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采用材料挤压法制造的具有不同浓度的功能梯度材料的拉伸和疲劳分析
本研究采用材料挤出 (MEX) 技术，特别是多材料单挤出系统，通过混合 PLA 和 TPU 材料来制造功能梯度材料 (FGM)。该过程引入了旨在增强材料界面的梯度过渡。在拉伸和疲劳载荷条件下，对一系列浓度模式（按体积计从 20% 到 80% 的 FGM）进行系统评估。在制造过程中，对实验参数进行细致的控制，包括应力水平、应力比和频率。表征过程需要对 FGM 界面进行比较分析。结果显示，无论材料浓度如何梯度变化，界面强度都有显著增强。这种增强在从较软到较硬的材料成分过渡期间尤为明显。本研究的主要目标有两个：阐明材料在拉伸-拉伸载荷情况下的行为，并全面了解 FGM 界面的复杂性。
巴布·巴纳拉西达斯大学，勒克瑙
>s lurncnt，I lnlroJut。：tion，剪切力和D�1h.l i ng剪切力和弯矩的微分方程，静定梁的剪切力和弯矩图。桁架：介绍，简单桁架和简单桁架的解决方案，截面法；接头法；如何确定构件是处于拉伸还是压缩状态；简单桁架；零力构件质心和惯性矩：介绍，平面，曲线，面积，体积和复合体的质心，平面面积的惯性矩，平行轴定理和垂直轴定理，复合体的惯性矩。运动学和动力学：线性运动、瞬时中心、达朗贝尔原理、刚体旋转、冲量和动量原理、功和能量原理。简单应力和应变：应力的定义、应力张量、轴向载荷构件的法向应力和剪应力、应力-应变关系、延性和脆性材料单轴载荷的应力-应变图、胡克定律、泊松比、剪应力、剪应变、刚度模量、弹性常数之间的关系。不同横截面构件的一维载荷、温度应力、应变能。
G1 / F1 GENERA。Mission 眼镜
桌面。清洁。自动化。G1/F1 将 GENERA 专用眼镜工作流程和自动化带到您的桌面。它使用经过验证的眼镜生产材料和基于盒的材料单元来储存树脂（数字醋酸纤维）。G1/F1 利用 GENERA 穿梭技术实现清洁安全的工作流程。F1 使用汞闪光灯在惰性气体中固化部件。镜框在两个专门设计用于与 IPA 安全使用的清洁槽中清洁。整个工作流程均采用 RFID 跟踪。材料单元与材料盒相结合，确保清洁和安全的处理。材料单元由 G1 自动打开并自动分配。集成的重涂器有助于混合树脂桶内的树脂，以确保一致的打印效果。树脂桶可以加热并跟踪低树脂水平以及薄膜的寿命。打印完成后，G1 自动将部件存放在穿梭机中。然后，F1 自动对框架进行后处理。
基于二维材料的晶体管，用于未来集成电路
硅互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术的缩放已达到 10 纳米以下技术节点，但进一步缩放越来越具有挑战性，因为器件的栅极静电要求大幅减少沟道厚度以保持所需的性能 1 。场效应晶体管 (FET) 的最终沟道厚度可能在 1 纳米以下范围内。但是，任何三维 (3D) 半导体晶体都无法轻易实现这一点，因为在沟道到电介质界面处电荷载流子的散射增加，导致迁移率严重下降 2 。二维 (2D) 半导体材料单层厚度约为 0.6 纳米，可以提供解决方案。这类材料包括过渡金属二硫属化物 (TMD)，其通式为 MX 2 ，其中 M 是过渡金属（例如，Mo 或 W），X 是硫属元素（例如，S、Se 或 Te）3 – 8。材料中没有悬空键也提供了实现更好的通道到电介质界面的潜力。基于机械剥离的单晶 2D 薄片的早期研究，以及基于大面积生长的合成 2D 单层的最新发展，都表明了 2D 晶体管的良好特性。然而，仍有许多挑战有待解决，这使得 2D FET 在未来超大规模集成 (VLSI) 技术中的应用潜力尚不明确。在本篇评论中，我们探讨了 2D FET 在未来集成电路中的发展。我们首先考虑大面积生长