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World File Search System学制
实施双学制项目 - 美国陆军驻地
4. 目的。双学制项目旨在支持 USAREUR-AF 在德国的特定战略利益。该项目是对参考文献 1k 中的（自愿）当地国家 (LN) 实习项目的补充，旨在为有才华的学生提供与 USAREUR-AF 内的主管、同事和导师/顾问/辅导员并肩发展职业的机会。通过这种方式，USAREUR-AF 总部参谋部、USAREUR-AF 主要下属司令部 (MSCs) 的指挥官和 USAREUR-AF 的其他组织可以在学生在美国军队工作期间为他们提供实用见解，并反过来将当前的学术知识和新观点结合起来以完成任务。凭借不断积累的专业经验和培训，学生可以为各自的部门/项目做出有益的贡献。因此，他们不会被认为在其学科领域一无所知。在日益激烈的合格年轻专业人员竞争中，雇用双学制学生也适合改善和培养 USAREUR-AF 的雇主营销形象，并在项目结束后尽早让学生成为潜在员工。与德国 USAREUR-AF 合作为 LN 学生提供的双学位项目的重点和目标是为德意志联邦共和国合作州立大学的东道国学生提供独特的学习体验。
太阳能热化学制氢系统及技术经济分析
Co 0.1 Fe 0.9 Al 2 O 4 [28] 174.1 2.08 1,450 < 400 250 Mn 0.5 Fe 0.5 Al 2 O 4 [28] 173.4 1.38 1,450 < 400 340 La 0.6 Sr 0.4 MnO 3 [29] 221.3 3.80 1,400 < 600 650 † CeO 2 [34] 172.1 7.00 ‡ 1,500 ~700 130 分析基线 - 4.00 - - 200 * T TR 和温度波动是近似值，取决于各种系统参数。† 可能实现的生产率。‡ 铈的成本逐年波动很大；选择了中等价格。
加速生命科学制造业，创造经济复原力，促进北卡罗来纳州贫困社区的公平性 北卡罗来纳州双
加速生命科学制造业以创造经济复原力并促进北卡罗来纳州贫困社区的公平由北卡罗来纳州生物技术中心 (NCBiotech) 领导的不同成员以及行业和社区合作伙伴组成的联盟正在共同努力，通过扩大、联系和向服务不足和贫困社区（包括历史上被排除在外的人群）推广培训和职业机会，进一步加强北卡罗来纳州 (NC) 现有的生命科学制造业集群。生命科学制造业集群正处于关键时刻，自 2020 年 1 月以来，北卡罗来纳州宣布新增 7,000 多个工作岗位和超过 70 亿美元的投资，现有的培训计划无法跟上这一行业增长率。要实现我们的愿景，我们需要采取大胆的措施，在一个不断发展且具有全球竞争力的行业中，加快我们州整体经济公平和复原力的提高，同时创建一个以大流行防范为重点的国家生命科学制造资源。生命科学制造商生产药品、其成分以及从工业酶到农业用品的其他产品。制造业通过复杂、清洁且高度监管的生产设施将这些创新产品和解决方案变为现实。每个设施都代表着数亿美元的投资和数百个工作岗位，平均工资为 102,471 美元，1 早期职业薪水约为 55,000 美元。2 鉴于生命科学制造业务的技术复杂性、费用和高度监管性质，人们不愿意搬迁这些设施。这导致了对高技能本地劳动力的依赖，并增加了生命科学制造业工作的弹性。尽管这些工作生产的是复杂的科学产品，但其中很大一部分不需要学士或高级学位。许多工作都可以通过 GED 加上行业定制的短期培训计划获得。即便如此，弱势群体有时在家附近就有制造工厂，但他们往往不知道和/或无法获得培训，而这些培训可以为他们打开高薪工作、良好福利和经济转型的大门。例如，北卡罗来纳州 38% 的生命科学公司在达勒姆县运营，而黑人仅占该县生命科学行业工作岗位的 20%，却占该县总人口的 36%。3,4
评论文章 - 初级牙齿的生物力学制备
在开始根管疗法之前，临床医生应了解不断发生的原发牙内的形态学变化，并熟悉原发性和永久根管解剖学之间的基本差异。前牙牙的根管相对简单，几乎没有规则，并且很容易对牙齿治疗。相反，在后牙中发现的根管系统经常包含运河之间的许多后果和三角洲，使彻底的清创术变得非常困难。[18,19]通常，当根部的形成完成后，主要磨牙的每个根中只有一条管。一旦根长度完成，主牙根将开始撤离。此吸收导致顶孔的位置不断变化。同时将次生牙本质沉积在根管系统中。[19,20]该沉积产生了根管的数量和大小的变化和变化，以及许多小管的面部和舌状方面之间的许多小型连接分支或鳍。牙根在根部的持续沉积将划分为
晶圆级光学制造
