盐和干旱胁迫一直是限制农业生产的重要因素,而SA是应激反应涉及的重要酚类,但是SA对稻米的双重盐和大米中的干旱胁迫的功能尚不清楚。在这项研究中,通过检测生理和生化指数以及盐和干旱耐受性基因的表达,研究了对稻米对双盐和干旱胁迫的外源SA触发的影响和机制。结果表明,SA的应用可以显着增加盐和干旱胁迫下水稻幼苗的抗氧化酶活性,从而减少米H 2 O 2和MDA的含量并维持水稻幼苗的生长。Moreover, the expression of genes involved in the response of abiotic stress, such as OsDREB2A, OsSAPK8, OsSAPK10 and OsMYB2 , were up-regulated under salt and drought treatment, and SA application could further enhance the expression of those genes like OsDREB2A and OsSAPK8 , suggesting that SA might regulate antioxidant enzyme activity via inducing the expression of salt and drought tolerance基因并增强大米的盐和干旱耐受性。结果将丰富SA功能的知识,并提供了研究大米盐和干旱性中SA机制的参考,并使用改善的盐和耐干旱的盐分繁殖新的水稻种质。
・ 关于加加速度(注 2) ・ 关于使用简单模型进行研究的重要性 ・ 关于分析工具的预测值与实验值之间的差异 ・ 关于施加到人体的加速度的评估 ・ 的条件研究目标(垂直载荷)
秘钥是经过加密的,而秘钥加密的密钥受到公钥加密的保护。这里,拥有CRQC的攻击者可以采取攻击公钥加密部分的方法来获取通用密钥加密的密钥,然后使用该密钥解密通信内容。因此,即使对称密钥加密部分具有抗量子性,如果公钥加密部分具有量子脆弱性,则整个加密通信可能具有量子脆弱性。为了使此类加密通信对抗量子计算机,必须将公钥加密部分改为PQC,或者使用不依赖公钥加密的方法来保护它。但需要注意的是,当采用不依赖于公钥密码的方法时,可扩展性通常会降低。
• 自动清洁:水和溶剂。 • 配备2个用于制作比色板的迷你舱。 • 仅需一个排气管道。 • 洗涤周期由计时器控制。 • 溶剂部分配备有冲洗泵。 • 适用于重力枪和吸力枪。 • 安全装置防止洗涤槽在使用过程中被打开:操作停止。 • 配备吹枪和气管,用于测试枪。 • 配备喷嘴和带鼓风机的软管,用于最后的冲洗。 • 通过气动文丘里系统进行气味通风。 • 符合法规要求的风速。 • 符合 ATEX ZONE 1 和 CE 标准。
汽车涂料系统加速老化试验的目的是在实际户外暴露试验结果出来之前确定长期老化性能。使用可靠的加速老化试验可以缩短新涂料系统的推出时间:溶剂排放量更低、涂装成本更低、耐刮擦、耐磨损和耐碎裂性能更好、外观变化更吸引客户的涂料系统。不幸的是,经过 50 多年的研究,尚不存在能够充分模拟所有涂料化学成分的自然老化条件的加速老化试验。然而,确实存在能够重现特定涂料化学成分在使用过程中老化性能的专门试验。此类试验是将多年的户外暴露试验结果与多年的加速老化试验结果相结合以产生相关性的最终结果。一旦为给定的涂料化学成分建立了相关性,该试验就成为该涂料化学成分的强大开发工具。但是,针对特定涂料化学成分量身定制的加速老化试验并不一定适用于其他涂料化学成分。事实上,将专门的耐候性测试视为通用测试会导致代价高昂的错误。因此,涂料供应商及其客户在采用新涂料化学成分或甚至看似微小的配方变化时都犹豫不决,因为这些变化可能影响到涂料的耐候性。
摘要 茶树(Camellia sinensis)广泛种植在酸性土壤中,铝(Al)毒性被认为是限制植物生长的主要因素。与大多数植物物种不同,茶树具有耐铝性并能积累高水平的铝。了解茶树耐铝性和积累的机制可能有助于改良茶树栽培和开发耐铝作物。在本综述中,我们总结了茶树对铝的吸收、运输和积累的最新进展,以及影响这些过程的遗传和环境因素。我们进一步重点介绍了基于组学方法对茶树铝的最新研究,包括转录组学、蛋白质组学、代谢组学、离子组学和微生物组学。我们提出了未来研究的前景,这将有助于阐明茶树耐铝性和积累的机制。
• VID V62/23607-01XE • 抗辐射 – 单粒子闩锁 (SEL) 在 125°C 时可抵抗 43 MeV- cm2/mg – ELDRS 无影响至 30krad(Si) – 每晶圆批次的总电离剂量 (TID) RLAT 高达 30krad(Si) – TID 特征值高达 30krad(Si) – 单粒子瞬变 (SET) 特征值高达 43 MeV-cm2 /mg • 电源范围:+8V 至 +22V • 集成断电和过压保护 – 过压和断电保护高达 +60V – 冷备用能力高达 +60V – 可调节故障阈值 (V FP ) 从 3V 到电源 – 中断标志反馈指示故障通道 – 非故障通道继续以低漏电流运行 • 闩锁免疫结构 • 精密性能,源极关断漏电流(最大值)为 ±4.5nA,关断电容为 4pF • 航天增强型塑料 – 工作温度范围为 –55°C 至 +125°C – 受控基线 – 金线和 NiPdAu 引线涂层 – 一个装配和测试站点 – 一个制造站点 – 延长产品生命周期 – 产品可追溯性 – 增强型模塑料,具有低释气性 • 小型、行业标准 TSSOP-20 封装
[1] https://www.whitehouse.gov/briefing-room/statement-releases/2022/05/04/national-security-memorandum-on-promotim-on-promotim-promotit------------------------------ https://csrc.nist.gov/news/2023/three-draft-for-for-post-post-quantum-cryptography [3] https://www.whitehouse.gov/wp-content/uploads/2023/06/m-23-18-administration-cybersecurity-priorities-for-the-the-for-the-fy-2025-budget-budget-s.pdf
作者:Azizi Shalbaf,Elnaz; Mian,Nabira Ashfaq; Sohaib,Muhammad Numair辅导员:Kirsi-Mari Kallio审查员:Helena Forslund术语:VT21主题:业务流程控制和供应CHANAGAMENT级别:Master's Level Code代码:5FE04E 5FE0
摘要 在 DRAM 和 SRAM 等深亚微米存储器中,准确感测位线电压变得非常具有挑战性,因为制造工艺的固有变化导致晶体管特性失配,这带来了严重的挑战,导致电路故障和产量下降。本文解决了这些问题,并将补偿方案应用于各种感测放大器的原理图,从而对工艺引起的变化具有很高的容忍度。使用 DGFinFET 设计的原理图利用增强的自补偿技术来克服物理晶体管特性的差异。使用蒙特卡罗技术重建晶体管失配(阈值电压,V t ),表明即使在 40-50mV 的严重 V t 失配下,所提出的 CCLSA 原理图也能正确运行。将这些结果与文献中报道的相应电路进行了速度、面积和产量的比较。与未补偿的设计相比,该设计还提供了高达 20-30% 的产量,并且降低了电路和性能的复杂性。这些电路在 45nm 和 32nm 技术节点上很容易实现。关键词:补偿、工艺变化、DRAM、FinFET 感测放大器、稳健性