由于其缩放限制,一大批新兴材料和设备正在广泛地进行替代硅。锗已被硅替代大约半个世纪前,通过在周期桌子的第四组上移动一个街区。有趣的是,我们又向上移动一个块,我们到达碳,由于其令人印象深刻的晶体结构或同素体性,该碳被广泛用作下一代电子产品的替代品。随着我们在摩尔定律结束时采用基于硅技术的技术,在碳同素异形物中,石墨烯有可能成为未来技术的下一项候选材料,并有助于将电子设备超越摩尔的定律。发现石墨烯是一个碳薄片的单个原子层,2004年促使其研究了其出色的电子,光子和机械性能,研究其在开发未来电子和光子设备方面的潜力。制造石墨烯的各种方法仍处于早期阶段,工程师需要设计用于大规模生产纯净的单牌石墨烯片的大量生产方法。超快速发展的技术的开发主要依赖于对具有独特属性的新型2D材料以及具有更多样化和更好功能的设备架构设计的基本理解。
宾夕法尼亚州立大学材料科学与工程系,宾夕法尼亚大学公园,16802,美国B美国B地球科学与测量工程学院,中国矿业与技术大学,北京大学,100083,100083,中国C中国C型大学公园,北京大学宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州立大学,宾夕法尼亚州立大学,宾夕法尼亚州公园16802,美国16802,美国 *通讯电子邮件:rjh64@psu.edu†作者同样摘要
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材料科学与工程系,南方科学技术大学,深圳518055,中国广东7. 苏州南京大学综合巡回赛学院215163,江苏,中国8。 苏州实验室,苏州215123,江苏,中国材料科学与工程系,南方科学技术大学,深圳518055,中国广东7.苏州南京大学综合巡回赛学院215163,江苏,中国8。苏州实验室,苏州215123,江苏,中国
X射线吸收是一种通过样品的元素构成来研究物质的方法。该方法对像2P(如2p)的共振内壳激发特别敏感!3D或3D!4F过渡,可以获得亚层敏感性。在这里,我们报告了总电子产量的Everhart - Thornley(ET)检测方案,该方案可在低光子通量下具有高质量的XAS,这是辐射敏感样品的曼陀罗。我们将ET电子产量检测方案应用于HO M 5和M 4边缘的HO 3 N@C 80内hode骨的单层量的X射线吸收。分子(如内叶列烯)是分子旋转型和电子产品的候选成分,其中XAS可能会揭示内侧单元的构象和磁性。1在当前的XAS应用中,我们研究了温度内部方向的可能变化,众所周知,单层内叶烯的平均方向可能在30 K和室温(RT)之间变化。2
全天。这意味着您只需要在启动时输入所有者密码,这使其非常强大。对于默认密码,请选择一个弱密码 +短锁定时间的组合,或一个强密码² +更长的锁定时间。第一个选项使信任限制密码尝试的速率限制了secure element²⁸。第二个选项并不能够信任限制速率,鉴于它可以通过安全的元素漏洞绕过,但是如果设备在解锁时无人看管,则配置文件数据是脆弱的。,如果您每天不多次解锁该设备,则还可以拥有一个强密码 +锁定时间。请记住,如果警察抓住您的设备(例如在白天的房屋突袭中),则应该将其关闭,至少应该锁定(该命中率(启动倒计时)至下面提到的自动重新启动功能)。•在默认用户配置文件中,您可以使用