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euv抗材料在启用高量制造（HVM）的高级光刻技术方面起着至关重要的作用，该技术针对低于5 nm的节点。在这项研究中，我们报告了对未来高NA EUV光刻术的可用EUV光孔师的广泛性能表征。，我们使用Paul Scherrer Institute和ASML合作的框架内使用EUV干扰光源工具（SLS）在瑞士光源（SLS）上调查了各种抵抗的性能。本文强调了我们在2023年观察到的主要改进，并提出了最佳性能的6种不同供应商的半票（HP）14及以下。本研究中考虑的重要性能特征是分辨率或HP，剂量到大小（DTS）和线宽度粗糙度（LWR）。为了评估抵抗的整体绩效，我们使用了z因子。我们研究了化学放大的抵抗（CAR）和非车材料。来自两个供应商的汽车达到了一个低至11 nm的分辨率，而多触发器抵抗（MTR）达到了13 nm的分辨率。新的金属有机抗（MOR）的分辨率低至11 nm。MTR和一辆汽车材料达到了迄今为止最低的Z因子。此外，我们研究了卧式对MOR性能的影响，并将新MOR的性能与前身进行了比较。，我们最终讨论了近年来抵抗性能的总体进展。我们观察到了几个抗性平台的稳定改善，这对于全球EUV抗性向高NA EUVL的发展令人鼓舞。
高NA光刻
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