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![俄乌冲突对中美关系的影响论析[1]](/simg/8\842d07fba6139976495298fd174063d5d4fa2031.webp)
马里乌斯·安德烈·奥拉里乌
相关论文选登： 1. (JOURNAL1) M. Olariu、A. Arcire，用于呼吸分析目的的富勒烯 C60 的甲烷和氢气传感特性，IAŞI 理工学院公报，第 64 卷（68），第 3 期，页。 107-119，2018，电工部分。活力。电子学 2. Olariu Marius、Arcire Alexandru，基于交叉指型微电极几何形状变化提高介电泳阵列电操作能力，DOI：10.1109/ICEPE.2016.7781298，电子版 ISBN：978-1-5090-6129-7，pg。 37-41，第九届国际电气和电力工程会议暨博览会，EPE 2016 INSPEC 接入号：16525883 3. Baluta, G.，Olariu M.，BLDC 电力驱动系统闭环控制和无传感器控制的数值模拟，2014 年，EPE 2014 - 2014 年国际电气和电力工程会议暨博览会论文集，文章编号 6970047，第 927-932 页，ISBN：978-1-4799-5849-8 接入号：WOS：000353565300173 4. (REVISTA2) Cetiner, S.; Olariu，M.；新奥尔良，卡亚； Aradoaei S, 聚（丙烯腈-共-丙烯酸）-聚吡咯复合材料的热刺激放电电流，2013 年 3 月，Key Engineering Materials 543:154-158，DOI：10.4028/www.scientific.net/KEM.543.154 接入号：WOS:000319023100038 5. Scarlatache, V.-A.、Olariu, M.、Ursache, S.、Ciobanu, RC、Pasquale, Mb，铁磁粉末增强纳米复合聚合物基质的磁损耗和介电损耗，2012 年，文章编号 6463940，第 125-128 页，2012 年，ISBN：978-1-4673-1172-4； 978-1-4673-1173-1，第七届国际电气和电力工程会议和博览会，EPE 2012 接入号：WOS:000324685300026 6.（JOURNAL3）山羊。 A、Coisson A、Fiorillo、Kabos P、Manu OM、Olivetti A、Olariu MA、Pasquale M、Scarlatache VA、聚合物键合氧化铁纳米粒子的微波行为，IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS 卷：48 期：11 页：3394-3397 DOI：10.1109/TMAG.2012.2200462 出版日期：2012 年 11 月，影响因子 = 1,467
教授乌穆特托帕尔 - 特拉布宗
教授UMUT TOPAL 个人信息办公室电话：+90 462 377 8426 电子邮件：utopal@ktu.edu.tr 网址：https://avesis.ktu.edu.tr//utopal 地址：卡拉德尼兹技术大学，技术学院，特拉布宗土木工程系国际研究人员 ID ORCID：0000-0003-0298-3795 Publons / Web Of Science ResearcherID：AAW-5374-2020 Yoksis 研究人员 ID：133814 教育信息 博士学位，卡拉德尼兹技术大学，-，土木工程，土耳其 2003 - 2009 研究生，卡拉德尼兹技术大学，-，土木工程，土耳其 2000 - 2003 本科，耶尔德尼兹技术大学，土木工程学院，土木工程，土耳其 1994 - 1998 研究领域固体力学、土木工程、机械、结构力学、建筑动力学、建筑稳定性、工程与技术 学术头衔/任务 副教授，黑海技术大学，-，土木工程，2011 - 继续 讲师 博士，黑海技术大学，-，土木工程，2009 - 2011 讲师，黑海技术大学，-，土木工程，2006 - 2009 研究助理，黑海技术大学，-，土木工程，2000 - 2003 学术和管理经验 黑海技术大学，2011 - 继续 发表的期刊文章被 SCI、SSCI 和 AHCI 索引 I. 一种用于加筋压电层压复合材料板屈曲优化的新方法 Goodarzimehr V.，TOPAL U.，Fotovat MB JOURNAL OF COMPOSITE MATERIALS，第 58 卷，第 28 期，第 2975-2991 页，2024 （SCI 扩展）II.使用 bonobo 优化算法对不同非均匀边缘载荷下的带椭圆孔层压复合材料板的屈曲载荷进行优化 Shaterzadeh A.、TOPAL U.、Hadad V.、Das AK 先进材料与结构力学，2024（SCI 扩展版）
印度管理学院菩提伽耶乌鲁维拉分校，...
