XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System施主
浅施主电子顺磁共振分析
我们通过电子顺磁共振（EPR）光谱研究了n型Si掺杂-Ga 2 O 3块体样品的传导机制，并证明了室温下GHz频率范围内的载流子动力学。Si浅施主EPR和传导电子自旋共振（CESR）光谱表现出不寻常的线宽和线形温度依赖性，这表明了可变范围的跳跃传导和施主聚集。EPR信号强度的温度依赖性可以用40K以下和40K以上温度范围内能量为4meV和40meV的两个热激活过程来拟合。40meV的值归因于Si浅施主的电离能，表明跳跃通过导带进行。在T=130K以上和室温以下，可以观察到传导电子自旋共振（CESR），线宽B<1G减小，这表明自旋翻转散射可忽略不计。为了说明 Ga 2 O 3 中浅施主的异常行为，我们分析了 ZnO 中的氢浅施主，我们观察到了不同的“经典”行为，其特点是施主在 40K 以下定位，在 T=90K 以上导带中发生热电离。在 ZnO 中，由于高温下谱线过度增宽，因此只能在 90K 的小温度范围内观察到 CESR。
通过控制衬底偏离角来改善垂直 GaN-on-GaN 功率开关器件的晶圆级均匀性
2 法政大学 关键词：GaN-on-GaN、肖特基势垒二极管、均匀性、光致发光、功率器件 摘要 为了大规模生产 GaN-on-GaN 垂直功率器件，n 漂移层在 10 15 cm 3 范围内的净施主浓度 ND NA 的晶圆级均匀性是一个重要因素，因为它决定了击穿电压 VB 。在本研究中，我们通过控制 GaN 衬底的偏角展示了 GaN 肖特基势垒二极管晶圆级均匀性的改善。通过 MOVPE 在具有各种偏角和偏差的独立 GaN 衬底上生长外延结构。使用电容电压测量（C V）、光致发光（PL）和二次离子质谱（SIMS）仔细分析了 ND NA 的变化。与碳有关的NA变化导致了NDNA的不均匀性，而这与晶圆的衬底偏角有关。通过最小化偏角的变化可以提高NDNA的均匀性。引言在GaN衬底上制造的垂直结构GaN功率开关器件对于高效功率转换系统很有前景，因为这些器件提供极低的导通电阻（R on）和高击穿电压（VB）[1-3]。减少对器件成品率和可靠性致命的致命缺陷是一个重要问题。GaN-on-GaN二极管初始故障机理已有报道[4]，其中具有外延坑的二极管在非常低的反向电压下表现出严重击穿。此外，最近有报道称表面粗糙度会影响可靠性[5]。在使用金属有机 (MO) 源引入碳 (C) 杂质时，n 漂移层中的净施主浓度必须控制在 10 15 cm3 范围内才能获得高 VB [6]。通过低施主含量，可以在负偏置条件下抑制 pn 或肖特基界面处的峰值电场 [7, 8]。然而，关于垂直 GaN-on-GaN 器件中净施主浓度的晶圆级均匀性的报道很少。
故事
通过传统冶金法（在熔体中生长的过程）和核嬗变法（硅同位素在捕获热中子的过程中发生变化）研究了掺杂磷的n型硅晶体。嬗变合金化与冶金合金化方法的根本区别在于，合金杂质不是从外部引入到源材料中，而是在辐照过程中直接从被合金材料的原子中形成的。为了退火辐射缺陷并激活磷-31原子（该原子在硅块中仅在晶格位置表现出施主特性），先对嬗变掺杂的硅进行 850°C 温度下 2 小时的技术退火，然后再进行热处理并以不同的速率进一步冷却。揭示了热退火时间和从退火温度到室温的冷却速度对通过熔体掺杂和核嬗变方法掺杂的n-Si〈P〉晶体的结构和电物理特性变化的影响。经过 2 小时的高温退火以及随后的快速冷却后，检测到了嬗变掺杂 Si 晶体中出现位错。研究发现，无论采用何种磷掺杂方法，对Si样品进行72小时的高温退火，均能在慢速和快速冷却过程中促进深施主中心的产生，并显著降低载流子的浓度。
