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World File Search System掺杂剂
磷端基聚合物对硅的掺杂
半导体技术依赖于通过在半导体基质材料的晶格中控制引入替代杂质（掺杂）来调整基板的电性能的能力，以便调整其电子、光学和/或磁性。1 然而，目前的原位掺杂策略不能轻易扩展到纳米级。随着半导体器件的尺寸缩小到纳米级，半导体内单个原子的标准随机分布变得至关重要，因为均匀掺杂分布的假设不再成立。2,3 目前，科学界正在努力开发一种新技术，以展示纳米级半导体结构的确定性掺杂。传统的掺杂技术主要基于离子注入，即用高能含掺杂剂的离子轰击目标半导体，随后使用高温热处理诱导离子替换晶格中的原子。 1 该技术的主要优势在于可以独立控制半导体主体内的掺杂剂量和杂质原子的深度分布。这种方法已被广泛探索，并已成为微电子领域的主力，因为它可以保证大面积的出色掺杂均匀性。
SF6分解气体吸附的第一原理研究...
在气体绝缘开关设备（GIS）中检测SF 6绝缘气体分解成分对于评估GIS操作状态和确保设备安全至关重要。在这项研究中，我们使用密度功能理论（DFT）计算探索了SF 6主要分解产物（SO 2，SOF 2和SO 2 F 2）的吸附。研究了PTN 3 -GN表面上三个吸附气体的吸附结构，能量和电荷转移。气体吸附结果表明，PTN 3 -GN对于这些气体分子具有较高的吸附能力，并且吸附能分别为-2.55，-2.54和-3.54 eV。探索气体分子与PTN 3 -GN结构之间的相互作用机制，比较和分析气体吸附之前和之后系统状态的总和和部分密度。PTN 3 -GN与气体分子强烈相互作用，导致PT掺杂剂和气体分子之间的高轨道杂交。PTN 3 -GN对于气体分子具有良好的吸附性能，并且在GIS分解成分检测和故障诊断中具有良好的应用前景。
研究了用臭氧前体形成的ALD膜的结构和电性能
摘要：ALD薄片的持续发展需要持续的改进，并改变适合不同实际应用的量身定制特性的材料。臭氧最近被确定为前体，比晚期介电薄膜ALDS中的替代氧化前体具有不同的优势。本研究报告了使用O 3源的氧化铝（Al 2 O 3）和Hafnia（HFO 2）形成，并比较获得的结构和电性能。与水基薄膜相比，对臭氧基材料进行的结构检查证明具有较低的空缺水平。增强的结构特性还导致有问题通过整体层掺入不同的掺杂剂。此外，对使用ALD Gate介电的MIS结构的电特性分析表明，基于臭氧的胶片的质量和良好的绝缘性能得到了改善。然而，需要用臭氧进一步优化ALD技术，因为相对较低的相对介电性表征了超细膜。
无限层PRNIO2+δ...
对无限层镍酸盐的研究已经揭示了一个破裂的翻译对称性，这对其根部引起了浓厚的兴趣，与超导性的关系以及与丘比特的电荷顺序的比较。在这项研究中，在无限层Prnio 2+ 𝛿薄膜上进行了谐振X射线散射测量。与PR𝑀5共振在依赖能量，温度和局部对称性的pr𝑀5共振相比，Ni𝐿3吸收边缘在Ni𝐿3吸收边缘处的超晶格反射的显着差异。这些差异指出了两个不同的电荷顺序，尽管它们具有相同的平面内波vector。鉴于在不完全降低的prnio 2+膜中观察到谐振反射，这些差异可能与多余的氧气掺杂剂有关。此外，方位角分析表明，氧配体在Ni𝐿3共振下揭示的电荷调制中可能起关键作用。
纳米材料和生物结构的消化杂志卷。 19，第2号，2024年4月至6月，第2页。 641-648关于“ mg”的观察结果
Vivekanandha妇女技术学院，Elayampalayam，Tiruchengode，Tiruchkal-637205，印度泰米尔纳德邦，B*物理学系，Vivekanandha妇女工程学院，妇女（Autayampalayam），Elayampalayam，tiruchegode，namakkal-63372205 Chemistry, Vivekanandha College of Engineering for Wom- en(Autonomous),Elayampalayam, Tiruchengode, Namakkal-637205, Tamilnadu, India d Department of Physics, Mahendra Arts and Science College.Kalippatti, Tiru- chengodu, Namakkal–637501, Tamil Nadu, India The present work involves in the synthesis and使用微波的高屈服照射技术的原始和“ Mg”相关的WO 3 .H 2 O纳米粉末的表征。