外结合

观察硅纳米阵列中的连续体中可调的意外结合状态

摘要：我们在实验中证明了在Sili-ConNanodisk阵列中对连续体（A-BICS）中意外结合状态的调整。A-BIC出现了多物的破坏性干扰，这些干扰是平面电偶极子和平面磁性偶极子，以及弱电四极杆和磁性四极杆。我们进一步表明，可以通过改变纳米风险尺寸或晶格周期来方便地调节A-BIC的光谱和角度位置。非常明显，角度可以调节到0°，这表明A-BIC从OFF-γ-BIC到AT-γ-BIC进行了有趣的过渡。我们的工作为具有高质量因素的光捕获提供了一种新的策略，可调节的A-BIC可以在低阈值激光，增强的非线性光学和光学传感中找到潜在的应用。