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选择性激光烧蚀法多材料增材制造低烧结温度 Bi2Mo2O9 陶瓷与 Ag 浮动电极
摘要 共烧结低温陶瓷的增材制造 (AM) 为制造新型 3D 射频 (RF) 和微波通信组件、嵌入式电子设备和传感器提供了独特的途径。本文介绍了有史以来首次直接 3D 打印低温共烧结陶瓷/浮动电极 3D 结构。基于浆料的 AM 和选择性激光烧蚀 (SLB) 用于制造带有银 (Ag) 内部浮动电极的块状电介质 Bi 2 Mo 2 O 9 (BMO，烧结温度 = 620 – 650°C，ε r = 38)。开发了一种可打印的 BMO 浆料，并优化了 SLB，以改善边缘定义并烧掉粘合剂而不会损坏陶瓷。SLB 增加了保持形状所需的生坯强度，生产出无裂纹的零件，并防止共烧结过程中银渗入陶瓷。烧结后，将生坯部件放入传统炉中烧结，温度为 645°C，烧结时间为 4 小时，密度达到 94.5%，抗压强度达到 4097 MPa，相对介电常数 (εr) 为 33.8，损耗角正切 (tanδ) 为 0.0004 (8 GHz)（BMO）。由此证明了使用 SLB 后进行打印后烧结步骤来创建 BMO/Ag 3D 结构的可行性。
室温大磁电在过渡态...
人们越来越关注新型磁电 (ME) 材料，这种材料在室温 (RT) 下表现出强大的 ME 耦合，可用于高级存储器、能源、自旋电子学和其他多功能设备应用，利用通过磁场控制极化和/或通过电场控制磁化的能力。获得具有强 ME 耦合的 ME 材料、了解其起源并操纵其加工和成分以实现室温下的大 ME 系数是多铁性研究的重要一步。为了解决这个问题，我们研究了 Ni 掺杂的 Pb(Zr 0.20 Ti 0.80 )O 3 (PZT) 的多铁性和 ME 特性。我们发现 Ni 掺杂 PZT 的铁电（TC ~ 700 K）和弱铁磁（~ 602 K）相变远高于 RT，导致强 ME 耦合系数（ E,31）为 11.7 mVcm -1 Oe -1（H ac = 1 Oe 和 f = 1 kHz）。虽然 X 射线衍射表明这是一种单相材料，但高分辨率透射电子显微镜揭示了有和没有 Ni 存在的区域；因此两相之间的磁电耦合是可能的。第一性原理计算表明 (Ni Pb ) × 缺陷可能是造成 Ni 掺杂 PZT 中实验观察到的磁性和 ME 耦合的原因。我们进一步证明 Ni 掺杂 PZT 表现出低损耗角正切、低漏电流、大饱和极化和弱
1. Effoot（1948 年 4 月 12 日加入，初级 ROTC 部队
[AG 200.401（48 年 5 月 22 日）] 加利福尼亚州罗斯克兰斯堡国家公墓。——下列描述的土地被指定为“北延伸区”和“南延伸区”，现在是加利福尼亚州罗斯克兰斯堡军事保留区的一部分，特此成为加利福尼亚州罗斯克兰斯堡国家公墓的一部分，并由军需总监管辖：北延伸区。——从现有罗斯克兰斯堡国家公墓西北角的 10 英寸铁管开始，所述西北角位于加利福尼亚州 12 号州际公路（卡特琳娜大道）的东侧，宽 80 英尺；然后沿所述公路东线 N. 2°52'15" W. 322.37 英尺到一条向西凹的正切曲线的起点，该曲线的半径为 2,040 英尺；然后沿所述曲线通过 5°43'45" 的中心角，弧距为 20:um 英尺；然后，与所述曲线相切，N. 8°36'00" W. 524.45 英尺到位于所述公路东线内的混凝土纪念碑；然后，离开所述东线，N. 38°28'150" W. 440.04 英尺；然后，S. 61°28'20" W. 215.16 英尺；然后，S. 1°34'30' W. 210.44 英尺；随后向南 55 °25'30" 东经 53.00 英尺；随后向南 4°34'30" 西经 3.117 英尺；随后向南 39°24'GO" 西经 07.06 英尺；随后向南 1 °05'30" 东经 481.5'.1, 英尺到所述现有国家公墓边界内的 n 点；随后沿所述边界向北 29°57 1.45" 西经 74.92 英尺；然后继续沿着所述边界 S. 87°07'4ti" W. 80.00 英尺到起点。所述地块面积大致为 8.88 英亩。向南延伸。-从所述现有国家公墓的西南角开始，所述西南角是所述州公路的所述东线的起点；然后沿着所述现有国家公墓的南边界线 N. 87°07'31" El. lnl.00 fcot；然后，离开所述南边界线，N. 67°37'110'11 E. 200.10 英尺；截止 S. 22°4H 1a3" El. 638.00 英尺；然后 S. 18°50'47" W. 20:10 英尺；然后向南 3°45'58" 西经 162.28 英尺；再向南 73°45'58" 西经 157.00 英尺；向南 1°a0'31" 东经 222.117 英尺；再向南 SG 0 40 1:10" 西经 214.14 英尺，到达东边公路线上一个 2 英寸铁罐；然后沿所述
通过设计 TLS 耗散来提高量子比特相干性
B41.002：高 Q 值超导谐振器高电阻率硅晶片低温损耗角正切测量 B57.002：超导 Nb 薄膜中亚间隙准粒子散射和耗散 B57.008：Nb 超导射频腔的电磁响应 B57.010：用于高 Q 值谐振腔的高纯铌超导态氢化物的非平凡行为 B57.012：轴子搜索的可行性研究：Nb SRF 腔中的非线性研究 D37.002：基于三维微波腔的微波光量子转导 D39.013：带有级联低温固态热泵的量子阱子带简并制冷 D40.008：基准测试方八边形晶格 Kitaev 模型的 VQE D41.003：用于量子计算的 Nb 谐振器中氧化铌退火的原位透射电子显微镜研究 F36.005：识别超导量子比特系统中缺陷和界面处的退相干源 F36.006：使用双音光谱理解和减轻超导射频 (SRF) 腔中的损耗 F36.007：通过 HT 相界分析优化用于量子器件的 Nb 超导薄膜 F36.008：循环：超导量子比特的多机构表征 F36.010：铌射频腔的 Nb/空气界面的原子尺度研究 K29.002：超导量子材料与系统 (SQMS) – 新的 DOE 国家量子信息科学研究中心M41.009：可调谐 transmon 量子比特的长期能量弛豫动力学作为损耗计量工具 N27.006：超导量子材料与系统 (SQMS) 研究中心的量子信息科学生态系统工作 Q71.007：高磁场中的超导材料在高能物理量子传感中的应用 Q37.005：多模玻色子系统量子启发式的数值门合成 S38.003：基于微米级约瑟夫森结的约瑟夫森参量放大器的制造和特性 S72.009：探究低温真空烘烤对超导铌 3-D 谐振器光子寿命的作用 T00.106：铌硅化物纳米膜的稳定性、金属性和磁性 T00.119：不同 RRR 值的铌膜的特性低温 T72.005：单个纳米结处异质偶极场和电荷散射的太赫兹纳米成像 W40.006：量子芝诺效应对两能级系统的动态解耦 W34.013：3D SRF QPU 的潜在多模架构探索 Y34.008：高相干性 3D SRF 量子比特架构的进展 Y40.009：理解和减轻超导量子比特中 TLS 引起的高阶退相干