3 另外,道具的展示顺序也是随机的。 4 由于10个项目中有4个被呈现,因此如果随机呈现,每个项目出现的次数可能会有所不同。因此,可以使用平衡的不完全区组设计(Louviere 和 Flynn,2010)来确保项目出现的频率相等。然而,由于本章的样本量非常大,达到 150,010(使用下面描述的计数方法),我们确定由于随机呈现而导致的出现次数差异很小。
电极| SE接口。3–5其中一些问题与SE在电极材料方面的电化学稳定性以及SE分解的相互作用的形成有关。如果可以形成稳定的固体电解质相(SEI),例如在常规锂离子细胞中石墨和优化的液体电解质之间的界面,这种初始不稳定不一定是一个问题。6 SE对碱金属的分解会导致形成其电子性能将决定其增长的相互作用的形成:7(a),如果大多数分解产物在电子上是电子上绝缘的,那么SEI的增长将最终停止,并且对电源的电源不可能(如果能够远离电源),则可能会影响电源的电源,如果它可能会影响电源,则该电源可能会造成电源的影响,如果是by的电源,则可以在电源范围内构成,而该障碍物是可以在电源上造成的,如果是by sei的范围,则可以在电源上造成,而该障碍物是可以在电源上造成的。混合离子电子传导(MIEC)之间的生长将不间断,直到消耗所有SE并发生短路。后一种相间类型对于具有持久性能的SSB不兼容。可以访问相间的化学组成对于确定产生哪种类型的相间以及是否在细胞中达到稳定性至关重要。X射线光电子光谱(XPS)是用于化学组成分析的出色表面表征技术。分析埋入界面的组成是一个挑战,因为XPS的深度分辨率有限。最近,已经开发了各种原地8-10和Operando技术11,12来解决此问题。XPS的深度分辨率有限,是由于测量的性质归因于收集光电子的收集,这些光电子在距离最初与原子核相距不远后从样品表面逸出,它们最初与它们最初界定的原子核(通常在10 nm内,在小于10 nm的范围内,用于由Alkα源激发的光电子,并经过Na的金属)。对于所有这些,其想法是使SE表面上的碱金属层足够薄,以使SE发射的光电子(可能是由于相互重点)穿过金属叠加层。为了产生碱金属层,一种技术包括将其从由相同的碱金属组成的计数器电极上镀在SE表面上,同时分析了相间产物Operando。11在这种情况下,可以从任何XPS仪器中存在的电子洪水枪向SE表面提供低能电子。尽管该技术已经证明了其表征相互作用组成的功效,但可以从中提取的信息程度(例如碱金属层的增长率行为)尚未得到充分理解。这项研究的目的是介绍可以从该操作方案中提取的信息深度。结果分为两种成对的文章(第一部分:实验;第二部分:理论13)。在第1部分中,研究了NASICON家族的SE表面上Na金属(Na 0)的电化学稳定性(Na 3.4 Zr 2 Si 2.4 P 0.6 O 12,进一步称为NZSP)。总的来说,这项工作介绍了一个了解增长的框架nzsp是因为其高离子电导率使其成为有前途的候选SE,14,但其对NA 0的稳定性仍在争论中。理论DFT计算预测Na 3 Zr 2 Si 2 PO 12(由Na 1 + X Zr 2 Si X Zr 2 Si X P 3-X O 12,0≤x≤3定义的NASICON组成空间的最接近的阶段是0 v在Na/Na +的Na/Na +应不稳定的Na/Na 2 ZROS na 2 ZRO和Na 2 ZRO 3,4 sRO 3,4 sRO 3,4 s sRO 3,4 s sRO 3)。15–17在Na 0 | Na 3 Zr 2 Si 2 PO 12也通过电化学阻抗光谱和前XPS研究在实验中提出。17,18本研究将区分两种Na 0 | NZSP接口:第一个是Na 0和抛光的NZSP(NZPS抛光)颗粒之间的接口;第二个是Na 0和As-Sinter的NZSP(NZSP AS)颗粒之间的接口。此比较旨在阐明NZSP表面化学对其对Na 0的稳定性的影响。的确,在我们小组的先前研究中确定了热处理促进在As-Sintered NZSP样品表面上形成薄的Na 3 PO 4层,当NZSP表面抛光时,该层可以去除。14 AS Na 3 PO 4是一个阶段,预测通过DFT计算对Na 0稳定,19该比较的目的是评估Na 3 PO 4作为自我形成的缓冲层的效率。对第一个实验部分的讨论着重于从XPS拟合模型中提取信息,以告知Na 0 | nzsp抛光和Na 0 | Na 0 | Na 3 PO 4 | NZSP接口的相间形成动力学。时间解析的电化学阻抗光谱(EIS)也被用来评估相互作用的离子电阻率。
第一章 报名预登记...................................................................................................................................................... 1
第 1 节 总则 ·············································································································· 109 第 2 节 空气管、溢流管和测深装置 ······························································ 130 第 3 节 海水吸入和舷外排放 ·· ...舱底和压载系统· ... ·· ... ·· ... ·· ... ·· ...
机电工程学者所作的世界级研究成果得到了不同方面的认可。根据斯坦福大学最近编制并于 2022 年 11 月发布的“标准化引文指标的科学范围作者数据库更新”,21 名机电工程学者(其中 12 名是现任机电工程成员)因其职业生涯引用影响力而跻身其主要学科领域中全球被引用次数最多的科学家前 2%。此外,另外 3 名现任机电工程学者也因其最近一年的单一影响力而入选。此外,张晓博士再次被列为理大 12 位被科睿唯安列入“高被引研究人员(2022 版)”名单的学者之一。该名单确定了全球最具影响力的学者,他们拥有出色的研究表现,这些学者发表的多篇高被引论文在各自领域的引用次数排名前 1%。机电工程同事积极参与研究合作,成功获得了多个合作研究项目。其中一项显著的成就是成立了高性能微/中尺度表面功能结构先进制造联合研究中心。我们通过与上海交通大学合作,在内地/大湾区科研资助计划下,为该中心争取到港币750万元的启动资金。此外,我们还与深圳大学、华南理工大学和香港城市大学开展了科技项目合作。此外,我们还与其他机构合作,成功获得了四项一般研究补助金。这些
入学要求 • STPM - CGPA 2.0(2 门科目满分通过,包括数学和 1 门科学科目) • A-Level - 3C,包括数学和 1 门科学科目 • SACE - 平均分 78,包括数学和 1 门科学科目 • UEC - 通过高等数学和 1 门科学科目并且通过英语 • Pre-U/Foundation/Matriculation - 通过相关领域认可的课程,并且 CGPA 2.0 • CPU - 6 门科目通过,平均分 72,包括数学和 1 门科学科目 • International Baccalaureate - 6 门科目通过,最低分数为 26/42,包括数学和 1 门科学科目 • Diploma - 通过,CGPA 2.0