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World File Search System抗蚀
优化绝缘体薄膜的双层剥离抗蚀剂工艺
利用 5G 延迟优势实现的 VCSEL 应用部署可以通过使用商业化技术来遵循行业发展时钟速度而受益。[1] 根据功率输出，VCSEL 器件可以根据沉积材料厚度和结构进行大致分类。[2] 本研究量化了与参考金属化膜铝最相关的双层结构特征，以便有效使用。它基于这些发现探索了成功使用常见金属氧化物绝缘体 (SiO 2 / Al 2 O 3 ) 双层处理所需的多元优化，各向同性溅射沉积厚度为 100nm 至 250nm。提出了一个表征关键变量的模型。此外，它还介绍了一种新的高温双层工艺，使用负像抗蚀剂，能够在高温绝缘体沉积期间保持稳定性。本研究确定了制造成功双层的尺寸目标，用于溅射绝缘体，适用于工艺优化，以促进不断发展的 III-V 应用。介绍
具有 5 纳米图案化能力的高抗蚀刻性含二茂铁嵌段共聚物
1.引言在摩尔定律的驱动下，半个多世纪以来半导体产业一直致力于缩小特征尺寸。最近，13.5 纳米极紫外光刻 (EUVL) 技术已经应用于 5 纳米节点 HVM。由于目前 0.33 NA 的限制，EUVL 无法分辨小于 13 纳米线/线距的特征。与 EUVL 相比，定向自组装 (DSA) 表现出高达 5 纳米 L/S 的极精细分辨率，被视为亚 10 纳米甚至亚 5 纳米特征尺寸的潜在图案化技术[1-9]。最近，含金属 EUV 光刻胶已被开发用于提高超薄 EUV 光刻胶膜的抗蚀刻性[10，11]。最近，我们的研究小组报道了一系列具有氟化嵌段的 BCP，经过中等温度下 1 分钟的热退火后迅速形成亚 5 纳米域[12，13]。我们假设氟化侧链对超精细分辨率和图案化速度起着关键作用。然而，由于薄膜超薄，抗蚀刻性是 5 纳米以下 DSA 材料的主要问题。
E 241 调查论文：文献中关于抗蚀剂回流的经验和分析研究的总结
因此，给定最终宽度和曲率半径 R，就可以预先确定所需光刻胶的高度。该模型假设光刻胶和基板之间的临界接触角没有影响，并为近似回流光刻胶形状提供了一个起点。参考文献 2 将临界角作为次要约束，并发现对于 S1818 光刻胶，其对回流温度（120 到 170°C 之间）的依赖性大约为 y = -0.2431x + 48.344。参考文献 3（配套论文）研究了 3 种描述光刻胶形状的分析模型。模型 A 使用 Sheridan 等人提出的 4 阶多项式模型；这与模型 B（“总和模型”）和模型 C（“乘积”模型）进行了比较，后两者均使用 4 阶多项式来捕捉与球形概念的偏差。使用边界条件计算系数，包括：面积、中心高度、边缘=0 和临界角。