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World File Search System晶硅
低温共晶硅
1.量子计算与量子信息。MA Nielsen 和 IL Chuang，剑桥大学出版社 2. Ciaran Hughes、Joshua Isaacson、Anastatsia Perry、Ranbel F. Sun、Jessica Turner，“量子计算的量子好奇者”，Springer，2021 3. Maria Schuld 和 Francesco Petruccione，“使用量子计算机进行机器学习”，第二版，Springer，2021 4. Maria Schuld 和 Francesco Petruccione，“使用量子计算机进行监督学习”，Springer，2018 5. Peter Wittek，“量子机器学习——量子计算对数据挖掘意味着什么”，爱思唯尔。 7. Michael A. Nielsen 和 Issac L. Chuang，“量子计算与信息”，剑桥，2002 年 8. Mikio Nakahara 和 Tetsuo Ohmi，“量子计算”，CRC Press，2008 年 9. N. David Mermin，“量子计算机科学”，剑桥，2007 年 10. https://qiskit.org/
接触蚀刻停止 a-SixNy：H 层：单多晶硅闪存数据保留的关键因素
氮化硅 a-Si x N y :H 接触蚀刻停止层通过作用于初始电荷损失现象，强烈影响单多晶硅非挥发性存储器中的数据保留性能。其改进需要通过实验设计方法分析流入等离子体增强化学气相沉积工艺参数。a-Si x N y :H 物理电学分析指出，必须避免富含硅的成分，尤其是其界面层，以减少 a-Si x N y :H 电荷量，从而提高数据保留率。事实上，a-Si x N y :H 靠近浮栅，其电荷调制可以充当寄生存储器，通过电容效应屏蔽浮栅中存储的电荷。© 2009 美国真空学会。DOI：10.1116/1.3071846
对多晶硅垂直薄膜晶体管的电特性的深入分析
hal是一个多学科的开放访问档案，用于存款和传播科学研究文件，无论它们是否已发表。这些文件可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
将超薄单晶硅膜从绝缘体上硅转移到聚合物上
本研究报告了聚合物上硅 (SOP) 的制造。它描述了将直径为 200 毫米的硅薄膜从绝缘体上硅 (SOI) 衬底转移到柔性聚合物的过程。单晶硅膜的厚度小于 200 纳米，转移是通过使用粘合聚合物将 SOI 晶片粘合到临时硅载体上来实现的。研究了转移的各种参数：堆叠的粘附性、粘合温度、临时载体和 Si 膜厚度。通过机械研磨和化学蚀刻去除衬底和 SOI 埋层氧化物。将 Si 薄膜固定在柔性胶带上，然后卸下临时载体。成功获得了由柔性聚合物 (230 µm) 上 20 至 205 nm 的薄 Si 膜组成的 SOP。可以转移直径为 200 毫米的全晶片或图案化晶片。关键词：纳米材料、单晶、硅、键合 1. 简介
多晶硅，一项分子动力学研究
我们如何利用经典的分子动力学模拟来模拟和分析控制多晶硅沉积参数对沉积多晶硅膜结构的影响的现象和机制。多晶硅膜的晶粒形状和大小、结晶度、晶粒边界结构和应力取决于生长温度、生长膜中的温度分布、沉积通量、通量变化以及由于沉积通量而传递到膜表面的能量。主要结果包括：（i）沉积的多晶硅薄膜的结晶度分布对应力、温度和沉积流不同参数的依赖性，（ii）沉积初期的生长模式，（iii）多晶硅薄膜沉积初期种子晶粒的相互作用和稳定性以及从孤立晶粒生长到多晶硅生长的过渡，（iv）不同硅相的温度、结晶度、晶体形状和热导率的相互作用，（v）描述了晶粒生长的四个不同阶段：成核、生长、消失和延迟。
通过脉冲激光软沉积 TCO 以获得高质量的超薄多晶硅钝化接触
本文探讨了脉冲激光沉积 (PLD) 透明导电氧化物 (TCO) 在高质量超薄多晶硅基钝化接触上的适用性。通过减小多晶硅层厚度，可以最大限度地减少多晶硅层引起的寄生吸收。然而，多晶硅触点上的 TCO 沉积（通常通过溅射）会导致严重的沉积损伤，并进一步加剧较薄多晶硅层（<20 纳米）的表面钝化。虽然可以使用高温（约 350 摄氏度）热处理来部分修复表面钝化质量，但由于在多晶硅/ITO 界面形成了寄生氧化层，接触电阻率严重增加。或者，我们表明 PLD TCO 可用于减轻超薄（约 10 纳米）多晶硅层的损伤。通过增加沉积压力可以进一步改善多晶硅触点钝化，同时通过在高质量超薄多晶硅（n+）触点上使用 PLD 掺杂铟的氧化锡 (ITO) 层可实现低触点电阻率（约 45 m Ω cm 2）和良好的热稳定性（高达 350 °C）。通过将 PLD ITO 膜的出色光电特性与 10 nm 薄多晶硅触点相结合，可以实现高度透明的正面触点。
签订半导体多晶硅事业合资协议（设立合资公司）...
我们正在投入管理资源来扩大我们的业务并促进国际扩张。此次合资项目正是这样的一项举措。预计今后随着半导体市场的扩大，多晶硅的需求也将增加，我们与OCI成立合资公司，构建利用清洁能源的半导体用多晶硅的生产和供应体制，在抑制二氧化碳排放量增加的同时，加速扩大电子领域的事业。
多晶硅中的压力诱导超导性...
高温超导体由于其在变革性技术应用方面的巨大潜力，一直处于科学探索的前沿。铜酸盐高温超导体 [1,2] 的突破性发现（通过掺杂具有强电子关联的莫特绝缘体可实现超导 [3,4]）在过去的几十年中激发了人们的无数努力，以揭示其机制并寻找更多具有高 T c 的超导家族。具有 Ni +（3 d 9 ）电子结构的镍酸盐与铜酸盐在结构和电子方面具有惊人的相似性，为发现新的高温超导体提供了一条诱人的途径。然而，直到 2019 年，无限层 Nd 1-x Sr x NiO 2 薄膜被发现具有 T c 约 9-15 K 的超导性 [5]，才在镍酸盐中实验实现超导。此后，人们致力于寻找更多具有更高 T c 的镍酸盐超导体 [6,7]。后来研究表明，在 12.1 GPa 下，Pr 0.82 Sr 0.18 NiO 2 薄膜的 T c 可以提高到 30 K 以上 [8]。然而，在镍酸盐薄膜中观察到的超导性在块体样品中不再出现 [9]。
通过辐照在非晶硅中制备的纳米粒子尺寸越小，越软……
“越小越软”是强度的逆尺寸依赖性，违背了“越小越强”的原则。它通常由表面介导的位移或扩散变形引起，主要存在于一些超小尺度（几十纳米以下）的金属材料中。在这里，利用离子束辐照的表面改性，我们在更大尺寸范围（< ∼ 500 纳米）的共价键、硬而脆的材料非晶硅（a-Si）中实现了“越小越软”。它表现为从准脆性破坏到均匀塑性变形的转变，以及在亚微米级范围内随着样品体积的减小而屈服应力的降低。提出了一个硬核/超塑性壳的分析模型来解释人为可控的尺寸相关软化。这种通过离子辐照的表面工程途径不仅对于调整小尺寸非晶硅或其他共价结合非晶态固体的强度和变形行为特别有用，而且对于非晶硅在微电子和微机电系统中的实用性也具有实际意义。© 2023 由 Elsevier Ltd 代表《材料科学与技术杂志》编辑部出版。