衍射模式存在分阶段的正晶相，即使在退火过程后也保留。在样品的形态行为中发现了纯和掺杂样品的明确证据。在能量值方面，光学性质的变化揭示了掺杂剂在360 nm波长蓝移位时的贡献。在退火样品上获得的磁性行为揭示了向超级传导应用的过渡态向磁管状态进行磁态。（2024年1月22日收到； 2024年4月18日接受）关键词：含量氧化物，掺杂剂，超导体，纳米材料，辐射1。引言超导性是零电阻的现象，已彻底改变了各种领域，例如能量传输，磁性悬浮和高速计算。为了支持这一点，纳米颗粒聚焦在具有相应较大表面积的各个专业区域。氧化钨（WO₃）纳米颗粒由于其独特的电子和结构特性而引起了极大的关注，作为超导应用的有希望的材料。近年来，研究人员探索了各种合成方法，以增强WO纳米颗粒（包括掺杂和新型制造技术）的超导性能。通过系统地研究WO纳米颗粒的微波辅助合成和掺杂，该研究旨在为各种应用的高级超导材料的开发做出贡献。各种研究的观察结果和结果可能集中在基于氧化物的超导设备的设计和优化上，因此，它将通过理解实用有效的当前当前超导技术来进一步引导。截至日期，具有高表面能量的纳米颗粒涉及广泛的应用。ex：催化，窗户技术，食品工业，化妆品和医疗[1]。尤其是水合的钨氧化物最近聚焦于窗户的发展[2]，催化[3]，发光[4]和化学，生物和气体传感器[5]。多态性和氧缺陷为各种应用提供了这种材料。此外，用于许多应用，样品相对于尺寸纳米水平的相应物理和化学特性。*通讯作者：kcrbphy@gmail.com https://doi.org/10.15251/djnb.2024.192.641
具有相干自旋控制的单个碳化硅色心的 Purcell 增强
摘要：碳化硅最近被开发为光学可寻址自旋缺陷的平台。特别是，4H 多型体中的中性双空位显示出光学可寻址的自旋 1 基态和近红外光发射。在这里，我们展示了耦合到光子晶体腔的单个中性双空位的 Purcell 增强。我们利用纳米光刻技术和掺杂剂选择性光电化学蚀刻的组合来产生质量因子超过 5000 的悬浮腔。随后与单个双空位的耦合导致 Purcell 因子约为 50，表现为零声子线的光致发光增加和激发态寿命缩短。此外，我们测量了腔纳米结构内双空位基态自旋的相干控制，并通过动态解耦证明了扩展的相干性。这种自旋腔系统代表了使用碳化硅的可扩展长距离纠缠协议的进步，该协议需要来自空间分离的单个量子比特的不可区分光子的干涉。关键词：碳化硅、双空位、单自旋缺陷、珀塞尔增强、相干自旋控制、光子晶体腔
带有C <...
在新兴互联网（IoT）设备生态系统中使用的巨大潜力，其中多个设备节点与云网络系统共享信息。[1-4]印刷有机电子可以使用新型的构造来实现电子功能的质量产生和整合。[5-10]特别是，有机场效应晶体管（OFET）被视为在物联网中心发现的综合逻辑电路中的关键电子元件。[11,12]具有低压操作（<5 V）的高性能OFET和电荷迁移率超出了无定形硅（0.5-1 cm 2 V –1 S –1）。[13–21]成功的商业化还需要在基板上的许多设备上进行空间均匀的设备性能，包括特征和环境稳定性的可重复性。通常，设备性能在很大程度上取决于材料正常和电极，介电和半导体之间的界面。已经报道了各种改善绩效的策略，例如通过有理分子设计开发新材料，通过热/溶剂退火和添加剂控制形态，形态学控制，用p-/n-掺杂剂和互面剂掺杂分子掺杂，以及界面
电编程的掺杂梯度优化了共轭聚合物的热电功率因子
功能分级的材料（FGM）在无机热电学的背景下被广泛探索，但尚未在有机热电学中进行。在这里，研究了掺杂梯度对化学掺杂共轭聚合物的热电特性的影响。柜台的平面漂移用于中等电场中，用于在由寡聚侧链的聚噻吩中创建侧向掺杂梯度，并用2,3,5,5,6-Tetra-fuoro-tetra-tetra-fuoro-tetrace-tetrachachacyanoquinainoimeneimetimethane（f 4 tcnq）（F 4 TCNQ）。拉曼显微镜表明，在50μm宽的通道上的偏置电压仅为5 V，足以触发反逆漂移，从而导致掺杂梯度。分级通道的有效电导率随偏置电压降低，而观察到Seebeck系数的总体增加，可产生高达八倍的功率因数。动力学蒙特卡洛模拟分级纤维的模拟解释了在高电导率下，在高电导率下seebeck系数的掷骰，以及由于高掺杂剂浓度下的库仑散射而增加的迁移率。因此，发现FGM概念是提高尚未最佳掺杂的有机半导体的热电性能的一种方式，这可以减轻新材料的筛选以及设备的制造。
