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茎特征:茎样品是通过直接转移方法制备的。首先,将TEM网格(Quantifoil Cu网格)直接放在带有MOTE 2丝带的SIO 2基板上。然后将液压(3μL)的KOH溶液(25%)滴在TEM网格的边缘,并扩散到该网格的底面,以蚀刻SIO 2层。之后,将带有TEM网格的SIO 2基材滴入DI水中以去除KOH残留物。最后,将TEM网格用镊子夹住,并放在滤纸上干燥。茎图像是在配备了高级茎校正器(ASCOR)探针校正器的一个像差校正的JEOL ARM-200F上进行的,该探针校正器以80 kV的加速电压运行。

无光刻的高密度Mote2纳米替宾阵列

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