EPC9144 开发板主要用于驱动激光二极管,其高电流脉冲总脉冲宽度短至 1.2 ns,电流高达 28 A。该板是围绕 EPC2216 增强型 (eGaN®) 场效应晶体管 (FET) 设计的。EPC2216 是一款符合 AEC-Q101 汽车标准的 15 V FET,能够产生高达 28 A 的电流脉冲。EPC9144 随附 EPC9989 插入器板。EPC9989 是一组可分离的 5 mm x 5 mm 方形插入器 PCB,具有用于不同激光器、RF 连接器的占用空间,以及一组用于试验不同负载的其他占用空间。使用插入器可以安装许多不同的激光器或其他负载,同时仍可以使用 EPC9144。激光二极管或其他负载不包括在内,必须由用户提供。
摘要 - 在过去几年中,高端移动应用程序处理器(APS)开发了Interposer Package-on-package(POP)技术,并且在过去几年中一直在非常大量的生产中。这是由于其优质包装设计灵活性,可控的包装经(25°C)和高温(260°C)的优势,减少的组装制造周期时间和芯片持久的组装制造供应。迄今为止,层压板基室间的插入器流行已被用于具有非常大量生产的高端移动AP。最近,这种插入器流行设计面临着一些技术限制,包括需要减少顶部和底部路由层厚度,铜(CU)微量线/空间以及下一代移动APS的大小。这些减少可能需要超薄包装Z-Height和高带宽底部和顶部路由层。为了应对这些挑战,已经设计和演示了具有高密度风扇外(HDFO)重新分布层(RDL)路由层的新插入器流行。这是实现具有高带宽和改善信号完整性/功率完整性(SI/PI)路由层的超薄包装Z高,插座式流行结构的计划的一部分。本文将讨论使用HDFO RDL路由层上的插入器流行的包装级特征,以及根据JEDEC进行的Z-Height评估,Z-Height评估,依赖温度依赖的软件包WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE测量测试。
一种有前途的方法来提高今天和明天的高度复杂系统的产量,就是将系统分配到“ chiplets” [1]中。将集成这些芯片以形成整体系统。取决于物理配置,存在两种类型的chiplet集成:2.5-d interposer和3D堆叠。2.5-D集成已成为一种吸引人的选择,因为它允许在具有不同技术节点(异质集成)的插入器上集成多个现成的芯片或智力属性(IPS)。在2.5-D中,芯片在插头包装的顶部并排放置,如图1(a)所示。此外,它们是通过被动间插座底物上的重新分布层(RDL)连接的,该金属层在chiplet之间提供侧向连接,并从外部源分布功率。常见的插入器包装材料是硅,有机和玻璃。
由ESA支持的Serma微电子学很高兴地宣布,欧洲和整个欧洲和万维世界太空社区提供的欧洲大学制造业和组装或重新组装服务。除了高可靠性之外,这种技术的主要优势是,成本影响降低,计划合规性以及通过用加强的铜SNPB列代替插入器来重复某些旧设备的可能性。
摘要 - 本文展示了一种下一代高性能3D包装技术,其外形较小,出色的电性能以及异质整合的可靠性。高密度逻辑记忆集成主要是使用插入器建造的,这些插入器从根本上受到限制的组装螺距和互连长度有限,并且随着包装尺寸的增加,它们也具有范围。另一方面,高频应用继续使用层压板,这些层压板也受到包装大小和集成许多组件的能力的限制。Wafer级风扇外(WLFO)包装承诺以较低的成本以较低的成本进行更好的表现和外形,但是当前的WLFO包装是基于模具的,因此仅限于小包装。本文提出了使用玻璃面板嵌入(GPE)的3D包装技术,以实现高性能,并具有大型体型异质整合应用的潜力。玻璃热膨胀的可量身定制系数允许大型GPE包装的可靠直接板连接,这不仅使外形速度和信号速度有益,而且还为动力传递提供了根本的好处。与插入器和硅桥不同,GPE软件包不是颠簸限制的,并且可以支持与后端的I/O密度,而硅状的重新分布接线则以较低的成本为单位。本文描述了3D GPE的制造过程,从而在40- m m i/o处使用芯片嵌入具有300- m m音高的TGV的芯片,从而导致技术的固定,从而启用双层RDL和芯片,以实现三个级别的设备集成。通过参数过程改进来解决当前有机WLFO包装等基本限制,以及较差的尺寸稳定性,以将模具转移降低到<2 m m,同时还可以改善3D包装的粉丝范围内的RDL表面平面性,以改善高产量的细线结构,并通过玻璃(TGV通过玻璃(TGV)集成)。
摘要 - 与硅相比,与2.5D异质整合的令人信服的选择已成为令人信服的选择。它允许以低成本直接安装在顶部的嵌入式模具与传统的翻转芯片模具之间的3D堆叠配置。此外,玻璃中的互连螺距和通过玻璃(TGV)直径与硅中的对应物相当。在这项研究中,我们研究了玻璃间插座提供的3D堆叠的功率,性能,面积(PPA),信号完整性(SI)和功率完整性(PI)优势(PI)优点。我们的研究采用了chiplet/封装共同设计方法,从RISC-V chiplets的RTL描述到最终的图形数据系统(GDS)布局,利用TSMC 28NM用于chiplets和Georgia Tech的Interposer的Georgia Tech的3D玻璃包装。与硅相比,玻璃插入器的面积降低了2.6倍,电线长度降低了21倍,全芯片功耗降低了17.72%,信号完整性增加了64.7%,功率完整性提高了10倍,热量增加了35%。此外,我们通过3D硅技术提供了详细的比较分析。它不仅突出了玻璃插入器的竞争优势,而且还为每个设计的潜在局限性和优化机会提供了重要的见解。
在洛杉矶。在2023 - 4年,他担任美国商务部的任务,担任国家高级包装制造计划的主任,在那里他为国家包装命令制定了基础战略。他是异质整合和性能缩放中心(UCLA芯片)的创始主任。在此之前,他是IBM研究员。他的主要技术贡献是开发了世界上第一个SIGE基础HBT,盐盐,电气保险丝,嵌入式DRAM和45NM Technology节点,用于使第一代真正的低功率便携式设备以及第一个商业插入器和第一个商业插入器和3D集成产品。自加入UCLA以来,他一直在探索新的包装范式和设备创新,这些范式可能会启用晶圆尺度架构,内存模拟计算和医学工程应用程序。他是IEEE,APS,IMAPS和NAI的院士,也是IEEE EDS和EPS的杰出讲师。他是IIT孟买的杰出校友,并于2012年获得了IEEE DANIEL NOBLE奖章,并获得了2020年IMAPS Daniel C. Hughes Jr Memorial Award和2021年IMAPS杰出教育家奖。艾耶教授也是班加罗尔IISC的Makrishna Rao访问主教教授。