特殊活动通行证申请 - 关岛安德森空军基地
为了确保您的客人获准进入基地，必须在活动开始前 5-7 个工作日在 36 SFS Pass & ID /Bldg 2403 处理此请求。周一至周五 0800-1600、366-5650/51/52/53 或 36sfs.vcc@us.af.mil 联系 Pass & ID 以检查您的请求状态。所有 16 岁及以上的客人都必须列在此请求中，并提供完整的出生日期，才能获得基地访问权限。16 岁以上的客人必须提供完整的社会保障号码。在进入基地之前，将对所有客人进行背景调查。没有例外。请求者对在 AAFB 物业内的所有客人负责。客人将直接通过设施主门前往活动地点。不遵守可能会导致护送违规。批准无人陪同进入并不代表允许游客参观该设施。违反者将受到适当处理。
静电掺杂的概念及相关装置
静电掺杂旨在用超薄 MOS 结构中栅极诱导的自由电子/空穴电荷取代施主/受主掺杂剂种类。高掺杂的 N + /P + 端子和虚拟 PN 结可以在未掺杂层中模拟，从而促进具有丰富功能的创新可重构设备。其独特优点是载流子浓度和极性（即静电掺杂）可通过栅极偏置进行调整。在介绍基础知识之后，我们将回顾采用新兴或成熟技术（纳米线、纳米管、2D 材料、FD-SOI）制造的静电掺杂设备系列。通过强调与传统物理二极管的区别，讨论了 Hocus Pocus 二极管的多个方面。静电掺杂产生了许多具有出色记忆性和锐切换能力的频带调制设备。详细描述了其概念、内在机制和典型应用。
卫生与社会服务部
6。我们报告了两（2）个COVID-19死亡。一名来自Oshakati地区的84岁女性于2022年6月14日在医疗机构去世。死者未接种疫苗。一名来自Nyangana区的81岁女性于2022年6月12日在主场死亡。死者未接种疫苗。7。到2022年6月14日，总共470038岁及以上的人已收到一剂COVID-19-19-19疫苗，占目标人群的32.0％（1 471 973）。总共147 612次接收了约翰逊和约翰逊疫苗，而264 136名成年人也接受了两种其他疫苗类型。因此，411 748名成年人已经完成了疫苗接种，转化为目标人群的28.0％。8。总共有一百二十八名（128）个人收到了一个分支机构V疫苗之一，而76（76）已收到了相同的疫苗中的两种。因此，总共管理了24（204）剂的施主V剂量。这包含在上面的大总数中。9。12-17岁的23,000千名（23 400）儿童接受了一剂辉瑞疫苗，占目标人群的8.0％（307 298）。，十一千八百五十一（11 851）已完全疫苗接种。因此，成人和儿童的COVID-19疫苗接种疫苗接种的累积人数为493 438，其中423 599已完全疫苗接种，转化为目标总数的24.0％（1779 271）。10。七万四百三十四（70 434）的人已经接受了19次疫苗助推剂量。在表4、5、6、7和8中介绍了疫苗接种的细节。
钛引起的化学不均匀性对晶体的影响...
