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World File Search System材料缺乏
设计热处理以实现延展性先进...
热处理是一种显著改变材料性能的方法。当材料缺乏某些机械性能时，可以通过加热来改变其化学性能和微观结构。这有助于实现更好的屈服强度、延展性和韧性。本项目讨论了多种不同的热处理方法对几种材料的影响，以提高延展性和伸长率而不降低强度。所讨论的材料是高铝钢和 Strenx 700MC 钢，前者正在开发中，后者是市售钢。这些钢有望用作高延展性、高强度和第三代钢。热处理可以改变基础材料的机械性能，从而优化这些钢以用于垂直接入解决方案。
使用机器学习的道路事故严重性预测
今天，世界上每年发生了超过800万次大火，这些大火的主要部分，30-40％，即超过200万大火，与电力部门有关，在全球范围内约有3万人死亡。这主要是由于电缆绝缘材料缺乏防火和现有防火化合物的无效性。当然，今天有必要进行有关防止电缆中短路的研究，从而增加电缆绝缘的热阻力并将其充分定位。在全球电力部门的经验中，人们越来越多地注意火焰电缆，并确保建筑物和结构的消防安全仍然是紧急问题之一。降低聚合物的易燃性和易燃性程度并创建耐火（安全）材料是一个紧迫的问题，需要紧急解决方案，包括电缆行业。
准晶体：前所未见的第三种固体
自 19 世纪以来，人们就开始对物质进行研究，并长期将其分为我们熟悉的固、液、气三相。固体分为具有有序原子结构的晶体材料或具有无序原子结构、没有明确顺序的非晶体（无定形）材料。钻石是晶体材料的典型例子。其碳原子的有序排列使其成为世界上最坚硬的物质。玻璃是无定形材料的典型例子，由硅酸等成分随机聚集而成。多年来，这种固体概念一直是科学界不容置疑的常识。然而，1984 年，一篇论文突然报道了一种既不是晶体也不是无定形的材料，它在 Al-Mn（铝锰）合金中被发现，震惊了科学界。1 这种发现的材料缺乏晶体的有序重复模式，但仍表现出固定的结构有序度，因此被称为准晶体。
牙科复合材料的最新进展：评论
摘要---复合树脂在恢复性牙科中广泛使用。引入了这些材料，以克服汞合金修复材料的固有缺点。牙科汞合金是不可思议的和有毒的。早期的复合材料缺乏应承受咀嚼力的机械性能。已将各种填充颗粒添加到复合树脂中，以改善其物理和机械性能。填充的复合树脂具有较高的抗压强度，耐磨性，易于施用和高透明性。根据填充尺寸和形状，到目前为止已经开发了各种复合材料。本文是对多种类型的复合材料的评论，这些复合材料在技术上是为了修改其属性的技术。关键字---复合材料，可凝结的复合材料，纤维增强复合材料，填充剂，可流动复合材料，纳米复合材料，自粘合物。简介“美，微笑就是它的剑” -Charles Reade。，恢复性牙医一直非常感兴趣，可以通过使用材料来保留牙齿结构并恢复表面缺陷，从而使损失的形式和功能恢复了损失的形式和功能，并且美学也尽可能接近自然。发明
引线键合技术大辩论：球形键合与楔形键合
