机构名称：
¥ 1.0
由于能量的限制及其对总损耗的影响，介电基板的选择在射频频率下起着重要作用。与能量存储相关的基板介电常数显著影响电路在较高频率下的性能。根据介电常数行为，基板被分为有损介电常数或良好介电常数。损耗角正切值取决于介电常数，并影响传输线的品质因数。在硅中，由于金属-半导体结，金属接触会产生肖特基接触。这需要进行适当的公式化和建模，以预测电路行为。本文研究并详细介绍了掺杂、载流子迁移率、频率等各种现象是影响介电常数的主要因素，并研究了它们对损耗角正切的作用
用于 RF – CMOS 应用的硅衬底
主要关键词
相关文件推荐
