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第336会计中队鲭江支队队长 中野直国
2024年10月15日——（7）任何未根据竞标指南中规定的“关于排除有组织犯罪集团的承诺”作出承诺的人将不允许参加竞标。 （8）国防部卫生局局长、国防政策局局长、采购、技术和后勤局局长，或……
所有关于界面的信息：在高质量H-BN单层二酰亚胺界面处的残留污染物是否会导致电荷捕获？
为了表征有机sem iConductor中的内在电荷传输过程，必须最小化外部效应（例如接触电阻，非理想的污染物和外部污染物）的外在效应的影响。[1–3]半导体介电界面对于电荷传输至关重要，因为陷阱和表面粗糙可以阻止有效的电荷转移。[4,5]虽然表面粗糙度易于表征，例如，使用原子力显微镜（AFM）及其来源很容易识别，但[6]对于电活动陷阱而言，这是高度无琐的。此类陷阱通常与有机场效应晶体管（OFET）中使用的介电的影响有关，因为介电常数和其他内在特性会影响电荷转运。[4,5,7-10]为了减少半导体 - 二元界面处的捕获（例如，水和其他固有或外在陷阱），典型的是，表面是由于使用自组装单层（SAMS）而被钝化的。[11]最近还用本质上惰性的六角硼（H-BN）用作介电，其目标是实现无陷阱界面。[12–14]
区域法律服务处西太平洋分处...
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小型惰化可处理性研究报告...
桑迪亚国家实验室对各种爆炸组件进行辐射加固测试后，产生了放射性废物流，必须将其作为放射性废物处理。由于爆炸物和放射性的综合危害，桑迪亚国家实验室的放射性和混合废物管理组织没有处理这些废物流的机制。本报告记录了所做的研究，旨在提供一种从这些废物流中去除爆炸危险的方法。报告包括所用设备的设计、所遵循的程序、废物流模拟测试的结果以及对放射性样品进行的实际爆炸惰化测试的结果。经过惰化处理后，废物流不再具有爆炸性，因此可以通过正常的放射性废物处理渠道进行处理。
在220 GHz处观察Mkids的表征...
摘要 - 我们提出了220 GHz Mi-lowAve动力电感检测器（MKID）像素的更新设计，用于SPT-3G+，这是South Pole望远镜的下一代相机。我们显示了具有平均诱导质量因子Q I = 4的63像素阵列的暗测试结果。8×10 5，铝电感器过渡温度t c = 1。19 K和动力敏感分数αk = 0。32。我们将微带耦合和CPW耦合的谐振器视为光学表征，并发现两者都具有接近预测的光谱响应，光效率为η〜70％。然而，我们发现频带下边缘的光学响应略低于所预测的，而相邻的黑暗检测器在该区域显示出更多的响应，尽管相对于光学检测器的频率低于5％的频率一致。检测器显示出与期望一致的极化响应，两个检测器取向的交叉响应约为10％。
在 ASSOCIATED OCTEL - IChemE 处释放并着火
7 HSE 发出了禁令通知，禁止联合 Octel 公司有限公司重启氯乙烷生产，直到该公司证明“已确定重大事故隐患，并已采取适当预防措施，限制对人员和环境的影响”。EC 工厂于 1995 年 1 月重建并重新投入使用。所涉及的泵和管道进行了重要的详细设计变更，包括在容器连接低于液位的管道上安装遥控截止阀，以及在工厂和围堵 EC 工厂发生重大泄漏时增加仪表和警报。涉及火灾的三个主要工艺容器已被更换，并使用规格改进的最新绝缘包层进行保护。已引入改进的安全管理安排，以管理维护，并在公司内部实现更好的健康和安全承诺和沟通。
防整技第6389号令和4年3月31日大臣官房会计课...
部分修改《机场照明设备规格标准》（通知） 针对上述内容，对《机场照明设备规格标准》补充卷（2018 年 10 月 11 日公告第 16074 号）进行了如下修改。 本通知适用于本通知发布之日及以后发布招标公告的工程。
日本陆上自卫队小平驻地的展示和销售
2024 年 9 月 30 日 - 提交的文件应为日本工业标准 A4 尺寸。如果使用大于 A4 的纸张，请使用 A3。 但是，如果这很困难，或者您想使用小册子等。
sc tokai应用物理学会学术演讲（JSAP SCTS 2014）
简介：在过去的几十年中，碳纳米材料（例如碳纳米纤维（CNF）和石墨烯）由于其宏伟的特性而引起了强烈的科学兴趣[1，2]。关于石墨烯的大部分研究都是针对合成高质量和大面积石墨烯方法的探索。有希望的方法是脉搏激光沉积和化学蒸气沉积。虽然在理解石墨烯合成方面已经取得了重要成就，但它们的形成机制尚不清楚。现场技术的最新进展现在为研究原子水平研究固相相互作用的新可能性提供了新的可能性。在这里，我们报告了通过原位透射电子显微镜（TEM）直接观察到铜含有铜纳米纤维（CU-CNFS）的结构转化。实验：使用kaufmann型离子枪制造Cu-CNF（iontech。Inc. Ltd.，模型3-1500-100FC）。所使用的样品是尺寸为5x10x100 µm的市售石墨箔。通过在CNFS生长过程中连续供应Cu，在室温下用1 keV ar +离子辐射石墨箔的边缘。在其他地方详细描述了离子诱导的CNF生长机理的细节[3]。然后将Cu-CNF安装在200 kV的TEM（JEM2010，JEOL CO.，JEOL CO.）的阴极微探针上，并研究了Cu-CNFS向石墨烯的结构转化，在电流 - 电压（I-V）测量过程中进行了研究。结果和讨论：在I-V测量过程中，高温是通过Cu-CNF结构中的Joule加热获得的。焦耳CNF的加热导致其表面石墨化，最后在转化为严重扭曲的石墨烯中。tem图像表明，最初，CNF在本质上是无定形的，而I-V过程中的电流流动引起了CNF的晶体结构的急剧变化，形成了石墨烯的薄层（1-3层）。作为结果，在产生的电流大大增加的情况下，改进了结构的电性能，比初始值高1000倍（从10 -8到10 -5 a）。该过程采用三个步骤进行：Cu纳米颗粒的聚集，无定形碳扩散到Cu中，以及在进一步加热下的Cu纳米颗粒的电迁移。