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摘要 - 在过去几年中，高端移动应用程序处理器（APS）开发了Interposer Package-on-package（POP）技术，并且在过去几年中一直在非常大量的生产中。这是由于其优质包装设计灵活性，可控的包装经（25°C）和高温（260°C）的优势，减少的组装制造周期时间和芯片持久的组装制造供应。迄今为止，层压板基室间的插入器流行已被用于具有非常大量生产的高端移动AP。最近，这种插入器流行设计面临着一些技术限制，包括需要减少顶部和底部路由层厚度，铜（CU）微量线/空间以及下一代移动APS的大小。这些减少可能需要超薄包装Z-Height和高带宽底部和顶部路由层。为了应对这些挑战，已经设计和演示了具有高密度风扇外（HDFO）重新分布层（RDL）路由层的新插入器流行。这是实现具有高带宽和改善信号完整性/功率完整性（SI/PI）路由层的超薄包装Z高，插座式流行结构的计划的一部分。本文将讨论使用HDFO RDL路由层上的插入器流行的包装级特征，以及根据JEDEC进行的Z-Height评估，Z-Height评估，依赖温度依赖的软件包WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE测量测试。
chip-last HDFO（高密度扇出）间插座pop
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