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World File Search System正切的
用于 RF – CMOS 应用的硅衬底
由于能量的限制及其对总损耗的影响，介电基板的选择在射频频率下起着重要作用。与能量存储相关的基板介电常数显著影响电路在较高频率下的性能。根据介电常数行为，基板被分为有损介电常数或良好介电常数。损耗角正切值取决于介电常数，并影响传输线的品质因数。在硅中，由于金属-半导体结，金属接触会产生肖特基接触。这需要进行适当的公式化和建模，以预测电路行为。本文研究并详细介绍了掺杂、载流子迁移率、频率等各种现象是影响介电常数的主要因素，并研究了它们对损耗角正切的作用
H:/Latex/Sonobouy ACEKF_UDRC_conference_paper_2012/Sonobouy ACEKF_UDRC_conf_2012.dvi
摘要 — 我们考虑了水下声源的 DIFAR 声纳浮标方位估计问题。基于标准反正切的方法利用不同通道的观测噪声之间的正交性来形成方位估计，并忽略了实际源信号的相关结构。在本文中，我们提出了一种新的状态空间技术，与标准反正切估计器相比，该技术利用源信号中的相关结构来实现增强的性能，特别是在低信噪比 (SNR) 条件下。使用一些实际信号类别的模拟支持了该分析。索引术语 — 方位估计、DIFAR 声纳浮标、增强型复卡尔曼滤波器、随机游走建模、复圆度、宽线性估计
3D 打印介电晶体的有效介电常数测量
摘要 — 增材制造为创新天线和微波元件提供了新的可能性。为了充分发挥其潜力，必须充分利用 3D 打印技术提供的功能。3D 打印结构化电介质目前在这方面受到广泛关注。然而，表征这种晶体结构的介电性能并不容易，而且经常需要对这种性能做出假设。本文展示了在具有不同填充率的简单立方 (SC) 和面心立方 (FCC) 晶体几何中，增材制造结构化电介质的介电常数和损耗角正切的表征。将测量结果与 Maxwell-Garnett 有效介质近似预测的值以及从长波长极限的三维平面波展开法 (PWEM) 中提取的有效折射率进行了比较。