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World File Search System波导
高热性能混合GainAsp/SOI岭波导激光器具有增强的热量耗散结构
具有异质整合技术的Hutonic Integrated Ciress（PIC）已成为硅光子学的激烈研究领域。1 - 3）他们将不同的材料技术引入商业硅芯片的潜力为将高性能图片与各种光学功能进行大规模整合开辟了道路，使用常规的硅开机器（SOI）平台实现了具有挑战性的挑战。4 - 6）尤其是，通过直接键合的混合III - V/SOI激光器的杂基整合为电信光源提供了适当的解决方案，用于电信和数据中心应用程序接近1.3和1.55μm波长范围。2，7）通过使用分布式的bragg refector，Ring Resonator和Loop Mirror设备，通过使用分布式的Bragg Remotector和Loop Mirror设备来实现在SOI电路内的这种集成在SOI电路内的这种集成。8 - 12）此外，还报道了Hybrid III - V/SOI环激光器，其中光线从III - V/SOI环激光器耦合到通过方向耦合器耦合到Si Bus-WaveGuide。13 - 16）
基于石墨烯的硅光子电吸附调制器和相调节器
摘要 - 由于他们的第一个演示，基于石墨烯的硅波导调制器已演变为在未来的光学互连中采用非常有吸引力的设备。在本文中，我们首先回顾了基于石墨烯的强度调节剂的最先进。考虑了两种重要的设备配置：一种使用单个石墨烯层，通过硅波导本身偏置，另一个使用两个石墨烯层的电容堆栈，可以集成在被动硅和氮化硅波导中。我们还讨论了我们最近在CMOS试点线上完全制造此类设备的工作。在下一节中，我们回顾基于石墨烯的相位调节器。再次，我们比较了两种类型的调节器，涉及单个或双石墨烯层堆栈。此外，我们还提出了新的结果，将集成在标准带状波导上的调节器与集成在插槽波导上的调节器进行比较，从而使光场更加限制。最后，我们基于模拟结果总结了我们的发现以及现场和前景。索引项 - 准烯，调节剂，硅光子学。
抛物面介质反射器，用于宽带宽的极端片上光斑尺寸转换
光斑转换器是实现不同尺寸波导间光高效耦合的关键。虽然绝热锥形非常适合小尺寸差异，但当扩展因子达到 × 100 左右时，它们会变得太长，这在耦合集成波导和自由空间光束时通常需要。在这种情况下可以使用衰减耦合器和布拉格偏转器，但它们的操作本质上受到带宽的限制。这里，我们提出了一种基于抛物面电介质界面的解决方案，该界面将光从 0.5 µ m 宽的波导耦合到 285 µ m 宽的波导，即扩展因子为 × 570 。我们通过实验证明了前所未有的超过 380 nm 的带宽，插入损耗低于 0.35 dB 。此外，我们提供了针对任意扩展因子设计此类抛物面光斑转换器的解析表达式。
meta-pt_dipole_article.pdf
电偶极子源已在集成光子学作为紧凑的电磁源中使用了几年，因为它们有效地耦合了光子引导模式[1,2]。最近通过利用了不同evaneScent波浪的建设性或破坏性干扰，最近证明了圆形极化电偶极子的近场方向性。[3,4]将介电或等离子波导耦合到这些圆形或椭圆形偶极子可以导致波导模式的定向激发，这是集成光子结构的有趣特征。然而，这些椭圆形电偶极子的近场仍然表现出反转对称性，如果偶极子位于倒置对称光子结构的中心，则可以去除方向性。为了恢复两个侧之间的对比属性，我们利用了平等时间对称耦合的波导的独特特性。奇偶校验时间（PT）对称性可以通过使用折射率的假想部分的平衡曲线在耦合的波导中实现，例如一种由增益材料制成的波导，另一个波导具有相等的损失。[5]这些结构的唯一性源于它们可以根据增益/损耗参数γ的值进行操作的两个方案，这些γ定义了波导中折射率的绝对想象部分。这两个方案之间的过渡发生在特殊点（EP），该点位于一定的γ值，取决于结构几何形状。在PT-对称状态（γ<γEP）中，结构的两个超模型都没有任何收益或损失，而在Pt-Orkent Orkent Orgime（γ>γEP）中，一个超级模式受益于增益和幅度爆炸，而其他经验的损失和实用型则减少。
基于石墨烯的硅光子电吸附调制器和相调节器