图 2：典型球/月牙互连的简化表示 自动引线键合机于 20 世纪 80 年代初推出。当时，大多数互连都是使用铝线制作的。随着对高可靠性需求的增加，金线变得更加普遍。随着封装密度的增加，引线互连键合间距减小。细间距的初始解决方案是楔形键合，因为楔形工具设计允许将引线紧密键合（并排）。 细间距互连 在更小的空间内封装更多元件的需求导致 ASIC 设计变得更加密集。人们曾认为，互连细间距封装的最佳方法是通过楔形键合。在 20 世纪 90 年代后期，典型的键合间距从约 110µm 减小到约 90µm。在此期间，平均楔形工具尖端大约是球键合毛细管工具尖端宽度的三分之一。毛细管材料缺乏支持细间距工艺的稳健性。从那时起，改进的材料使细间距设计成为可能，其中尖端尺寸小于 70µm 的情况并不罕见。更小的特征、更高的密度和更多的 I/O 需要细间距。在当今的细间距环境中，任何使用楔形键合机键合的设备都可以使用球焊设备更快地键合。图 3 和图 4 描绘了使用 1.0 mil 导线通过球焊互连的 55µm 细间距架构。
基于石墨烯材料在牙科中的含义
牙科健康至关重要，因为口腔条件对人们的健康和生活质量产生了很大影响（Lamster，2021）。但根据世界卫生组织（WHO）的说法，全球70％以上的人口在2016年遭受了疾病（Gordon and Donoff，2016年； Lamster，2021年）。2021年举行的世界卫生组织第74届世界卫生大会重点关注口腔健康（Lamster，2021年）。最常见的牙齿摩擦性疾病是龋齿，牙周问题，缺失的牙齿和口腔恶性肿瘤（Li等，2022）。如今，保持清洁牙齿的清洁可能具有挑战性。尽管已经采用了许多不同的技术和策略，但仍没有针对口腔问题的完美治疗方法。通过使用广泛的生物材料来改善这些方法。通过创伤，感染或肿瘤带来的组织变性是牙科场中最常见的条件之一，尤其是骨变性（Liu等，2020）。现在旨在修复组织问题的许多举措。牙科组织需要更长的时间才能休养，因为牙髓再生很慢并且纸浆再生很难。肺泡骨愈合也具有合理的活跃和快速（Liu等，2020）。组织工程的发展被广泛认为是一种卓越的治疗策略，需要使用脚手架。大部分可商购的生物材料缺乏当今骨骼再生所需的骨诱导特性（Wu等，2017）。因此，必须找到用于骨愈合的骨诱导生物材料。由于其许多好处，牙科植入物经常用于替代牙科区域中缺失的牙齿。被广泛认识到Ossecletration代表牙科植入物成功的巅峰。牙科植入物材料历史上是由钛及其合金制成的，因为它们具有较高的生物相容性和机械性能。
超快相干 THz 晶格动力学与范德华反铁磁体 FePS 3中的自旋耦合
少原子层薄材料 [1–3] 的合成引发了大规模研究的火花，旨在操控其宏观特性。最近，二维磁有序材料也已生成。[4–7] 这些化合物的长程磁序似乎极易受到晶格畸变的影响，这是因为磁各向异性在稳定二维磁体中的长程有序方面发挥了作用。[8] 通过各种机制超快产生声子已被证明是在基本时间尺度上驱动和控制块体磁体自旋动力学的有力工具。[9–14] 这种途径也适用于范德华二维材料晶体，最近在铁磁 CrI 3 晶体中发现动态自旋晶格耦合就证明了这一点。 [15] 从自旋电子学角度来看，二维反铁磁体与铁磁体相比具有几个基本优势。主要优势在于基态更稳定，磁共振频率在 THz 范围内，比铁磁体高几个数量级。至关重要的是，反铁磁磁子与声子的耦合处于光学声子的能量范围内，这导致了最近有关二维反铁磁材料中杂化磁子-声子准粒子的报道。[16–20] 因此，光驱动的集体晶格模式具有在二维反铁磁体中光学控制长程磁序的潜力，这是基于已证实的可能性，即使光子能量远离其本征频率，也可以完全相干地驱动此类模式[21,22]，也基于它们与磁子的强耦合。在此背景下，过渡金属三硫属磷酸盐（MPX3，其中M = Ni、Fe、Mn、... 和X = S、Se）代表了一类有趣的范德华反铁磁体。[23–26] 虽然据报道在独立的 NiPS3 块体单晶中 [27] 可以产生光学磁振子，但这种材料缺乏可扩展性到二维极限。事实上，实验证明，NiPS3 的单原子层在磁排序上与 MnPS3 [28] 和 FePS3 [25] 并无不同。
