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通过新型的高功率 - 高重型速率L1 Allegra激光器驱动的水射等等离子X射线源的第一次实验
研究光介导的过程的追求驱动了能够产生X射线辐射脉冲的设施的发展（Ponseca等人。，2017年； Kranz＆Wachtler，2021年； Chergui＆Collet，2017年； Milne等。，2014年）。激光驱动的来源可以在各种能量中可靠地产生这种辐射，并将紧凑型设置的好处和高水平的整合性在多功能实验室中以负担得起的成本（与其他大型设施相比）相结合。对于超快泵 - 探针实验，光束生成的全光方法在两个或更多光束之间提供了出色的同步。这样的设施具有例如高级形状的泵脉冲（Assion等，1998;布鲁格曼等人。，2006年）以及不同波长范围中探针的内在性能，例如可见的，Terahertz和X射线，使用相同的泵。此处描述的来源安装在模块化的X射线光谱端站内，有可能促使使用多种互补方法进行全面研究[见De Roche等。（2003），Naumova等。 （2018），Dicke等。 （2018），Kunnus等。 （2020）和Kjaer等。 （2019）示例]。 激光驱动的等离子体X射线源（PXS）（Mallozzi等 ，1974年； Turcu＆Dance，1999年； Benesch等。 ，2004年）基于将激光器聚焦为超短（低100 fs）脉冲持续时间，峰强度为10 15 –10 17 w cm 2的激光器（fullagar，fullagar，harbst et al。） ，2007年； Korn等。 ，2002年； Zamponi等。（2003），Naumova等。（2018），Dicke等。 （2018），Kunnus等。 （2020）和Kjaer等。 （2019）示例]。 激光驱动的等离子体X射线源（PXS）（Mallozzi等 ，1974年； Turcu＆Dance，1999年； Benesch等。 ，2004年）基于将激光器聚焦为超短（低100 fs）脉冲持续时间，峰强度为10 15 –10 17 w cm 2的激光器（fullagar，fullagar，harbst et al。） ，2007年； Korn等。 ，2002年； Zamponi等。（2018），Dicke等。（2018），Kunnus等。（2020）和Kjaer等。（2019）示例]。激光驱动的等离子体X射线源（PXS）（Mallozzi等，1974年； Turcu＆Dance，1999年； Benesch等。，2004年）基于将激光器聚焦为超短（低100 fs）脉冲持续时间，峰强度为10 15 –10 17 w cm 2的激光器（fullagar，fullagar，harbst et al。，2007年； Korn等。，2002年； Zamponi等。，2009年； Uhlig等。，2013年； Weisshaupt等人。，2014年； Afshari等。，2020）。这会导致表面原子和血浆在陡峭的梯度处的电离（Fullagar，Harbst等人。，2007年； Chen等。，2001年； Brunel，
使用制造商的效果 - 推荐的曝光时间来激活散装填充和常规树脂复合材料
导致修复的过早失败。9-11当RBC聚合时，弹性模量随着树脂成分玻璃体的形式增加，并且低E模量与降低RBC聚合相关。8许多牙医对他们需要多长时间治愈RBC感到困惑。12,13简单的答案是它取决于制造商的说明。但是，临床医生应该遵循哪个制造商，RBC的制造商或光疗养单元的制造商？光光子通过与光引发剂相互作用以产生自由基来介导RBC的聚合。14光引发剂必须暴露于并吸收足够的能量以被激活的正确波长。14,15如果光固化单元（LCU）提供不足的能量或不在光吸收器吸收光谱范围内的光波长，RBC的机械性能可能会受到不利影响。16个LCU的其他方面，例如尖端直径，光束均匀性，辐射功率和辐射暴露也会影响RBC的特性。