CTL：使用Beckhoff Plcs的空中跟踪基座的坐标转换库。•写了一篇论文和随附的C程序，用于X-Y基座的单层几何逆运动学。•从事V波段行驶波管研究项目。•在GNU/Linux系统上进行了讲座（总计：8小时）。应用数学 /控制系统< / div>
HC2X / HC5X 医疗保健配件指南
4 槽电池充电器替换杯，用于为 HC2X/HC5X 电池充电 • 用于在从 TC21/TC26 或 TC5x HC 迁移到 HC2X/HC5X 时更换单槽或多槽 ShareCradle 基座上的传统 TC21/TC26 或 TC5x HC 系列 4 槽电池充电器。 • 使用此 4 槽电池充电器杯进行转换时，多槽 ShareCradle 基座上最多只能安装一个杯。 • 应在 ShareCradle 基座上的相同位置更换 TC21/TC26 HC 烤面包杯，通常是面向底座时最左侧的插槽。
2023年2月，每月PDF -CloudFront.net
Richards：显示屏中我们最喜欢的元素之一是时间轴中心的阴影框。 它具有5个基座，其中包含按时间顺序通过建筑物进行的所有火星任务。 流浪者（和着陆器）是3D打印的，并相互扩展。 该案例还具有3D打印的人，每个人都旁边的比例尺，以了解航天器的大小。 围绕5个基座是下面的沙盒测试中的实际压碎石榴石材料，以便观众可以仔细观察他们通常无法看到的东西。Richards：显示屏中我们最喜欢的元素之一是时间轴中心的阴影框。它具有5个基座，其中包含按时间顺序通过建筑物进行的所有火星任务。流浪者（和着陆器）是3D打印的，并相互扩展。该案例还具有3D打印的人，每个人都旁边的比例尺，以了解航天器的大小。围绕5个基座是下面的沙盒测试中的实际压碎石榴石材料，以便观众可以仔细观察他们通常无法看到的东西。
通函编号：314-04-1610c，发布日期：2021 年 8 月 10 日
表 5.1.2 化学成分 等级 Al,% Si,% Fe,% Cu,% Mn,% Mg,% Cr,% Zn,% Ti,% 其他元素,% 备注 单项 总计 1 5083 基础 ≤ 0,40 ≤ 0,40 ≤ 0,10 0,40 – 1,0 4,0 – 4,9 0,05 – 0,25 ≤ 0,25 ≤ 0,15 ≤ 0,05 ≤ 0,15 5383 基础 ≤ 0,25 ≤ 0,25 ≤ 0,20 0,7 – 1,0 4,0 – 5,2 ≤ 0,25 ≤ 0,40 ≤ 0,15 ≤ 0,05 2 ≤ 0,15 2 5059 基础 ≤ 0,45 ≤ 0,50 ≤ 0,25 0,6 – 1,2 5,0 – 6,0 ≤ 0,25 0,4 – 0,9 ≤ 0,20 ≤ 0,05 3 ≤ 0,15 3 5086 基座 ≤ 0,40 ≤ 0,50 ≤ 0,10 0,20 – 0,7 3,5 – 4,5 0,05 – 0,25 ≤ 0,25 ≤ 0,15 ≤ 0,05 ≤ 0,15 5754 基座 ≤ 0,40 ≤ 0,40 ≤ 0,10 ≤ 0,50 4 2,6 – 3,6 ≤ 0,30 ≤ 0,20 ≤ 0,15 ≤ 0,05 ≤ 0,15 5456 基座 ≤ 0,25 ≤ 0,40 ≤ 0,10 0,5 – 1,0 4,7 – 5,5 0,05 – 0,20 ≤ 0,25 ≤ 0,20 ≤ 0,05 ≤ 0,15 6005А 基座 0,50 – 0,90 ≤ 0,35 ≤ 0,30 ≤ 0,50 5 0,4 – 0,7 ≤ 0,30 5 ≤ 0,20 ≤ 0,10 ≤ 0,05 ≤ 0,15 6061 基座 0,40 – 0,80 ≤ 0,70 0,15 – 0,40 ≤ 0,15 0,8 – 1,2 0,04 – 0,35 ≤ 0,25 ≤ 0,15 ≤ 0,05 ≤ 0,15 6082 基础 0,70 – 1,30 ≤ 0,50 ≤ 0,10 0,4 – 1,0 0,6 – 1,2 ≤ 0,25 ≤ 0,20 ≤ 