我们报道了外加磁场下HfTe 5 的电子输运特征。随着磁场的增加,我们观察到霍尔电阻ρ xy 出现一系列平台期,直至达到1-2 Tesla 的量子极限。在平台期区域,纵向电阻ρ xx 表现出局部最小值。尽管ρ xx 仍然非零,但是在最后几个平台期,其值变得远小于ρ xy。通过测量 Shubonikov-de Haas 振荡来映射费米面,我们发现霍尔平台的强度与费米波长成正比,这表明它的形成可能归因于相互作用驱动的费米面不稳定性导致的能隙打开。通过比较 ZrTe 5 和 HfTe 5 的体能带结构,我们发现在 HfTe 5 的费米能级附近存在一个额外的口袋,这可能导致有限但不为零的纵向电导。
超材料是一类具有负介电常数和/或磁导率的人工材料,在自然界中尚不存在此类材料。超材料的概念最早由JB Pendry于20世纪90年代提出,近二十年来,高频超材料在电磁学、力学和光学等领域得到了广泛的研究和应用。超材料由多个具有相同结构的晶胞组成,这些晶胞在空间中周期性排列,以模拟晶体中的晶格结构。对于高频电磁超材料,每个晶胞由导体形成的电感和导体之间形成的杂散电容组成。电感和电容在特定频率下发生共振,从而感应出较大的导体电流,进一步增强外加磁场。然而,现有的高频超材料由于一些技术瓶颈,无法用于低频(工频至兆赫兹)大功率(>200W)电磁装置。该项目的目标是开发具有负磁阻的低频超材料单元,以获得一些基本的设计知识,以备将来的突破。该项目中低频超材料的目标应用是三维无线电力传输系统。该项目的成功将为未来制造世界上第一种低频超材料产生新的基础知识。项目/中心网站 https://www.ntu.edu.sg/csie