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World File Search System如钼二二
光电光谱研究对银和铜表面上硫醇的辐射损伤和金属硫键的研究
使用X射线光电光谱（XPS）在银色和铜表面上的自组装1多二烷硫醇单层（SAM）使用同步辐射和常规MG K激发表征。辐照诱导的Cu和Ag上硫醇酸盐SAM的变化。已经完成了硫种类的识别。结果获得了对银的N-烷硫醇的早期研究。在铜（C 12 s/cu）上，观察到的S 2P频谱非常广泛，但是使用不同的激发能的使用使我们能够识别表面上的四个硫种。在162.6 eV处观察到硫酸铜的S 2P 3/2成分。在辐照过程中已经观察到了另外三个双重（161.9 eV，163.2 eV和163.8 eV），并将它们分配给铜上的化学吸附硫，不同的二二甲基硫纤维和硫 - 硫键。©2004 Elsevier B.V.保留所有权利。
OAT PG 传热流体技术数据表 - Solutherm
性能特点和优点 • 按照设备制造商的说明进行维护，在直接液体冷却计算机应用中可使用长达 10 年。 • 产品可防止铝、黄铜、铜、铸铁和不锈钢腐蚀。 • 产品不含 2-EHA（2-乙基己酸）、钼酸盐和 BNAS（硼酸盐、亚硝酸盐、胺硅酸盐）。 • 产品可根据需要通过简单的定期健康监测和处理进行维护，以将使用寿命延长至 10 年。 • 产品为铝提供高温腐蚀保护，并与所有铝制热交换器兼容。 • 与同类产品相比，产品采用先进的配方，降低了液体的毒性，更加环保。
FR-AlN-ST 陶瓷数据表 V2a 032323
FR-AlN-ST 是一种先进的结构氮化铝陶瓷，采用高温液相烧结制成。它是一种完全致密的棕褐色结构陶瓷，能够使用近净形状和金刚石研磨工艺制成。由于钠和二氧化硅浓度较低，它非常适合要求高导热性的半导体、商业和航空航天应用。FR-AlN-ST 的热膨胀率与钨和钼的热膨胀率非常匹配，因此可以创建能够在各种工作温度下工作的密封组件。添加氧化钇以实现液相烧结，还可以提高传统 Mo/Mn 和 Mo/Mn/W 厚膜金属化系统的粘合强度。
金属协调的共价有机框架作为硫磺硫的硫阴道和锂阳极的高级双功能宿主
摘要：在阴极上多硫化物的穿梭和阳极锂树突的不可控制的生长限制了锂 - 硫（Li -s）电池的实际应用。在这项研究中，设计和合成的镍 - 二二烯）和富含N的三嗪中心（即NIS 4-TAPT）的镍 - 双（二硫烯）和富含N的三氮中心（即NIS 4-TAPT）的金属配位3D共价有机框架（COF）。NIS 4中的丰富的NI中心和N位点可以大大增强多硫化物的吸附和转化。同时，Ni -bis（二硫烯）中心的存在使Li阳极均匀的Li成核使Li成核抑制了Li dendrites的生长。这项工作证明了整合催化和吸附位点的有效性，以优化宿主材料与氧化还原活性中间体之间的化学相互作用，从而有可能促进金属协调的COF材料的合理设计用于高性能二级电池。■简介
仅带有激光：6申请更多可持续性
理论：回收利用时，我们将事物拆除到其组成部分中，并将材料放回循环中，而不会损失任何质量。现实：大量的垃圾。我们如何按类型进行分类？Fraunhofer激光技术ILT ILT为此开发了一个新的过程：传感器使用激光发射光谱范围来识别在输送带上超过它的废料的化学成分。之后，使用人员或AI支持的自动系统用于排序。激光方法也适用于碎片废物，例如电子废物和车辆零件。它检测到有价值的原材料的最小数量，甚至只是合金成分，例如钼，钴或钨。使用激光检测器，比以前更多的材料可以找到回流的方法。
同种型柠檬酸可治愈肺炎克雷伯菌的 NifV 表型