超快相干 THz 晶格动力学与范德华反铁磁体 FePS3 中的自旋耦合
少原子层薄材料 [1–3] 的合成引发了大规模研究的火花，旨在操控其宏观特性。最近，二维磁有序材料也已生成。[4–7] 这些化合物的长程磁序似乎极易受到晶格畸变的影响，这是因为磁各向异性在稳定二维磁体中的长程有序方面发挥了作用。[8] 通过各种机制超快产生声子已被证明是在基本时间尺度上驱动和控制块体磁体自旋动力学的有力工具。[9–14] 这种途径也适用于范德华二维材料晶体，最近在铁磁 CrI 3 晶体中发现动态自旋晶格耦合就证明了这一点。 [15] 从自旋电子学角度来看，二维反铁磁体与铁磁体相比具有几个基本优势。主要优势在于基态更稳定，磁共振频率在 THz 范围内，比铁磁体高几个数量级。至关重要的是，反铁磁磁子与声子的耦合处于光学声子的能量范围内，这导致了最近有关二维反铁磁材料中杂化磁子-声子准粒子的报道。[16–20] 因此，光驱动的集体晶格模式具有在二维反铁磁体中光学控制长程磁序的潜力，这是基于已证实的可能性，即使光子能量远离其本征频率，也可以完全相干地驱动此类模式[21,22]，也基于它们与磁子的强耦合。在此背景下，过渡金属三硫属磷酸盐（MPX3，其中M = Ni、Fe、Mn、... 和X = S、Se）代表了一类有趣的范德华反铁磁体。[23–26] 虽然据报道在独立的 NiPS3 块体单晶中 [27] 可以产生光学磁振子，但这种材料缺乏可扩展性到二维极限。事实上，实验证明，NiPS3 的单原子层在磁排序上与 MnPS3 [28] 和 FePS3 [25] 并无不同。
使用原子层沉积制造的氧化二晶型晶体管
在过去的几十年中，互补的金属 - 氧化物 - 氧化 - 氧化核（CMOS）技术一直是现代综合电路发展的推动力。增强栅极静电控制以提高对短通道效应（SCE）的免疫力（尤其是在积极缩放晶体管技术的发展中）的关键策略。这包括开发高等效氧化物厚度（EOT）缩放的高κ /金属门技术，以及超薄体，鳍和堆叠的纳米片通道晶体管；在3 nm技术节点1之外，半导体工业（遵循FIN场效应晶体管技术）目前正在采用堆叠的纳米表晶体管。要进一步扩展长度尺寸并保持良好的驱动电流，至关重要的是抑制SCE。可以使用增加数量的薄堆积通道来实现这一目标。然而，常规半导体晶体管的性能迅速降低到硅的3 nm厚度低于3 nm的厚度，而INGAAS的性能降低了10 nm。二维（2D）半导体是一种替代通道材料，与传统的半导管相比，单层厚度和单层厚度较高，在单层厚度上具有更高的迁移率。但是，2D材料缺乏高品质的大区域CMOS兼容生长技术。也很难在其范德华表面形成介电。此外，这些材料很难浓缩，并且在Schottky金属/半导体触点处引起的高接触分析。特别是原子层氧化物半导体，尤其是无定形im-gallium-Zinc氧化物（Igzo） - 用于平面晶体管（TFTS）中的半导体通道材料（用于平面式式施用应用程序12）。但是，尽管是高批量制造的成熟技术，但氧化物半导体很少被视为用于缩放高性能晶体管的Channel材料。这是由于它们的低电荷载流子迁移率约为10 cm 2 v -1 s –1，并且在质量生产中使用时，它们通常需要多达几十纳米的通道厚度13。然而，对于单一三维（3D）整合应用14-21的CMOS后端（BEOL）中氧化物半导体晶体管的使用引起了兴趣。