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利用 5G 延迟优势实现的 VCSEL 应用部署可以通过使用商业化技术来遵循行业发展时钟速度而受益。[1] 根据功率输出，VCSEL 器件可以根据沉积材料厚度和结构进行大致分类。[2] 本研究量化了与参考金属化膜铝最相关的双层结构特征，以便有效使用。它基于这些发现探索了成功使用常见金属氧化物绝缘体 (SiO 2 / Al 2 O 3 ) 双层处理所需的多元优化，各向同性溅射沉积厚度为 100nm 至 250nm。提出了一个表征关键变量的模型。此外，它还介绍了一种新的高温双层工艺，使用负像抗蚀剂，能够在高温绝缘体沉积期间保持稳定性。本研究确定了制造成功双层的尺寸目标，用于溅射绝缘体，适用于工艺优化，以促进不断发展的 III-V 应用。介绍
优化绝缘体薄膜的双层剥离抗蚀剂工艺
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