摘要 - 由于他们的第一个演示，基于石墨烯的硅波导调制器已演变为在未来的光学互连中采用非常有吸引力的设备。在本文中，我们首先回顾了基于石墨烯的强度调节剂的最先进。考虑了两种重要的设备配置：一种使用单个石墨烯层，通过硅波导本身偏置，另一个使用两个石墨烯层的电容堆栈，可以集成在被动硅和氮化硅波导中。我们还讨论了我们最近在CMOS试点线上完全制造此类设备的工作。在下一节中，我们回顾基于石墨烯的相位调节器。再次，我们比较了两种类型的调节器，涉及单个或双石墨烯层堆栈。此外，我们还提出了新的结果，将集成在标准带状波导上的调节器与集成在插槽波导上的调节器进行比较，从而使光场更加限制。最后，我们基于模拟结果总结了我们的发现以及现场和前景。索引项 - 准烯，调节剂，硅光子学。
![arxiv：2401.02714v2 [Quant-ph] 2024年12月6日](/simg/a\aeeebe4f571350c049d50a3ddca635e89952ac0f.webp)
arxiv：2401.02714v2 [Quant-ph] 2024年12月6日
线性光学材料以外的多光子动力学在量子信息处理中具有重要的基本和技术重要性。但是，它在非线性波导QED中仍未探索。在这项工作中，我们从理论上提出了在存在交错的光子 - 光子相互作用的情况下提出结构化的非线性波导，该波子支持了Doublons的两个旋带的两个分支（即，在空间边界界面态态）。与线性波导QED系统相反，我们确定了其动态演化的两个重要贡献，即单光子结合状态（SPBS）和Doublon Bound State（DBSS）。最引人注目的是，即使在SPBS受到干扰的情况下，非线性波导也可以介导两个发射极对之间的远程四体相互作用。通过适当设计系统的参数，我们可以实现仅由DBSS中的虚拟Doublon介导的高保真四体性RABI振荡。我们的发现为在远程站点之间多体量子信息处理和量子模拟中应用结构化的非线性波导QED铺平了道路。
NDS - F 8848-6
2022 年 5 月 4 日 — 国防局标准。NDS。F 8848-6。9000MHz 频段船用波导和法兰。1983 年 7 月 28 日制定。1. 范围本标准适用于 7050-10000MHz 频段使用的船用波导和法兰。
观察大量自发发射率在破碎的对称慢灯波导中的量子点的增强
可以在纳米级上操纵光和物质的量子状态，以提供有助于实施可扩展光子量子技术的技术资源。实验进步取决于光子和量子发射器内部自旋状态之间耦合的质量和效率。在这里，我们演示了一个带有嵌入式量子点（QD）的纳米光子波导平台，该平台既可以实现Purcell-Enhathenced发射和强性手性耦合。设计在滑动平面光子晶体波导中使用慢光效应，并使用QD调整，将发射频率与慢灯区域匹配。模拟用于绘制手性，并根据偶极子发射极相对于空气孔的位置来绘制手续的增强。最高的purcell因子和手性发生在单独的区域中，但是仍然有一个显着的区域，可以获得两者的高值。基于此，我们首先证明了与20±2倍purcell增强的相对应的巨大辐射衰减率为17±2 ns -1（60±6 ps寿命）。这是通过将QD的电场调整到慢灯区域和准共振的声子端谱带激发来实现的。然后，我们证明了具有高度的手性耦合到波导模式的DOT的5±1倍purcell增强功能，实质上超过了所有先前的测量值。共同证明了使用依靠手性量子光学元件的芯片旋转光子剂的可扩展实现中使用QD的出色前景。
mose2/ws2杂合光电二极管与氮化硅波导集成，用于近红外光检测，响应性高
摘要我们根据近红外光谱制度的芯片尺度集成光电探测器的实现和表征，基于在氮化硅硅硅硅基上的摩西2 /WS 2异缝的整合。这种配置在780 nm的波长（表明内部增益机制）下达到〜1 a w -1的高响应性，同时将暗电流抑制至〜50 pa的水平，与仅Mose 2的参考样本相比，降低了〜50 pa的水平。我们测量了暗电流的功率频谱密度低至〜1×10 - 12 a hz -0.5，从中，我们从中提取噪声等效功率（NEP）为〜1×10-12 - 12 W Hz -0.5。为了演示设备的实用性，我们将其用于表征与光电探测器相同芯片上的微林共振器的传输函数。能够在芯片上整合局部光电电视机并在近红外制度下操作具有高性能的设备，这将在光学通信，量子光子学，生物化学传感等的未来集成设备中发挥关键作用。
扩展腔模式下具有多位点控制量子点的激子极化子空间量子干涉景观
QD2 和 QD3 中间（图 7b 右下插图），单光子可以通过左波导或右波导发射，编码为 |L > 或 |R>。由于 QD2 和 QD3 发射的能量不同（ω 2 和 ω 3 ），所得状态可以表示为 |1 ω2 ， L > 或 |1 ω3 ， R >。这种双色可调单光子