固氮酶催化 N2 还原为铵 (1)。固氮酶由两种蛋白质组成，即二氮酶 (组分 I，Mo-Fe 蛋白) 和二氮酶还原酶 (组分 II，Fe 蛋白) (1, 3)。二氮酶含有一个独特的辅基，即铁钼辅因子 (FeMo-co)，由 Fe、Mo 和 S (15) 组成。生化和遗传研究表明，至少有六种 nif (固氮) 基因产物参与了 FeMo-co 的生物合成。含有 nifB、nifN 或 nifE 突变的肺炎克雷伯菌菌株无法合成 FeMo-co (12, 15)。在含有低水平钼酸盐的培养基中，当固氮酶被解除抑制时，nifQ 突变的菌株不会合成 FeMo-co (8)。某些含有 nifH（编码二氮酶还原酶）突变的肺炎克雷伯菌和棕色固氮菌菌株无法积累 FeMo-co（2, 13）。从含有 nifV 突变的肺炎克雷伯菌菌株中分离出的二氮酶表现出改变的底物亲和力和抑制剂敏感性（10）。进一步的研究表明，NifV 突变体在 FeMo-co 合成方面存在缺陷（4）。最近，描述了一种体外合成 FeMo-co 的系统，该系统需要 ATP、钼酸盐、nifB、nifN 和 nifE 的基因产物（17）、二氮酶还原酶（未发表的数据）和同型柠檬酸（6）。肺炎克雷伯菌对同型柠檬酸的积累与功能性 nifV 基因的存在有关，该基因显然编码同型柠檬酸合酶（7）。在解除固氮酶抑制期间，发现高柠檬酸在肺炎克雷伯氏菌培养物培养基中积累 (6)。我们在此报告，向肺炎克雷伯氏菌 NifV 突变体培养基中添加高柠檬酸可治愈该表型。肺炎克雷伯氏菌 UN 是从菌株 M5al 中重新分离的野生型菌株，该菌株最初来自 PW Wilson 的收藏。菌株 UN1991 (nifV4945) 是一种稳定的 NifV 突变体，回复频率为 3 x 10-10（T. MacNeil，博士论文，威斯康星大学麦迪逊分校，1978 年），之前已有描述 (9)。肺炎克雷伯氏菌突变体中的生长和固氮酶解除抑制已被描述 (8)。从肺炎克雷伯菌 (6) 培养物的去阻遏培养基中分离出 (R)-2-羟基-1,2,4-丁烷三羧酸 (高柠檬酸)。将高柠檬酸添加到 UN1991 培养物中，最终浓度约为 83 mg * 升-' (0.4 mM)。用 DEAE-纤维素色谱法 (14) 从菌株 UN、UN1991 和 UN1991 中纯化二氮酶，这些菌株在高柠檬酸存在下已对固氮酶进行了去阻遏。已描述了乙炔和 N2 还原测定
Alloy uns N08827：合金N08825的新版本和高级版本，具有更好的
为了提高对氯化物诱导的局部腐蚀的耐药性，通过将钼含量从3 wt .-％增加到3 wt .-％的Alloy Uns N08825中的Alloy n08825中的3 wt .-％左右的825 ctp中，通过将钼含量从大约3 wt .-％增加到3 wt。通过增加钼含量，pren（由公式（1）给出的匹配抗性等效数）从33增加到42，这给出了提高耐腐蚀性的首先指示。通过在合金N08825中从30°C（86°F）2的临界点温度（CPT）升高至合金825 CTP的合金3-5（131°F）3-5的临界点温度（CPT）从30°C（86°F）2中升高，通过实验证实了改善的耐腐蚀性。pren =％cr + 3.3 x％mo + 16 x％n（1）此外，众所周知，合金N08825在焊接过程中非常容易易于热开裂，这可能发生在热影响区（HAZ）或焊接金属本身中，代表了跨间的故障模式。为了评估材料的热开裂敏感性，固化温度范围（固体二液值差值，ΔT）通常用作首次评估。较高的ΔT导致沿晶界和跨齿状区域分布的残留液相，从而导致冷却收缩过程中晶界延展性的损失，因此可以进行热开裂。6,7在实验上，可以通过改进的涂层（MVT）测试来评估热破裂的敏感性。通常将钛和niobium添加到合金中，以稳定碳并防止在可能导致晶间腐蚀的晶界处的碳化物降水。MVT测试被用作“通用”焊接性测试，旨在独立控制焊接参数和机械负载，该测试允许通过热裂缝数量和焊接样品的热裂纹长度评估和比较材料。在另一侧，从焊接的角度来看，据众所周知，钛对材料的可焊性具有有效的影响，7，但有关钛的这一方面的信息有限。Shankar等人。