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摘要：随着摩尔定律的不断推进，芯片设计以稳定的速度不断缩小，芯片制造也竞相跟上。通过光刻硬件和软件的进步，我们现在已进入领先芯片代工厂的个位数纳米设计节点领域。本文将回顾逆向光刻技术 (ILT)，它是光刻的首选计算方法。事实上，光刻掩模是第一个超表面，并且仍然是最重要的超表面，经济地用于内存芯片、存储器和微处理器。此外，光刻掩模设计师是光学数学优化的早期采用者，他们创建了 ILT，指定预期的晶圆图案和指标，并使用水平集、函数导数和伴随的数学机制来驱动掩模设计过程。
主要关键词