摘要：调整宽带隙 β - Ga 2 O 3 的光学和电子特性对于充分利用该材料在电子、光学和光电子领域现有和新兴技术应用中的潜力至关重要。在本研究中，我们报告了 Ti 掺杂剂不溶性驱动的化学不均匀性对 Ga 2 O 3 多晶化合物的结构、形态、化学键合、电子结构和带隙红移特性的影响。采用传统的高温固相反应路线在可变的煅烧温度（1050 − 1250 ° C）下合成了 Ga 2 − 2 x Ti x O 3（GTO；0 ≤ x ≤ 0.20）化合物，烧结温度为 1350 ° C。GTO 样品的 X 射线衍射分析表明，仅在非常低的 Ti 掺杂浓度（<5 at. %）下才会形成单相化合物，而较高的 Ti 掺杂会导致形成复合材料，其中含有大量未溶解的 TiO 2 金红石相。然而，在烧结样品中，未溶解的金红石相的一部分转化为单斜 TiO 2。 Rietveld 对本征 Ga 2 O 3 和单相 Ti 掺杂化合物（x = 0.05）进行细化，证实样品在具有 C 2/m 空间群的单斜对称性中稳定存在。样品的表面形貌表明，本征 Ga 2 O 3 呈现棒状形貌，而 Ti 掺杂化合物呈现球形形貌。此外，在具有异常晶粒生长的掺杂化合物中，与本征 Ga 2 O 3 相比，可以注意到晶格孪生引起的条纹。Ga 2p 的高分辨率 X 射线光电子能谱分析显示，由于相邻离子的电子云之间的相互作用，与金属 Ga 相比发生了正向偏移。由于 Coster − Kronig 效应，Ti 2p 1/2 光谱显示出异常增宽。采用混合密度泛函理论的第一性原理计算表明，Ti 优先取代八面体 Ga 位点，并在 Ga 2 O 3 中表现为深层施主。从光吸收光谱可以看出，光学带隙发生了红移。Ga 2 O 3 带隙内的吸收归因于未溶解的 TiO 2 的夹杂，因为 TiO 2 在 Ga 2 O 3 带隙内具有 I 型排列。此外，还研究了 GTO 化合物的电催化行为。从电催化研究中可以明显看出，与本征 Ga 2 O 3 相比，掺杂化合物表现出明显的电催化活性。
第61届俄亥俄州初级科学与人文学科...
w rom c apital u niversity的p rovost是我的荣幸，欢迎您参加61 St Ohio Junior Science and Wanumantium！JSHS的资金由美国陆军研究办公室，美国海军研究办公室和美国空军研究办公室提供。至48个区域座谈会，JSHS将整个美国的学生，波多黎各和欧洲和太平洋的国防部学校汇集在一起。今天的活动展示了俄亥俄州一些最有才华的科学，技术，工程和数学学生，以庆祝他们所完成的工作。通过他们的研究项目，学生演示者展示了他们在高中教室内外获得的技能和知识。将选择来自每个区域JSHS计划的两名学生决赛入围者和三名代表参加国家JSHS，该国民JSHS将于2024年5月1日至4日在弗吉尼亚州弗吉尼亚海滩举行。您今天将看到的演讲是在敬业导师的指导下进行数小时工作的结果。我向指导这些才华横溢的学生的老师，科学家和家庭成员表示感谢。您与这些学生的工作为从事科学，技术，工程和数学从事职业的人提供了机会。您愿意培养年轻科学家，工程师和数学家的利益。祝贺您的辛勤工作和成功。JSHS计划是由俄亥俄州本地人George F. Leist上校创立的。感谢您加入我们的活动！真诚的，乔迪·S·弗尼尔（Jody S.感谢您抽出宝贵的时间，并在这个充满挑战的世界中努力支持俄亥俄州的学生与导师，老师和学者世界不懈地合作的俄亥俄州学生，为我们带来了一大批研究的研究水平，这些研究具有巨大的潜力，从而影响了我们的世界。我特别谦虚地，在这个不确定性的时代，学生和导师也许更有动力地遵循他们的研究追求，我们很高兴有机会庆祝这些成就。我希望每个学生都对自己的成就感到有价值和充满信心，并且导师会感到支持，并与志趣相投的同龄人找到丰富的合作和友情。家庭，我们还向您提供了一个个人的欢迎，可以向我们的校园提供一个，鼓励您在这里感到舒适，并可以随意与您已经带来的学生一起留下回忆。1958年俄罗斯卫星卫星施主尼克（Sputnik）上校发起了初级科学与人文专题讨论会，为中学生。从1958年的第一次研讨会到2024年的61 ST，俄亥俄州初级科学与人文专题讨论会继续促进高标准和促进研究，并成为一种有益的教育经验。现在，STEM教育对我们的州，国家和星球至关重要。真诚的，卡门·迪克森（Carmen Dixon）教育助理教授