17-21大多数临床医生不知道其RBC中的光引发系统可能需要不同波长的光和不同量的能量。10个卤素灯散发出一定的滤光灯。这种广泛的波长可以激活牙科中使用的所有光起剂。10但是，大多数牙医现在都使用发光二极管（LED）光。10,11这些LCUS中的LED发射器仅提供狭窄的光范围的光。如果需要更广泛的波长范围，则LCU必须使用几种不同的LED，每种LED产生狭窄的波长带，以创建多波或多波（Vivident）LCU。22,23牙齿RBC中使用的最常见的光引发剂系统是使用樟脑酮（CQ）和胺（1,7,7-7-7,7-二甲基甲基微环状[2.2.1] Heptane-2,3-Dione）作为共同启动器的Norrish II型发起者系统。cq是黄色的，使这些RBC具有淡黄色，如果RBC不充分拍摄，可能会随着时间的流逝而发生更大的变色。24,25当使用了非旧II型光吸剂时，反应速率受到限制，因为必须首先与中间分子（胺）有反应，以产生自由基，从而导致树脂进行聚合。相比之下，Norrish I型发起人迅速将无需中间化合物的一个或多个自由基分解成一个或多个自由基，以发起更快，更有效的反应。14 I型“无胺”光引发剂Ivocerin是一种获得专利产品，目前仅在Ivoclar Vivadent的产品中可用。ivocerin是BIS-（4-甲氧基苯甲酰）二苯甲酰属属衍生物
调查光乙烯基的光学和色散参数
酒精掺杂Safranin O Dye（PVA/SO）薄膜F. Bahrani *，I。K. Jasim，A。Q. A. Q. Abdullah物理系，巴斯拉大学，巴斯拉 - 伊拉克 - 伊拉克的光学特征，多乙烯基酒精/safranin o dye（pva/so so thee films）已通过铸造技术进行了调查。通过X射线衍射分析研究了PVA/薄膜的组成和晶体特征。紫外线 - 可见光谱已被用于测量薄膜的吸收和透射性能通过300-900 nm的波长范围。可以在与直接带间隙相关的吸收系数中识别两个区域，该系数约为基本能量间隙的3.93 eV和发作间隙的2.11EV。已经执行了理论上的挥之不良模型，以量化除振荡能（E O）之外的静态折射率N和分散能。结果表明，该模型中折射率分散的数据服从了单个振荡器，该振荡器用于推断分散体和高频介电常数。在所检查的波长范围内，已经研究了PVA/SO染料薄膜的复杂介电常数。已经估计了载体浓度与有效质量的比率。振荡能值。PVA/SO薄膜具有用于太阳能电池应用的有趣的物理特性。由于这些有机材料的稳定性和光漂白，它们的应用通常在设备中受到限制。（2023年12月18日收到； 2024年2月19日接受）关键词：光学性质，聚乙烯醇，折射率，safranin o Dye，Wemple-Didomenico单振荡器1.引入聚合物和染料组合（在功能性大分子中）在高性能材料方面具有巨大的潜在研究领域。基于此，近年来有色聚合物对于许多技术应用和生活方式的基本组成部分已变得显着巨大。如今，含染料的聚合物的不同应用用于绘画行业，药物，气体分离过程[1]，DSSC [2]，非线性光学元件（NLO）[3]，光发射二极管（LED）[4]和光学存储设备[5]。因此，设计新的潜在杂种系统需要更稳定的染料，例如凝胶宿主中封装的染料分子。显然，这些应用与与相同聚合物结合的染料的性质相关。特定的聚合物亲和力投资于废水工作。Dyes are colored due to the selective absorption of light in the visible spectrum region (400-700 nm), possess at least one chromophore, and have a conjugated system, such as molecules structure with single and double alternating bonds (C-C and C=C bonds) which prepare the material with the π-electron delocalization, However, it is also linked to the intensity of light, as well as exhibit electrons共振[6]。