沿ti稳定的奥氏体不锈钢焊缝的裂缝和跨齿状区域验证了一般的高钛富集。认为，较高的钛含量会导致对晶界的种族隔离增加，这导致在这些地区形成更有害的次级相，后来可能有助于形成裂纹。此外，已知钛和其他分区元素在凝固过程中丰富了谷物和亚晶界。将这些元素分配到边界区域时，可以显着降低这些位点的有效凝固温度范围。8钛作为合金元素的另一个缺陷是其在电弧焊接过程中无法预测的氧化行为，这可能导致间质钛的消耗 - 从而降低了其稳定效果 - 与焊接金属中钛含量的发生结合。由于最近开发的合金825 CTP可以通过高级辅助冶金生产工艺实现非常低的碳含量，因此不需要钛的添加钛的目的
超细β-Mo2C纳米结构的O-Mo-C界面促进高效电催化析氢
氧化态通常由 Mo 2 C 的表面氧化引起，迄今为止，它们在 Mo 2 C 基催化剂的 HER 中的作用很少受到关注。O – Mo – C 界面可能在 Mo 2 C 催化剂中普遍存在，尽管这方面尚未得到详细研究。这是一个值得注意的疏忽，因为高度氧化的 Mo 中心很可能是从质子产生 H 2 的生产位点。在这项工作中，我们旨在探究薄而明确的氧化层和 O – Mo – C 界面对 N 掺杂碳负载的 Mo 2 C 的 HER 活性的作用。通过热解涂有钼-单宁酸配位聚合物的 ZIF-8 纳米晶体，成功制备了超细 b-Mo 2 C 纳米粒子 (b-Mo 2 CNP)，该纳米粒子被限制在 N 掺杂多孔碳的空心胶囊内 (表示为 b-Mo 2-C@NPCC)。我们进一步发现，当暴露在空气中时，钼原子的表面层立即原位氧化为原子 Mo-O 表面层。这种方法确保了表面氧化的 Mo 原子和下面的 b-Mo 2 C 之间的强界面耦合，从而创建了优化的 O-Mo-C 表面电子转移途径，以实现高效的电催化。由于具有丰富的O – Mo – C界面，b -Mo 2 C@NPCC表现出优异的HER电催化活性，在0.5 MH 2 SO 4和1 M KOH中仅需80和132 mV的过电位即可达到10 mA cm 2 的催化电流密度。相应的Tafel斜率非常低（在H 2 SO 4中仅为40 mV dec 1，在KOH中仅为49 mV dec 1）。理论计算证实了O – Mo – C纳米界面对b -Mo 2 - C@NPCC优异的HER性能的益处。我们的工作为合理开发下一代HER催化剂铺平了新道路。
在二维材料的纳米结构膜中调整电子和热传输，用于高性能化学感测和
化学传感和热量管理都代表着主要技术，可以在可穿戴设备中进行远程医疗保健，这在大流行社会中非常重要。石墨烯和相关的2D材料（GRM）具有可穿戴电子产品的新型电气和热性能的巨大潜力。特别是基于GRM的溶液的纳米结构GRM膜（图1A）的低温产生和沉积对于印刷柔性和可穿戴电子产品极为有吸引力。[1，2]已经开发了来自具有不同电子性能的2D材料的电子油墨来打印设备的不同元素：活性层中的半导体或半金属油墨，用于介电墨水的磁铁和用于电极的墨水[3，4]。单层六角硼硝酸硼（H-BN）是一种宽带2D半导体，具有出色的声子传输[5]，这是用于热导电糊的有前途的聚合物填充剂。[6]在本次演讲中，我将描述表面活性剂和无溶剂和无溶剂喷墨印刷的薄膜薄膜设备的电荷传输机制，这些薄膜的薄膜设备（半金属），二钼钼（MOS 2，半导体，半导体）和钛金属MXEN（TI 3 C 2，METATIENT）的电气依赖性和磁场依赖于温度和磁场，并将其用于温度和磁场。[7]印刷几层MXENE和MOS 2设备中的电荷传输由组成薄片的固有运输机理主导。另一方面，印刷的几层石墨烯设备中的电荷传输主要由不同薄片之间的传输机构主导。[8][7]然后，我将讨论H-BN和Ti 3 C 2的纳米结构膜中的热传输，并报告与Wiedmann-Franz Law背道而驰，为在有效冷却电子电路和OptoelectRonic设备中的电气冷却和智能管理式智能处理和热量管理和智能处理中的电气和热导电涂料铺平了道路。