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我们通过电子顺磁共振（EPR）光谱研究了n型Si掺杂-Ga 2 O 3块体样品的传导机制，并证明了室温下GHz频率范围内的载流子动力学。Si浅施主EPR和传导电子自旋共振（CESR）光谱表现出不寻常的线宽和线形温度依赖性，这表明了可变范围的跳跃传导和施主聚集。EPR信号强度的温度依赖性可以用40K以下和40K以上温度范围内能量为4meV和40meV的两个热激活过程来拟合。40meV的值归因于Si浅施主的电离能，表明跳跃通过导带进行。在T=130K以上和室温以下，可以观察到传导电子自旋共振（CESR），线宽B<1G减小，这表明自旋翻转散射可忽略不计。为了说明 Ga 2 O 3 中浅施主的异常行为，我们分析了 ZnO 中的氢浅施主，我们观察到了不同的“经典”行为，其特点是施主在 40K 以下定位，在 T=90K 以上导带中发生热电离。在 ZnO 中，由于高温下谱线过度增宽，因此只能在 90K 的小温度范围内观察到 CESR。
浅施主电子顺磁共振分析
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