市场新闻6微型芯片收入达到2024年的23亿美元微电子新闻8 Qorvo，以创建异质的集成包装RF生产和原型化中心； acquires UWB software provider 7Hugs Labs • Imec's Advanced RF program to develop 6G device technology Wide-bandgap electronics News 16 ROHM and UAES open joint lab in Shanghai •Infineon launches first 1200V transfer-molded SiC integrated power module •GTAT to supply SiC boules to Infineon •DENSO adopts SDK's 150mm SiC epiwafers Altum wins two-year ESA合同•HRL目标是首先W波段N极高的低噪声放大器•EPC增强了欧洲销售团队•200mm Wafers材料和加工设备新闻35 AXT合并Boyu和Jinmei的IGAN和A-PRO共同开发650V GAN设备；从Dingxing•GlobalWafers接管Siltronic•Umicore合格的VCSELS 6英寸GE Wafers•IQE开发IQGEVCSEL 150技术；创始人纳尔逊（Nelson）将放弃首席执行官角色•血浆 - 塞姆（Plasma-therm）获得OEM的PVD，RTP和Etch Business Led News 52 Aledia在300mm硅Wafers上生产首个微型筹码•Porotech•Porotech推出了首个原住民Red Ingan LED Epiwafer for Micro-Newss•Osram unde usram unde usirs•OSR uviirs usecers•OSR uv-cyers usectron uv-cyecron uv-cyecron uv-cyers usecron uv-cyecron， SLD Laser •ROHM develops VCSEL module technology • NUBURU raises $20m • Hitachi High-Tech acquires VLC Photonics Optical communications News 68 POET unveils first flip-chip directly modulated lasers • Lumentum acquires TriLumina assets •Ayar Labs raises $35m • Lumentum sampling first 100G PAM4 directly modulated lasers Photovoltaics News 86 NREL和UNSW提高了两连通效率的记录，至32.9％
晶圆级光学制造
市场研究公司 Omdia 在其《SiC 和 GaN 功率半导体报告——2020 年》（见第 74-75 页）中指出，受混合动力和电动汽车 (HEVs/EVs)、电源和光伏 (PV) 逆变器需求的推动，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 功率半导体市场预计将在 2021 年超过 10 亿美元，因为它正迅速从初创公司主导的行业发展为由大型知名功率半导体制造商主导的行业。例如，三菱电机现已推出其第二代全 SiC 功率模块，采用新开发的低功耗工业用 SiC 芯片（第 15 页）。此外，在美国空军研究实验室 (AFRL) 的一项第一阶段小型企业技术转移研究 (STTR) 项目的资助下，结构材料工业公司 (SMI) 开发了一种用于 4H-SiC 的低温化学气相沉积 (CVD) 工艺，可实现用于高压功率器件的厚外延层的更高速率生长（同时缩短工艺周期和设备磨损）（第 14 页）。与此同时，SMI 还与纽约州立大学 (SUNY) 奥尔巴尼理工学院合作，获得了美国能源部授予的第一阶段 STTR 合同，以开发普遍的制造基础设施 - 包括改善大晶圆金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 均匀性 - 用于在高电流和高电压 (>20A/>600V) 下运行的 GaN，用于电动汽车电力电子设备（第 16 页）。正在推进 GaN 器件功能的制造商包括 EPC，该公司已推出其最新的 100V eGaN FET 系列，面向自动驾驶汽车的 LiDAR 等应用（第 18 页）。GaN 器件在电源应用（例如消费电子产品的快速充电器）中的应用持续激增（尤其是随着性能的提高）。例如，在 Apple iPhone 12 预计于今年晚些时候发布之前，移动配件品牌 Spigen PowerArc 已在新款 20W ArcStation Pro 中使用了 Navitas 的 GaNFast 电源 IC。与此同时，中国的 OPPO 已采用 GaNFast 电源 IC，用于据称是最小、最薄、最轻的 110W 智能手机、平板电脑和笔记本电脑快速充电器（第 19 页）。