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具有电阻晶粒边界的材料中晶格热导率的系统高估
图 1：具有不同平均粒子/晶粒尺寸的 SiGe 合金和 Mg 3 Sb 2 样品的晶格热导率（按照传统方法计算）κ L ( κ total − LσT ) 与加权迁移率 µ W 12,14（推导方法见 SI）的关系。 （a）n 型（P 掺杂）和 p 型（B 掺杂）SiGe 在室温下均呈现正相关性。 （b）对于高温（573K）下的 Mg 3 Sb 2，电子不会被晶界明显散射，除最小晶粒尺寸样品外，加权迁移率相同。 相反，在低温（323K）下，随着晶粒尺寸的减小，µ W 显著降低，因此低 µ W 是晶粒边界电阻的良好指标。 κ L 随 µ W 降低而增加的趋势表明即使没有测量晶粒尺寸也存在晶界效应。
小麦蔗糖合酶基因tasus1是每个峰值晶粒数的决定因素
植物分子生理学的关键实验室，植物学研究所，中国科学院，北京100093，中国中国国家植物园，北京100093，c国家植物细胞的主要实验室 Sciences, Chinese Academy of Agricultural Sciences (CAAS), Beijing 100081, China e University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China f International Maize and Wheat Improvement Center (CIMMYT) China Office, c/o CAAS, Beijing 100081, China g CAS-JIC Centre of Excellence for Plant and Microbial Science (CEPAMS), Institute of Genetics and Developmental生物学，中国科学院，北京100101，中国植物分子生理学的关键实验室，植物学研究所，中国科学院，北京100093，中国中国国家植物园，北京100093，c国家植物细胞的主要实验室 Sciences, Chinese Academy of Agricultural Sciences (CAAS), Beijing 100081, China e University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China f International Maize and Wheat Improvement Center (CIMMYT) China Office, c/o CAAS, Beijing 100081, China g CAS-JIC Centre of Excellence for Plant and Microbial Science (CEPAMS), Institute of Genetics and Developmental生物学，中国科学院，北京100101，中国
GW2.1基因调节晶粒性状的靶向突变，并诱导大麦的产量损失
尽管目前正在探索SIC材料平台上几种新应用的开发，但仍被广泛认为是电力电子首选的材料。二维（2D）材料（例如石墨烯和钼二硫）（MOS 2）的整合提供了碳化硅（SIC）具有其他功能，从而可以扩大其应用范围。本文回顾了SIC上石墨烯和MOS 2的可扩展生长的最新方法，特别是在六边形多型上。还讨论了材料整合中的一些开放研究方向，例如使用外延石墨烯（Epi-Gr）作为van der waals（vdw）在SIC底物上的GAN或GA 2 O 3的外观上的相互膜，以及由epi-gr/SIC接口处的受封闭性外观的2D形式的GAN材料的生长。最后，提供了这些物质系统的最近提出的电子/光电应用的概述，特别是针对高频电子，量子计量，THZ和UV检测器的概述。这项工作可能是在这些开放研究方向上的硅碳化物社区的有用指南。
转速和进给速率对增材搅拌摩擦沉积6061铝合金组织和力学性能的影响
动态再结晶完成后，在附加塑性变形热的作用下，部分较大晶粒吞噬较小晶粒并融合为较大晶粒，导致晶粒长大。由于塑性变形热小于摩擦热输入，因此增加进给速率引起的晶粒尺寸增大较小。发生动态回复和连续动态再结晶，其特征是亚晶粒形成和大晶粒相变比例增加。随着应变的增加，大晶粒相变转变为大晶粒相变，大晶粒相变数量分数越大，表示再结晶程度越高。如图7所示，N0.1和NO.2的大晶粒相变数量分数大于NO.3，说明NO.1和NO.2的再结晶程度
Sb2S3 薄膜的晶粒工程可实现具有高开路电压的高效平面太阳能电池
Sb 2 S 3 是一种很有前途的环保半导体，可用于高性能太阳能电池。但是，与许多其他多晶材料一样，Sb 2 S 3 受到非辐射复合和晶界 (GB) 载流子散射的限制。这项工作表明，通过在 Sb 2 S 3 沉积的前体溶液中加入适量的 Ce 3 +，Sb 2 S 3 薄膜中的 GB 密度可以显著从 1068 ± 40 nm μ m − 2 降低到 327 ± 23 nm μ m − 2。通过对结构、形貌和光电特性的广泛表征，并辅以计算，我们发现一个关键因素是在 CdS/Sb 2 S 3 界面处形成一层超薄 Ce 2 S 3 层，这可以降低界面能并增加 Sb 2 S 3 和基底之间的粘附功，以促进 Sb 2 S 3 的异质成核，并促进横向晶粒生长。通过减少晶界和/或 CdS/Sb 2 S 3 异质界面的非辐射复合，以及改善异质结处的载流子传输特性，这项工作实现了高性能 Sb 2 S 3 太阳能电池，其功率转换效率达到 7.66%。开路电压 (V OC ) 达到了惊人的 796 mV，这是迄今为止报道的 Sb 2 S 3 太阳能电池的最高值。这项工作提供了一种同时调节 Sb 2 S 3 吸收膜的成核和生长的策略，以提高设备性能。