如果缺少分子结构中的任何特征，则可能会丢失颜色。除了发色团外，许多染料中还存在酸性植物基团（颜色助手），例如羟基1基，氨基，磺酸和羧酸。虽然它们的存在不负责颜色，但它们确实会变化，并且通常用于影响染料的溶解度。许多研究已将其嵌入到聚合物中，以获取薄膜，使我们能够利用聚合物的良好性能，例如机械性能以及对有机溶剂和温度的耐药性。在不同的聚合物中使用了合适的宿主材料PVA，因为它具有出色的特征，例如水溶性，化学稳定性，完美的膜形成特征，电荷存储
INP和III-V化合物
III-V半导体材料组的生长特性与硅具有相似的生长特性，该特性在微电子学中已良好。III-V半导体材料是在单晶半导体底物上的外延生长的。主要区别在于光电特性中，大多数III-V半导体具有直接的带隙，这是制造有效激光器和光学放大器的先决条件，缺少属性硅。此外，几个III-V半导体（例如GAAS和INP）具有比硅具有更好的电子性能，这使它们适合于高端RF插图。各种III-V半导体之间的关键差异是波长范围，它们支持光学功能，例如发光，放大，传输和检测光。对于GAA，这是在半导体激光器中应用的第一种III-V材料，操作窗口的范围为800-1100 nm，使其适用于短期通信。GAAS垂直腔表面发射激光器（VCSELS）是短距离（<几百米）通信的主要光源。用于INP及其第四纪化合物Ingaasp和Ingaalas，可以在INP底物上生长，操作窗口范围为1200-1700 nm，范围涵盖了在更长距离（O波段，C-Band，C-Band和l频段）高速通信的最重要波长。因此，这是长时间和中距离高速通信的首选材料。这使其成为在复杂图片中使用的首选材料，在复杂图片中，必须将广泛的功能集成到单个芯片中。光过滤器）。INP及其化合物Ingaasp和Ingaalas的另一个优点是，它们的光学特性（增益，透明度，吸收和检测以及电光调制效率）可以在晶圆中进行本地设计，同时保留在宽波长范围内优化性能的可能性。示例是连贯的发射器和接收器，更一般而言，需要将激光器和光学放大器与有效调节器和检测器集成在一起的任何电路，以及低损坏的被动光元素（例如，用于钝化和隔离的介电材料与用于硅微电子的介电材料非常相似。电气间连接的金属不同。黄金由于其良好的电气和机械性能而经常用于III-V半导体，而由于它具有扩散到硅非常有害的风险，因此它没有应用于硅上。另一方面，铝和铜很少用于III-V材料。特别是铜杂质在III-V材料中降解电和光学特性。晶片小于硅。对于GAAS 4“，6”和8英寸的直径可在市售。INP晶圆具有2英寸，3英寸和4英寸的直径，质量良好。 较大的6英寸晶片可用于研发目的，其蚀刻坑密度（EPD）稍大，在需求增加时将改善。INP晶圆具有2英寸，3英寸和4英寸的直径，质量良好。较大的6英寸晶片可用于研发目的，其蚀刻坑密度（EPD）稍大，在需求增加时将改善。
摘要介绍热成像市场...
标题：迈向多光谱红外成像 演讲者姓名：Elahe Zakizade 博士 公司名称/研究所：弗劳恩霍夫微电子电路与系统研究所 项目名称：Eurostars SPEKTIR 资助小组：Eurostars 摘要是否可以在网站上发表： ☒ 是 ☐ 否 提供最多 500 字的摘要。使用 ARIAL 字体，11 号。如果使用图表，文本和图表必须保持在这一页内。 近年来，热成像相机市场不断增长。主要驱动因素是基于微测辐射热计技术的非制冷红外焦平面阵列 (IRFPA)，因为它们是低成本成像仪，不需要额外的复杂和昂贵的冷却系统。大多数当前的热成像应用都基于长波红外 (LWIR) 辐射的检测，波长覆盖从 8 μm 到 14 μm，对人体温度敏感，不仅可用于军事应用，而且在智能手机、监控摄像头或自动驾驶汽车等大众市场应用中也越来越受欢迎。此外，非制冷热像仪在波长范围为 3 μm 至 5 μm 的中波红外 (MWIR) 中也能敏感。MWIR 传感器可用于监测温度高达几百摄氏度的“热源”、检测危险或易燃气体或环境监测等应用。