除了通过向制造合作伙伴 Nexperia 授予许可来增加收入外，Transphorm 还扩展了其高压 GaN 电源转换设备产品组合，旨在推动快速充电电源适配器的普及（第 20 页）。GaN Systems 宣布推出一款新的参考设计，用于包括手机和笔记本电脑在内的消费电子产品中的高功率密度 65W 充电器（第 21 页）。Mark Telford，编辑 mark@semiconductor-today.com该公司还发布了一份白皮书，展示了其 GaN 器件的可靠性，超过了 JEDEC 和 AEC-Q101 测试规范的标准。在新加坡，IGSS GaN (IGaN) 正在建立一个 Epi 中心，作为 4-8 英寸晶圆 GaN MOCVD 的商业和全球联合实验室，将于 2021 年中期投入运营（第 22 页）。最近，就在 9 月 29 日，总部位于荷兰的 NXP Semiconductors 在其位于亚利桑那州钱德勒的工厂开设了新的 8 英寸晶圆 GaN 晶圆厂，专门用于蜂窝基础设施的 5G RF 功率放大器。新晶圆厂已经通过认证，初始产品正在市场上迅速推广，预计将在 2020 年底达到满负荷生产（下一期新闻页面将全面报道）。
先进微晶圆代工厂 (AMF) 硅光子学制造
关于 CMC CMC Microsystems 拥有超过 35 年的提供多项目晶圆服务的经验，涉及一系列技术，包括先进微电子、光子学和 MEMS。CMC 总部位于加拿大，通过提供设计工具、原型设计、增值封装和组装服务以及内部专业知识来降低技术采用的障碍，从而打造出一次成功原型。
晶圆级光学制造
市场新闻 6 功率半导体器件需求上升，推动宽带隙市场发展 微电子新闻 8 Fraunhofer IAF 报告创纪录的 640GHz InGaAs MOSHEMT 晶体管 •富士通荣获 IEEE HEMT 里程碑奖 •Qorvo 融资 2 亿美元 宽带隙电子新闻 14 SiCrystal 将向 ST 供应价值 1.2 亿美元的 150 毫米 SiC 晶圆 •II–VI 签署协议，供应价值 1 亿美元的 SiC 基板 •住友开始生产 150 毫米 GaN-on-SiC •GaN Systems 从 SPARX 获得资金 •IVWorks 融资 670 万美元 •GaN 电源充电器在 CES 上展出 •JST 的 NexTEP 计划生产基于 THVPE 的块状 GaN 生长设备 材料和加工设备新闻 33 Shin-Etsu 获得 Qromis 的 GaN 基板技术许可 •Aixtron 获得 PlayNitride 的 μ LED 生产资格 •BluGlass 和 Luminus合作评估 RPCVD 隧道结级联 LED LED 新闻 42 Plessey 在硅上开发原生红色 InGaN LED，用于 μ LED 显示屏 • TowerJazz 与 Aledia 合作开发纳米线 LED 工艺 • MICLEDI 从 imec.xpand、PMV、FIDIMEC 融资 450 万欧元 • Nakamura 将获得 NAS 奖 光电子新闻 43 TDK 投资 SLD Laser • ON Semi 与 SOS LAB 合作开发 LiDAR • Ambarella、Lumentum 与 ON Semi 合作开发 3D 感应 光通信新闻 51 II–VI 在 150mm GaAs 上推出高速数据通信 VCSEL，用于消费电子产品中的光纤 HDMI 电缆 PV 新闻 58 晶科能源与上海空间电源研究所合作
产品代码：413777脑心脏输注（BHI）（脱水培养基）用于微生物学制备暂停37克一升培养基
产品代码：413777脑心脏输注（BHI）（脱水培养基）用于微生物学制备，暂停了37克一升蒸馏水中的培养基。充分混合并通过频繁搅拌加热来溶解。煮沸一分钟，直到完全溶解。分配到适当的容器中，并在121°C进行15分钟进行消毒。制备的培养基应存储在2-8°C下。颜色是琥珀色。为了获得最佳效果，应在同一天使用培养基，或者在沸水床上加热以排出溶解的氧气，然后在使用前冷却。脱水的培养基应具有均匀的，自由流的和颜色的浅色烤制。如果有任何物理变化，请丢弃培养基。使用脑心脏输液汤（BHIB）是一种富含营养素的液体培养基，适合种植几种细菌菌株，例如链球菌，脑膜炎球菌和肺炎球菌，真菌和酵母菌。bhiB。0.5 mL BHI肉汤的试管用于培养用于制备接种物的细菌，用于微稀释液中最小的抑制浓度（MIC）和识别（ID）测试面板。牛肉心脏和小牛脑输注和蛋白质混合物的营养丰富的碱提供氮，维生素，矿物质和氨基酸，对于多种微生物的生长必不可少。葡萄糖是碳能源，氯化钠保持渗透平衡。这种媒介非常通用，并支持许多挑剔的生物的生长。加入0.1％琼脂，该培养基用于培养厌氧菌。添加0.1％琼脂会减少氧对流电流的流动，并鼓励厌氧和微生物的发展。BHI肉汤用于制备S. aureus的培养物，以用于凝结酶测试。接种并在35±2°C下孵育18-24小时。构图参见数据表（TDS）中。