0,10 ≤ 0,05 ≤ 0,15 国家合金 1530 基础 0,50 – 0,80 ≤ 0,50 ≤ 0,10 0,30 – 0,60 3,2 – 3,8 ≤ 0,05 ≤ 0,20 ≤ 0,10 ≤ 0,05 ≤ 0,15 – 1550 基础 ≤ 0,50 ≤ 0,50 ≤ 0,10 0,30 –0,80 4,8 – 5,8 – ≤ 0,20 ≤ 0,10 ≤ 0,05 ≤ 0,15 – 1561 碱 ≤ 0,40 ≤ 0,40 ≤ 0,10 0,70 –1,10 5,5 – 6,5 – ≤ 0,20 – ≤ 0,05 ≤ 0,15 Zr (0,02 – 0,12) 1561Н 碱 ≤ 0,40 ≤ 0,40 ≤ 0,10 0,5 – 0,8 5,5 – 6,5 – ≤ 0,20 – ≤ 0,05 ≤ 0,15 Zr (0,10 – 0,17)
通函编号 314-04-1610c，日期为 2021 年 8 月 10 日，回复
" 表 5.1.2 化学成分 等级 Al, % Si, % Fe, % Cu, % Mn, % Mg, % Cr, % Zn, % Ti, % 其他元素, % 备注 单项 总计 1 5083 基础 ≤ 0,40 ≤ 0,40 ≤ 0,10 0,40 – 1,0 4,0 – 4,9 0,05 – 0,25 ≤ 0,25 ≤ 0,15 ≤ 0,05 ≤ 0,15 5383 基础 ≤ 0,25 ≤ 0,25 ≤ 0,20 0,7 – 1,0 4,0 – 5,2 ≤ 0,25 ≤ 0,40 ≤ 0,15 ≤ 0,05 2 ≤ 0,15 2 5059 基础0.45 ≤ 0.50 ≤ 0.25 0.6 – 1.2 5.0 – 6.0 ≤ 0.25 0.4 – 0.9 ≤ 0.20 ≤ 0.05 3 ≤ 0.15 3 5086 基座 ≤ 0.40 ≤ 0.50 ≤ 0.10 0.20 – 0.7 3.5 – 4.5 0.05 – 0.25 ≤ 0.25 ≤ 0.15 ≤ 0.05 ≤ 0.15 5754 基座 ≤ 0.40 ≤ 0.40 ≤ 0.10 ≤ 0.50 4 2.6 – 3.6 ≤ 0.30 ≤ 0.20 ≤ 0.15 ≤ 0.05 ≤ 0.15 5456 基座 ≤ 0,25 ≤ 0,40 ≤ 0,10 0,5 – 1,0 4,7 – 5,5 0,05 – 0,20 ≤ 0,25 ≤ 0,20 ≤ 0,05 ≤ 0,15 6005А 基座 0,50 – 0,90 ≤ 0,35 ≤ 0,30 ≤ 0,50 5 0,4 – 0,7 ≤ 0,30 5 ≤ 0,20 ≤ 0,10 ≤ 0,05 ≤ 0,15 6061 基座 0,40 – 0,80 ≤ 0,70 0,15 – 0,40 ≤ 0,15 0,8 – 1,2 0,04 – 0,35 ≤ 0,25 ≤ 0,15 ≤ 0,05 ≤ 0,15 6082 基础 0,70 – 1,30 ≤ 0,50 ≤ 0,10 0,4 – 1,0 0,6 – 1,2 ≤ 0,25 ≤ 0,20 ≤ 0,10 ≤ 0,05 ≤ 0,15 国家合金 1530 基础 0,50 – 0,80 ≤ 0,50 ≤ 0,10 0,30 – 0,60 3,2 – 3,8 ≤ 0,05 ≤ 0,20 ≤ 0,10 ≤ 0,05 ≤ 0,15 – 1550 基础 ≤ 0,50 ≤ 0,50 ≤ 0,10 0,30 –0,80 4,8 – 5,8 – ≤ 0,20 ≤ 0,10 ≤ 0,05 ≤ 0,15 – 1561 碱 ≤ 0,40 ≤ 0,40 ≤ 0,10 0,70 –1,10 5,5 – 6,5 – ≤ 0,20 – ≤ 0,05 ≤ 0,15 Zr (0,02 – 0,12) 1561Н碱 ≤ 0,40 ≤ 0,40 ≤ 0,10 0,5 – 0,8 5,5 – 6,5 – ≤ 0,20 – ≤ 0,05 ≤ 0,15 Zr (0,10 – 0,17)