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World File Search System极化效应
在光电流纳米镜检查中等离子体和极化效应的模型
扫描光电流显微镜传统上是使用聚焦光束进行的。1 - 4在这项技术的现代变体中，事件光的聚焦是通过尖锐的金属尖端实现的，如图1。这样的尖端充当光天线，将局部增强的近场增强到自由空间辐射。在实验中，扫描尖端，并使用位于样品外围的某个位置的电动触点来测量样品中产生的直流光电流。下面，我们将此技术称为扫描近场光电流显微镜或光电流纳米镜检查。也可以利用参与此类测量的仪器进行散射型扫描近场光学显微镜（S-SNOM）。在s-snom中，一个人检测到尖端而不是光电流的光片。实际上，一起执行S-SNOM和光电流纳米镜检查，提供了有关系统的互补信息。这种技术的组合已成功地应用于探针石墨烯和其他二维（2D）材料5 - 9的空间分辨率为≏20nm，这比衍射受限的传统方法好。最近的光电流纳米镜检查实验显示出区别的光谱共振和周期性干扰模式
光腔中分子振动光谱中的极化效应
Polariton化学反应研究了光子与分子之间的强烈相互作用，近年来一直在越来越多的兴趣。这种日益增长的注意力的起源在于，当光与物质强烈相互作用时，它可以改变其物理和化学特性。虽然物理学家长期以来一直在研究这种现象1，主要是由于其在各个领域的潜力，从光放大2,3到Quantum Computing不等，但4,5在过去的十年中，化学界才开始专注于极化效应。6，即使在无机材料中存在杂交光 - 物质状态，也已经闻名了一段时间，只有在上个世纪末，也证明了这种强的耦合效果可以通过光腔增强。7这个发现对于偏振化学的发展至关重要。但是，对该领域的最新兴趣和丰富的兴趣来自意识到，通过调整光和化学系统之间的耦合，人们可能能够修改其性质，甚至可以控制化学反应8，例如，修改了间隔系统交叉点和锥形交叉点。9,10个示例包括修改pho-Toisomerization的产生11和有机反应的速率，12-14
AlN 中间层对 In 0 . 17 Al 0 . 83 N/GaN HEMT 器件电子和 IV 特性的影响
图3给出了不同AlN间隔层厚度下二维电子气密度的变化。间隔层厚度越高，片状电荷密度（ns）越好，在0.5nm~2nm之间与AlN间隔层厚度几乎呈线性关系。电子密度的增加是由于压电和自发极化的影响。由于明显的极化效应，AlN间隔层可能引起偶极散射增加，结果二维电子气迁移率下降。在此临界厚度以下，间隔层增强了导带位移，有效降低了波函数对AlN势垒的穿透，从而降低了合金无序扩散的影响。电子片密度为1.81×1013cm-2，与[15]中计算的1nm AlN层电子片密度大致相同。
MIL-STD-889C | 科德萨
并倾向于在特定电解质溶液或其他环境中独立腐蚀。这种溶解或腐蚀趋势与金属在导电介质中的电位有关。电化学腐蚀本质上受组成电化学对的金属在电化学序列中的相对位置的影响。序列中位置接近的金属将具有更接近的电位，而位置差异越大，电位差就越大。使用表 I 作为确定不同金属组合的相对兼容性的指南。海水中金属的电化学序列如表 II 所示。兼容性并不表示完全没有电化学作用。电化学效应，即阳极的腐蚀程度，受金属在电化学序列中的差异、动力学因素（例如极化效应）、电解环境和金属的物理排列的影响。有关更多信息，请参阅附录 B。 4. 一般要求（不适用） 5. 详细要求
具有较大动量转移的独家Dijets中的方位相关性
核子的结构是多维的，取决于组成部分的横向动量，空间几何形状和极化。可以使用在超疗养重的沉重离子碰撞中产生的高能光子来研究这种结构。提出了在大动量转移下具有两个喷气式相互作用的两种喷气式事件的方位角角相关性的第一个测量，这一过程被认为对基本的核gluon偏振敏感。本研究使用在效率上的超递铅铅碰撞碰撞的数据样本。02 TEV，对应于0的集成光度。38 nb - 1，在LHC的CMS实验中收集。发现，随着dijet横向动量的增加，两个射流横向动量向量的总和与差之间的相关性的第二个谐波被发现是正的。成功地描述了HERA实验的广泛质子散射数据，无法描述观察到的相关性，这表明存在Gluon极化效应。
以数字化转换的工作是良性的吗？
本文询问数字转换的工作是否可以是良性的，并且在什么条件下。它避免了乌托邦和氧化码版本中的技术决定论，选择了自由人类代理的前提。这项工作在采用基于新竞技场，天主教社会教学（CST）和麦金太利教义的美德的基础上采用以演员为中心和明确的道德分析。从分析数字破坏开始，它确定了人类在数字转换工作中的最显着的人类优势，并为每种工作提供了哲学人类学的解释。它还研究了数字转换工作的宏观和微观水平的外部组织特征，强调了它们的矛盾性（效率和利润与排斥和剥削，灵活性和自由与标准化和依赖性）以及减轻其极化效应以实现共享蓬勃发展的效果。本文根据Neo-Aristotelian，CST和Macintyrean框架介绍了良性工作的标准，并将其应用于数字化的工作，从而提高了五个基本原则。这些基本准则一方面表明了要避免的行动，另一方面是要采取的行动以及其理由。
探究锂中的光诱导充电机制......
摘要：光电电池是一种带有光敏电极的电池，最近被提出作为一种在单个设备中同时捕获和存储太阳能的方法。尽管有报道称可以使用多种不同的电极材料进行光充电，但其整体运行机制仍不太清楚。在这里，我们使用原位光学反射显微镜研究 Li x V 2 O 5 电极中的光诱导充电。我们在三种条件下对电极进行单粒子成像：(a) 有闭路和光但没有电子电源（光充电），(b) 在有光的恒电流循环过程中（光增强），以及 (c) 有热但没有光（热）。我们证明光确实可以驱动 Li x V 2 O 5 中的锂化变化，同时保持电荷中性，可能是通过单个粒子中发生的法拉第效应和非法拉第效应的组合。我们的研究结果为光电电池机械模型提供了补充，强调了基于插层的充电和锂浓度极化效应都有助于提高光充电容量。关键词：光学显微镜、光电电池、氧化钒、原位成像
采用极化诱导掺杂的 Ga2O3 场效应晶体管
摘要 III 族氮化物和β 相氧化镓（β -Ga 2 O 3 ）是目前研究较为深入的两种用于电力电子的宽带隙半导体材料。由于两种材料体系之间的晶格失配度相对较小，且可以利用体相 AlN、GaN 和β -Ga 2 O 3 衬底，因此已经实现了在β -Ga 2 O 3 上外延生长 III 族氮化物或反之亦然。然而，将两种材料体系集成在一起来设计功率器件仍然缺乏。本文数值研究了 AlN/β -Ga 2 O 3 异质结构，利用极化诱导掺杂来实现高性能增强型晶体管。受 AlN/β -Ga 2 O 3 界面极化效应的影响，沟道中的二维电子气浓度最高可达 8.1 × 10 19 cm −3。在沟道顶部引入p-GaN栅极，最终实现了具有可调正阈值电压的常关型AlN/β-Ga 2 O 3场效应晶体管。此外，我们插入了非故意掺杂的GaN背阻挡层以抑制漏极漏电流。最后，为了实现高性能III族氮化物/Ga 2 O 3基功率器件，我们进一步研究和分析了具有不同结构参数的器件的传输和输出特性。