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ே[1]，可以通过缩短光源的波长，改善数值孔径Na并减少过程组合参数来实现光刻的分辨率比。duvl和euvl是光刻技术的两种主要类型。DUVL包括浸入式DUVL和干型DUVL。浸入式DUVL使用ARF作为其光源，其暴露波长为134nm。及其相应的Na为1.35。最先进的沉浸式DUVL可以在7NM技术模式下以及光刻方法的创新使用。将镜头和晶圆之间的空间浸入液体中。液体的反射指数大于1，因此激光的实际波长将大大减少。纯化的水是最常用的，反射指数为1.44。ASML生产了Twinscannxt：2000i在2018年，这是最新一代的Immersion Duvl。其光源的波长为193nm，它的分辨率比将其提高到38nm，并将线宽度降低到7〜5nm。它可用于产生300毫米晶圆。覆盖精度是两个光刻过程之间模式的注册准确性，该图案基于Pauta标准（3σ标准），并影响产品的产量，Twinscannxt：2000i的覆盖精度为1.9nm。它可以每小时生产275块晶圆。干型DUVL还使用ARF作为其照明源，波长仅限于193nm。，其Na为0.93。EUVL的波长仅为13.5nm，其Na为0.33。euvl在生产期间具有明显的优势，复杂性twinscannxt：1460k是最新一代的干duvl，在65nm技术模式下用于半导体市场的基本末端，可生产300毫米晶圆，具有205 WPH的生产率。euvl不需要多次曝光，它只能通过一次暴露才能实现精致的模式。
光刻技术和机器的开发
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