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柱栅阵列 (CGA) 与球栅阵列 (BGA)
摘要 考虑进行板级跌落试验，目的是开发一个具有物理意义的分析预测模型，用于评估焊料材料中预期的冲击引起的动态应力。讨论了球栅阵列 (BGA) 和列栅阵列 (CGA) 设计。直观地感觉，虽然应用 CGA 技术缓解焊料材料的热应力可能非常有效（因为 CGA 与 BGA 相比具有更大的界面柔顺性），但当 PCB/封装经历动态负载时，情况可能会大不相同。这是因为 CGA 接头的质量大大超过 BGA 互连的质量，并且在 CGA 设计的情况下，相应的惯性力可能大得多。针对相当随意但又现实的输入数据进行的数值示例表明，CGA 设计的焊料材料中的动态应力甚至高于 BGA 互连中的应力。这尤其意味着，应彻底选择板级测试中具有物理意义的跌落高度，并且对于 BGA 和 CGA 设计，该高度应该有所不同。
C4/陶瓷球栅阵列互连技术
�� l, f = Ton - Toff；实验室、现场 fl, f = 热循环频率；循环次数；实验室、现场每天必须至少 6 次 Qc = 芯片功率，W Θ jc = 芯片结至外壳电阻，°C/W Θ jl = 芯片结至引线（即球）电阻，°C/W Θ ja = 芯片结至环境电阻，°C/W 简介 PowerPC 603 和 PowerPC 604 RISC 微处理器 可扩展的 PowerPC™ 微处理器系列（图 1）由 Apple、IBM 和 Motorola 联合开发，被设计用于高性能、高性价比的计算机（包括笔记本电脑、台式机、工作站和服务器）。PowerPC 微处理器系列包括从 PowerPC 601™ 微处理器到 PowerPC 620™ 微处理器。PowerPC 603 微处理器是 PowerPC 精简指令集计算机 (RISC) 架构的低功耗实现。
FBGA——细间距球栅阵列
JCET 徽标是长电科技集团股份有限公司的注册商标。该商标在中华人民共和国注册（注册号：3000529）。此处的所有其他产品名称和其他公司名称仅供识别之用，可能是其各自所有者的商标或注册商标。本手册以及此处的数据表仅供展示之用，长电科技或其子公司不保证或作出任何明示、暗示或法定的准确性、充分性、可靠性、完整性或其他方面的陈述。建议读者在做出任何决定之前，随时寻求专业建议并获得对此处包含的信息的独立验证。长电科技保留随时更改信息的权利，恕不另行通知。©版权所有 2019。长电科技集团股份有限公司。保留所有权利。
用数字法测定球栅阵列的热膨胀系数
本文介绍了通过数字图像相关 (DIC) 技术对球栅阵列 (BGA) 上焊球的热膨胀系数 (CTE) 进行分析的方法。由于微尺度元件对热的敏感性，评估半导体元件的热机械性能是一项主要挑战。然而，BGA 的 CTE 分析对于解决导致故障的热失配应变问题具有重要意义。同时，焊球热膨胀的测量是在微尺度和加热条件下进行的，传统的应变测量方法无效。在本分析中，使用微 DIC 系统测量焊球在加热台上受到温度载荷时的应变值。使用加热台内的热电偶测量焊球的实际温度，以确保温度的均匀性。获得特定温度下测得的应变，并使用线性分析绘制 CTE 图表。测得的焊球的平均 CTE 值为 27.33 × 106 / oC。结果表明，测量结果接近焊球 CTE 的参考值。该分析使用开发的 DIC 方法对 BGA 进行了可靠的分析。
背栅石墨烯晶体管的接触电阻和迁移率
摘要 金属-石墨烯接触电阻是限制石墨烯在电子设备和传感器中技术开发的主要因素之一。高接触电阻会损害器件性能并破坏石墨烯固有的优良特性。在本文中，我们制造了具有不同几何形状的背栅石墨烯场效应晶体管，以研究接触和沟道电阻以及载流子迁移率随栅极电压和温度的变化。我们应用传输长度法和 y 函数法，表明这两种方法可以相互补充以评估接触电阻并防止在估计载流子迁移率对栅极电压的依赖性时出现伪影。我们发现栅极电压以类似的方式调节接触和沟道电阻，但不会改变载流子迁移率。我们还表明，升高温度会降低载流子迁移率，对接触电阻的影响可以忽略不计，并且可以根据施加的栅极电压诱导石墨烯薄层电阻从半导体行为转变为金属行为。最后，我们表明，消除接触电阻对晶体管沟道电流的不利影响几乎可以使载流子场效应迁移率翻倍，并且通过 Ni 接触的锯齿形成形可以实现低至 700 Ω · μ m 的竞争性接触电阻。