红外区域多光谱成像的实现引起了广泛关注，因为它能够可视化和组合来自 MWIR 和 LWIR 区域的信息。微测辐射热计作为非制冷 IRFPA 的传感元件，采用热原理运行。它们是独立的隔热传感器膜。它们吸收红外辐射并将其转化为温度上升。微测辐射热计膜的温度变化会导致电阻随入射功率的变化而变化。CMOS 读出电路将微测辐射热计随温度变化的电阻变化转换为数字值并生成图像。实现多光谱吸收的一种有前途的方法是使用等离子体超材料吸收器 (PMA)。在过去的几十年中，等离子体领域因其各种潜在应用而备受关注，尤其是在可见光谱范围内。等离子体结构的研究也已扩展到红外区域，以实现高吸收率并调整中波红外和长波红外光谱区域的吸收波长。实现适用于弗劳恩霍夫 IMS 微测辐射热计技术的合适吸收器的有希望的候选材料是金属-绝缘体-金属 (MIM) 结构，该结构由上部周期性金属结构、中间介电层和下部金属反射层组成，以在所需的吸收波长下产生强局部表面等离子体共振。材料选择，弗劳恩霍夫 IMS 研究了沉积技术和图案化工艺，以实现高灵敏度的多光谱热成像。弗劳恩霍夫 IMS 将报告其在实现多光谱红外成像方面取得的进展。它将展示用于多光谱红外成像的带有等离子体超材料吸收器的微测辐射热计的最新模拟结果和实验表征。
硅光子学
执行摘要 最新技术摘要 在过去 20 年中，硅光子学已成为光子集成电路 (PIC) 的一项极具吸引力的技术，因为它直接建立在硅纳米电子领域的极度成熟基础之上。因此，它开辟了一条通往非常先进的 PIC 的道路，具有非常高的产量和低成本。更准确地说，今天，硅光子 PIC 正在 200 毫米和 300 毫米 CMOS 代工厂中以纳米级精度和可重复性进行商业化生产，这从光子学的角度来看是前所未有的。基本技术利用绝缘体上硅 (SOI) 晶圆，其中埋氧层顶部的硅层充当连接芯片上器件的波导的核心。由于硅是导光材料，氧化硅是包层，该技术可以解决波长范围约为 1 至 4 m 的应用，从而包括以 1300nm、1550nm 和 1550(+)nm（分别为 O、C 和 L 波段）为中心的非常重要的光纤光谱带。硅光子学已经成为十多家公司（其中大部分是无晶圆厂公司）用于数据中心和电信网络中高数据速率收发器产品的首选技术。总的来说，他们向市场部署了估计数百万个硅光子收发器。大约有 20 个硅光子制造平台（部分为工业平台，部分为支持原型设计和小批量制造的研究机构平台）已经建立，这些平台基于现有基础设施和源自硅电子行业的专有技术（见附录 A1）。典型平台允许集成高速调制器和高速 Ge 探测器，符号率范围为 50 至 100 Gbaud，以及用于光束组合/分裂、波长选择功能、偏振选择功能和片外耦合的高级无源功能。一些平台允许其他功能，例如与高级电子设备的集成（单片或混合）、光源的集成（异构或混合）以及面向传感的功能（例如微流体）。大多数平台的运作方式类似于代工厂：任何最终用户都可以访问它们，无论是全掩模版/全晶圆批次 (FRFL) 模式还是成本分摊多项目晶圆 (MPW) 模式，其中最终用户可以提交部分掩模版的设计，并将收到几十个处理过的芯片而不是完整的晶圆。 FRFL 模式成本高昂（数十万欧元/美元），但每芯片成本较低（每芯片约 10 欧元/美元），而 MPW 模式每设计成本更实惠（数十万欧元/美元），但每芯片成本约 1000 欧元/美元。当扩展到更高产量（例如 1000 片晶圆）时，芯片成本可降至每芯片 1 欧元/美元以下，因为固定掩模和间接成本在整个批次中摊销。当代工厂基础设施的投资已经折旧或与其他用户共享时，较低的单芯片成本也会受益。芯片代工厂向其客户提供工艺设计套件 (PDK)。这些 PDK 详细说明了给定平台的设计规则，并包含基本组件和电路库。硅光子学 PDK 的成熟度尚未达到 CMOS IC 代工厂的水平。今天，硅光子学 PDK 仅包含非常基本的构建模块库，特别是对于 MPW 操作模式。未来的硅光子学 PDK 必须包含组件和电路的紧凑模型，其参数基于经过验证的测量数据，并考虑到晶圆之间和晶圆之间的工艺变化。