通过最新的创新方法增强可持续粮食安全和生物安全农业的基本晶粒产量
摘要：农业的关键关注点是如何养活扩大的人口并保护环境免受气候变化的不良影响。要养活不断增长的全球人口，食品生产和安全是重要的问题，因为粮食产出可能需要到2050年。因此，需要更具创新性和有效的方法来提高农业生产率（因此，粮食生产）才能满足对食物的不断增长的需求。世界上种植最广泛的谷物包括玉米，小麦和大米，它们是基础食品的基础。本综述着重于一些最新的方法，这些方法可以促进小麦，大米，玉米，大麦和燕麦的产量，并深入了解分子技术和遗传学如何提高对这些重要晶粒的生产和资源的使用。尽管红光管理和遗传操纵表现出最大的谷物产量增强，但其他涵盖的策略，包括细菌核管理，太阳能亮度，通过创新的农业系统面临非生物压力，肥料管理，有害的气体发电，减少有害的气体排放，减少光合作用，光合作用增强，耐受性的耐疾病，耐疾病的损害，并增强植物的损害，并提高植物的损害和增强植物的差异，并提高了差异。这项研究还讨论了被解决方法和可能的未来观点的潜在挑战。
线杂交大米，产量优质和谷物质量
研究GS3基因的敲除是否影响农艺性状，维护者GM1B和GM2B的主要相关农艺性状是表征和比较。特征在内，包括晶粒长度，晶粒宽度，晶粒长度与宽度的比率，圆锥花序长度，每个圆锥花序的晶粒数，每个圆锥花序的晶粒数，种子设定速率，1000粒度，有效的tiller数，有效的tiller数，在活动阶段，植物的高度，每工厂的植物高度和重量，并在图5和表3中显示了数据。结果的统计分析表明，GM1B和GM2B在分丁式数量，晶粒宽度和每个圆锥花序填充的晶粒数中没有显着差异，但是晶粒长度，1000晶粒重量和每个圆锥花序的晶粒数量分别增加了7.9％，7.7％，7.7％和25.5％。与GM1B相比，尽管GM2B的种子设定速率降低了13.6％，但其每工厂的重量显着增加了14.9％。每植物的谷物产量期限，在相应的CMS线（GM1A和
在定向能量沉积添加剂制造中对温度和谷物生长的快速模拟
摘要。在本文中，提出了定向能量沉积过程中晶粒生长的快速模拟。控制微观结构确实对于获得所需的宏观行为至关重要。我们对温度的快速宏观模拟进行了晶粒生长的占主导地位。所提出的方法重新提出了最新贡献的耦合：（i）DED中的温度模拟，（ii）基于定向的镶嵌更新方法的晶粒生长模型的介质模型，以及（iii）晶粒生长的晶粒晶粒生长模型。一般策略是在整个过程中计算温度场作为时间的函数。在本节目中未解决初始结晶，并引入了任意的初始微观结构以测试模型。计算了由于热循环而引起的晶粒结构的随机演变，并且在整个部分中都遵循了最终的晶粒结构统计。所提出的模型非常快地可以启用大零件的模拟，并且可以执行参数研究或优化循环以调整过程参数。
数字图像相关法用于增材制造 316L 薄壁变形模式的微观结构分析
在增材制造中，工艺参数直接影响材料的微观结构，从而影响所制造部件的机械性能。本文旨在通过在扫描电子显微镜 (SEM) 下结合高分辨率数字图像相关 (HR-DIC) 和电子背散射衍射 (EBSD) 图进行原位拉伸试验来表征局部微观结构响应，从而探索这种关系。所研究的样本是从通过定向能量沉积构建的双向打印单道厚度 316L 不锈钢壁中提取的。通过统计分析表征了晶粒的形态和晶体学纹理，并将其与该工艺的特定热流模式相关联。根据晶粒大小将其分为位于打印层内的大柱状晶粒和位于连续层之间界面的小等轴晶粒。原位拉伸实验的加载方向垂直于或沿打印方向进行，并展示不同的变形机制。对每个晶粒的平均变形的统计分析表明，对于沿构建方向的拉伸载荷，小晶粒的变形小于大晶粒。此外，HR-DIC 与 EBSD 图相结合显示，在没有单个或成簇的小晶粒的情况下，应变局部化位于层间界面处。对于沿打印方向的拉伸载荷，应变局部化存在
定向能量沉积制备 Ti6Al4V 凝固微观结构形成的确定性模型
金属增材制造（MAM）技术在制造与再制造行业中得到广泛应用，微观组织模拟逐渐凸显其重要性。传统的凝固微观组织模拟方法在MAM应用中都有其优缺点。本文建立了一种确定性凝固微观组织模型，即“侵入模型”，以避免传统方法的本质缺陷。该模型不模拟各个柱状晶粒的生长动力学或推导变量的场形式，而是关注相邻双晶之间的相互作用。在双晶系统中，晶界从热梯度方向的倾斜被理解为一个晶粒向另一个晶粒的瞬时侵入行为，而MAM形成过程中的竞争性晶粒生长行为则是双晶系统中所有侵入行为的总结。为了填补快速凝固理论的空白，利用人工神经网络（ANN）建立了快速定向凝固条件下各向异性生长效应的数据库。以采用线材送料定向能量沉积 (DED) 制备的具有完整树枝状柱状晶粒 (原始 β 晶粒) 的 Ti6Al4V 薄壁样品为基准，测试了新模拟模型的有效性。沿堆积方向重构的原始 β 晶粒的晶粒几何结构与模拟结果具有很好的一致性。在满足应用范围的情况下，该模型还可以应用于 MAM 的其他情况或与各种模型结合，以实现实时凝固晶体学特征预测。关键词：增材制造；微观结构；建模；凝固