关于聚苯胺（PANI）金属氧化物纳米复合材料的合成和表征的综述
1物理部，政府理工学院，Sorab-577426，印度卡纳塔克邦2物理学2，斯里尼瓦萨大学，斯里尼瓦萨大学，穆克卡，穆克卡，芒格洛尔，卡纳塔克州，印度，印度，印度卡纳塔克州，作者的作者。 Ferdinand Runge于1834年首次发现。PANI金属氧化物复合材料可以在酸性培养基中使用化学和电化学氧化聚合合成。苯胺化学聚合使用最广泛使用的启动器或氧化剂。合成的PANI复合材料对XRD进行了XRD，以了解结构修饰。紫外可见的研究表明，光学特性和介电研究显示了掺杂剂的电导率变化。关键字：导电聚合物，纳米复合材料，XRD 1。介绍数十年来，科学和研究的世界被导电聚合物的非凡电气和电子特性所吸引。这些奇迹材料，也称为本质上导电聚合物（ICP），无视塑料等传统绝缘子设定的期望。与它们的绝缘型物体不同，ICP具有出色的传导能力，其行为类似于金属或半导体[1]。这增强了各种领域的潜在应用。导电聚合物的电导率是一个频谱，涵盖了从半导体到金属的范围。这取决于特定的聚合物及其掺杂水平。进行聚合物的处理可能性与其性质一样多样化。兴奋剂是涉及将电子供体或受体引入聚合物链中的过程，它是微调这些材料的电气，光学甚至机械性能的魔术旋钮。从膜和纤维到管，这些多功能材料可以使用化学合成，电化学聚合和旋转涂层等技术制成各种形式[2-3]。这为它们集成到广泛的应用中，尤其是在灵活电子产品领域中打开了大门。在大量的ICP，聚乙炔（PA），多吡咯（PPY），聚噻吩（PTH）和聚苯胺（PANI）中，这些名称经常宽容研究论文并对未来持巨大希望。他们可以彻底改变诸如储能，太阳能电池，微电器设备，传感器甚至光电小工具等区域。聚苯胺（PANI）自1980年代以来，半硬杆聚合物以其出色的电导率和令人印象深刻的机械性能吸引了研究人员[4-5]。当用酸或其他药物掺杂时，其导电性能可用于电子应用。取决于所选的掺杂剂和氧化状态，可以调整其电导率甚至颜色，使其准备适应各种需求。与其同伴ICP相比，Pani拥有额外的魅力 - 其弹性。它对温度和光等环境因素表现出令人钦佩的抵抗力，使其成为现实世界应用的实用选择[6-7]。
用于能量存储和转换的生物衍生纳米材料
与前体相比，植物的繁殖速度较慢，因此自组装方法不是植物衍生材料的典型方法。宏观生物质在其他方面具有优势，富含碳和氮、硫和磷等杂原子，在热处理时可提供一定水平的固有掺杂。来自生物质的杂原子掺杂有利于调节所得碳的电化学性质。然而，由于生物质衍生材料的性质，掺杂剂和无机杂质的化学计量和精确水平可能在大量可用选项中变化。进一步开发更精确地控制固有掺杂剂和矿物质水平的方法很有意思。在过去的几十年里，科学家和工程师们从大自然中寻找灵感来解决与能源相关的问题。例如，某些生物质的自然结构可能对材料的逻辑设计特别有用。例如，木材的各向异性性质可能有助于开发具有不同特性的材料，这些特性取决于加工时纹理的方向。将生物质转化为生物衍生的纳米材料用于能量存储和转换应用对于废弃物尤其有吸引力。开发将大量废弃物转化为有用产品的方法对社会大有裨益，可用于减少废弃物、碳封存和能源相关应用。利用废料可以实现巨大的商业化前景和可行性。通过简单地碳化生物质，纳米碳的合成只需一步而不是两步，并且合成后不需要去除任何模板。[5 ] 这对于可扩展性尤其有用，因为将生物质转化为碳需要很高的能量，因此有必要减少处理步骤并使用低成本前体。此外，生物学起点多种多样，导致对这些材料的研究相当广泛；因此，进行综述对于推动该领域的进一步研究发展非常重要。生物衍生的纳米材料可以直接或间接地从病毒、细菌、真菌、原生生物、植物和动物中制备。 [ 2–4,18,28,35,36,46–49,56,63–73,80–95 ] 不同模板所具有的不同结构具有独特的特性，可改善所合成材料的性能。[ 6 ] 对各种应用进行分类以及对这些来源所生产材料的结构特征进行分析，对于理解每种前体可能适用于哪些类型的应用起着重要作用。由于起始物质种类繁多，每种生物质前体的结构不同，因此可能的纳米结构种类繁多。即使在真菌中，也可能存在截然不同的结构；霉菌往往形成称为菌丝的分枝丝状结构，而酵母可能