招聘规则 (RoR)、薪资和职位简介 1. 首席行政官（正式/合同）– UR（1）级别 – 12 薪资等级：78,800-2,09,200 卢比 入职薪资：78,800 卢比 年龄上限：50 岁 资格：必需：任何专业的研究生学位，成绩至少为（55％）或工程专业毕业生，并拥有管理学学位/文凭。（MBA 优先）。期望：熟练操作计算机（MS Windows 和 MS Office）和互联网。应具有出色的英语口头和书面交流能力。应精通人事管理，具有出色的人际交往能力。经验：至少 15 年相关经验，包括至少 5 年 11 级经验或 10 年 10 级及以上经验，担任中央/州政府组织/国有企业/大学/自治机构/中央/资助机构/认可大学/全国知名私立高等教育机构的管理职位/行政单位负责人。在 IIM、IIT、IISER 等知名机构工作经验者优先。职位简介：
乌司奴单抗：Stelara®；韦兹拉纳™；塞拉迪™；皮茨奇瓦
− 着色性干皮病 − 其他罕见的光敏性遗传性皮肤病（例如毛发硫营养不良、科凯恩综合征、布卢姆综合征、罗斯蒙德-汤姆森综合征）（仅限 UVB） − 与皮肤癌风险增加相关的遗传性疾病（例如戈林综合征、眼皮肤白化病）（仅限 UVB） − 怀孕或哺乳（仅限 PUVA） − 红斑狼疮 − 有以下病史之一：光敏性疾病（例如慢性光化性皮炎、日光性荨麻疹）、黑色素瘤、非黑色素瘤皮肤癌、大面积日光损伤（仅限 PUVA）、砷或电离辐射治疗 − 器官移植患者的免疫抑制（仅限 UVB） − 光敏药物（仅限 PUVA） − 严重的肝脏、肾脏或心脏疾病（仅限 PUVA） − 年龄小于 12 岁（仅限 PUVA） −解剖位置被认为不适合进行光疗（即面部、生殖器、头皮或指甲）注意：无法进行光疗的患者将根据具体情况进行审查
科尔内利乌·马里乌斯·克拉丘内斯库
出生日期和地点：1960 年 7 月 25 日，罗马尼亚蒂米什瓦拉。国籍：罗马尼亚 公民身份：罗马尼亚人 联系方式：蒂米什瓦拉理工大学机械工程学院材料与制造工程系，Bd。 Mihai Viteazul 1, 300026 蒂米什瓦拉罗马尼亚；电话：+40-256-403655；传真：+40-256-403523；电子邮件：craciunescucm@yahoo.com, corneliu.craciunescu@upt.ro a) 教育/文凭
在美国俄勒冈州乌马提拉河盆地的历史和预计干旱的表征和传播※
气候变化预计会对俄勒冈州的干旱和野火风险产生长期影响，因为夏天继续变得更加温暖和干燥。本文调查了俄勒冈州东北部乌马提拉河流域的干旱特征和干旱繁殖的预计变化，以期为本世纪中叶（2030- 2059年）和本世纪末（2070- 2099年）的气候场景。使用从十个气候模型，土壤和水评估工具中的缩小的CMIP5气候数据集确定了预计气候的干旱特征，以模拟对水文过程的影响。短期（三个月）的干旱特征（频率，持续时间和严重性）使用四个干旱指数，包括标准化降水指数（SPI-3），标准降水 - 疏水 - 蒸发指数（SPEI-3），标准化的流量流量指数（SSI-3）和标准化的土壤水分水分Index（SSSMI-3）。结果表明，短期气象干旱预计变得更加普遍，SPI-3干旱事件的频率高达20％。短期水文干旱预计会变得更加频繁（SSI-3干旱事件的频率平均增加了11％），更严重且持续时间更长（短期干旱平均增加了8％）。同样，短期农业干旱预计会变得更加频繁（SSMI-3干旱事件的频率平均增加了28％），但未来持续时间略短（平均减少4％）。从历史上看，从气象到水文干旱的干旱繁殖时间比大多数亚巴丁斯的气象到农业干旱的繁殖时间短。对于预计的气候场景，干旱繁殖时间的减少可能会强调盆地供水的时机和能力以进行灌溉和其他用途。
乌迪内大学 - UNIUD
在过去十年中，石墨烯因其独特的电气特性（如高电子迁移率和高饱和速度 [1]）而备受关注。遗憾的是，由于没有带隙，石墨烯不适合数字电路应用。在模拟 RF 电路中，传统的 MOSFET 结构（如石墨烯场效应晶体管 (GFET)）能够达到约 400 GHz 的截止频率 (f T ) [2]，但输出特性的非饱和行为 [3] 导致重要 RF 性能指标的下降，因为固有电压增益 A V = g m / g ds 。出于这个原因，最近提出了新的基于石墨烯的晶体管概念，如石墨烯基晶体管 (GBT, [4])，利用通过薄电介质的量子隧穿，如热电子晶体管 (HET, [5])。GBT 由垂直结构组成（图1 中的插图），其中石墨烯片用作控制电极，即基极 (B)，位于图1 中的 x = 0 处。基极通过发射极-基极和基极-集电极绝缘体（分别为 EBI 和 BCI）与金属或半导体发射极 (E) 和金属集电极 (C) 隔开 [4]。在正常运行中（即正基极-发射极偏压，V BE > 0 和正集电极-基极偏压，V CB > 0），电子隧穿 EBI，垂直于石墨烯片 (GR) 穿过基极，然后沿着图1 中的 x 方向漂移穿过 BCI 的导带 (CB)。尽管其单原子厚度，