利用量子计算机求解栅绝缘子泊松方程的研究
[1] Arute, F.、Arya, K.、Babbush, R. 等人。使用可编程超导处理器实现量子霸权。《自然》574，505–510（2019 年）。https://doi.org/10.1038/s41586-019-1666-5A。[2] Harrow, A. Hassidim 和 S. Lloyd，“线性方程组的量子算法”，《物理评论快报》103，150502（2009 年）。[3] Yudong Cao 等人，“用于求解线性方程组的量子电路设计”，《分子物理学》110.15-16（2012 年），第 1675–1680 页。arXiv：arXiv:1110.2232v2。[4] Solenov, Dmitry 等人。 “量子计算和机器学习在推进临床研究和改变医学实践方面的潜力。”密苏里医学第 115,5 卷 (2018)：463-467。[5] C. Outeiral、M. Strahm、J. Shi、GM Morris、SC Benjamin 和 CM Deane，“量子计算在计算分子生物学中的前景，”WIREs Comput. Mol. Sci.，2020 年 5 月。[6] 王胜斌、王志敏、李文东、范立新、魏志强和顾永健，“量子快速泊松求解器：算法和完整模块化电路设计，”量子信息处理第 19 卷，文章编号：170 (2020)。 [7] H. Abraham 等人，“Qiskit：量子计算的开源框架”，2019 年。 [8] https://quantum-computing.ibm.com/ [9] Sentaurus TM 设备用户指南，Synopsys Inc.，美国加利福尼亚州山景城，2020 年。 [10] https://qiskit.org/textbook/ch-applications/hhl_tutorial.html [11] https://qiskit.org/documentation/stubs/qiskit.quantum_info.state_fidelity
一种改善电特性的环栅场效应晶体管扇形结构
从 I on /I off 电流比、跨导、亚阈值斜率、阈值电压滚降和漏极诱导势垒降低 (DIBL) 等方面评估了一种新型栅极全场效应晶体管 (GAA-FET) 方案的可靠性和可控性。此外，借助物理模拟，全面研究了电子性能指标的缩放行为。将提出的结构的电气特性与圆形 GAA-FET 进行了比较，圆形 GAA-FET 之前已使用 3D-TCAD 模拟在 22 nm 通道长度下用 IBM 样品进行了校准。我们的模拟结果表明，与传统的圆形横截面相比，扇形横截面 GAA-FET 是一种控制短沟道效应 (SCE) 的优越结构，并且性能更好。2020 作者。由 Elsevier BV 代表艾因夏姆斯大学工程学院出版。这是一篇根据 CC BY 许可 ( http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ ) 开放获取的文章。
切碎折叠共源共栅体驱动 OTA
本文使用的核心 OTA 是体驱动 OTA [4]，其中与模拟电路有关的一个重要因素是，未来标准 CMOS 技术的阈值电压预计不会比目前的阈值电压低很多。为了克服阈值电压，人们使用了体驱动 MOSFET，众所周知，阱源结上的反向偏置会导致阈值电压增加 [5]，[6]。同样，此结上的正向偏置会导致阈值电压降低。
有机薄膜晶体管的阈值电压控制的三端浮栅
摘要 - 浮动门（FG）细胞作为控制在thranddiode配置中操作的有机薄膜晶体管（TFTS）的电路级别方法。充电和排放。使用不超过4 V的编程电压，实现了阈值电压的系统调整到-0.5和2.6 V之间的值。该概念的多功能性是通过使用有机-TFT的FG细胞作为被动式直流体中可编程阈值溶剂的转置和二极管载荷式逆变器，并在透明，透明的透明塑料底物上制造的。直接菌显示出频率响应，改善3-DB点和涟漪降低。具有可编程FG-TransDiode负载的逆变器比传统的二极管逆变器具有更大的小信号增益，更大的输出 - 电压摆动和更大的噪声余量。