机构名称：
¥ 1.0
光学光刻技术包括将特定图案从光学掩模转移到沉积在基板上的感光聚合物（通常称为光刻胶）上（Levinson，2005；Mack，2007；Xiao，2012）。因此，第一个主要步骤是沉积均匀的薄膜。这是通过旋涂工艺实现的（Luurtsema，1997）。将少量材料倒入基板中心。然后高速旋转基板，通过离心力将涂层材料摊开。图 1 表示了该过程的示意图。然后，经过热烘烤工艺后，基板通过光学掩模暴露于紫外光源下，以将图案从掩模转移到光刻胶上。曝光会导致光刻胶发生化学变化，当样品浸入溶液深处（称为显影剂）时，可以去除曝光的光刻胶（正片光刻）或未曝光的光刻胶（负片光刻）。通过控制掩模版和光刻胶之间的距离来实现最大分辨率
通过光刻工艺去除边缘珠
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