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World File Search System浮栅管
EMEA NexSys TPPL 产品指南 英文 0824
薄板纯铅 (TPPL) 技术 NexSys ® TPPL 技术与传统铅酸电池相比具有显著优势。铅钙合金板栅在正常运行期间容易腐蚀，导致电流损失和电池寿命缩短。相比之下，纯铅制成的 TPPL 板栅更薄，表面积更大，从而产生更大的功率输出。纯铅晶粒结构可最大限度地降低电阻，并显著降低腐蚀的可能性，从而提高电池的性能和使用寿命。
非对称自共源共栅和分级通道 SOI nMOSFET 中跨电容的模拟性能比较
区域（对应于 MS 晶体管）电子密度从反转开始并经历耗尽，当它到达轻掺杂区域时，电子密度变为反转。因此，A-SC 上的电子密度行为（从反转到耗尽再回到反转）发生在每个晶体管上，而 GC 发生在整个器件长度上。这解释了 A-SC 器件上的凸起如此突出的原因。
通过器件结构设计提高Si-GaN单片异质集成共源共栅场效应晶体管的击穿电压
摘要 — 本工作研究了影响采用转移印刷法制备的Si-GaN单片异质集成Casccode FET击穿电压的因素。这两个因素是Si器件的雪崩击穿电阻和SiN电隔离层的厚度。设计了Si MOSFET和Si横向扩散MOSFET（LDMOSFET）两种器件结构，研究了Si器件的雪崩击穿电阻对Cascode FET击穿特性的影响。分析了SiN电隔离层厚度的影响。最后，单片集成Cascode FET的击穿电压达到了770 V。索引术语 — 单片异质集成；Cascode FET；击穿电压；LDMOS；极化电荷。
Narada REX 800 - 可再生能源储能电池
231 231 正极板 耐腐蚀纯铅、高锡、低钙合金增强栅板 负极板 铅钙合金栅板 隔板 低电阻高密度微孔玻璃纤维垫 容器和盖子 高强度 ABS(HB)。有阻燃版本可供选择（UL94 FV-0，LOI 为 28%） 电解液 密度为 1.28g/ml 的硫酸被 AGM 吸收 端子设计 专利防漏密封配置，带黄铜嵌件 安全阀 校准开启压力，阀门配备阻火器，可提高操作安全性和使用寿命。
Narada-REX-400.pdf - 可再生能源储能电池
正极板 耐腐蚀纯铅、高锡、低钙合金增强栅板 负极板 铅钙合金栅板 隔板 低电阻高密度微孔玻璃纤维垫 容器和盖子 高强度 ABS(HB)。 有阻燃版本可供选择（UL94 FV-0，LOI 为 28%） 电解液 密度为 1.28g/ml 的硫酸被 AGM 吸收 端子设计 专利防漏密封配置，带黄铜嵌件 安全阀 校准开启压力，阀门配备阻火器，以提高操作安全性和使用寿命。
Narada REX 1500 - 可再生能源储能电池
正极板 耐腐蚀纯铅、高锡、低钙合金增强栅板 负极板 铅钙合金栅板 隔板 低电阻高密度微孔玻璃纤维垫 容器和盖子 高强度 ABS(HB)。 有阻燃版本可供选择（UL94 FV-0，LOI 为 28%） 电解液 密度为 1.28g/ml 的硫酸被 AGM 吸收 端子设计 专利防漏密封配置，带黄铜嵌件 安全阀 校准开启压力，阀门配备阻火器，以提高操作安全性和使用寿命。
用于单片三维集成的高性能原子层沉积氧化铟三维晶体管和集成电路
摘要—本文报告了通过与后端工艺 (BEOL) 兼容的原子层沉积 (ALD) 工艺在鳍片结构和集成电路上涂覆 In 2 O 3 3-D 晶体管的实验演示。通过沟道厚度工程和后沉积退火，实现了具有 113 cm 2 /V · s 高迁移率和 2.5 mA/µ m 高最大漏极电流 (ID) 的高性能平面背栅 In 2 O 3 晶体管。演示了基于 ALD In 2 O 3 的高性能零 V GS 负载反相器，其最大电压增益为 38 V/V，最小电源电压 (V DD ) 低至 0.5 V。还演示了通过栅极绝缘体和沟道半导体的低温 ALD 制备的顶栅氧化铟 (In 2 O 3 ) 晶体管，其 ID 为 570 µ A/µ m，亚阈值斜率 (SS) 低至 84.6 mV/decade。然后演示了具有顶栅结构的 ALD In 2 O 3 3-D Fin 晶体管，其受益于 ALD 的保形沉积能力。这些结果表明，ALD 氧化物半导体和器件具有独特的优势，并且有望实现用于 3-D 集成电路的 BEOL 兼容单片 3-D 集成。
纳米级 CMOS 中的模拟和混合信号电路 - 电子书
《模拟电路与信号处理》丛书，前身为《Kluwer 国际工程与计算机科学丛书》，是一套高水准的学术专业丛书，出版有关模拟集成电路和信号处理电路与系统的设计和应用的研究成果。通常每年我们会出版 5-15 本研究专著、专业书籍、手册和编辑本段，分发给世界各地的工程师、研究人员、教育工作者和图书馆。该丛书促进并加快了模拟领域新研究成果和教程观点的传播。全球范围内，该领域开展着大量令人兴奋的研究活动。研究人员正努力通过改进模拟功能来弥合传统模拟工作与超大规模集成 (VLSI) 技术的最新进展之间的差距。模拟 VLSI 已被公认为未来信息处理的主要技术。模拟工作正在显示出巨大变化的迹象，重点是结合设备/电路/技术问题的跨学科研究工作。因此，新的设计概念、策略和设计工具正在被揭示。感兴趣的主题包括：模拟接口电路和系统；数据转换器；有源 RC、开关电容和连续时间集成滤波器；混合模拟/数字 VLSI；仿真和建模、混合模式仿真；模拟非线性和计算电路和信号处理；模拟神经网络/人工智能；电流模式信号处理；计算机辅助设计 (CAD) 工具；新兴技术中的模拟设计 (可扩展 CMOS、BiCMOS、GaAs、异质结和浮栅技术等)；模拟测试设计；集成传感器和执行器；模拟设计自动化/基于知识的系统；模拟 VLSI 单元库；模拟产品开发；射频前端、无线通信和微波电路；模拟行为建模、模拟 HDL。
催化光降解结合微藻斜生栅藻去除水中四环素及藻类光合作用和转录的响应
降解液中的抗生素四环素 (TC) 及其降解产物 (TDPs) 存在严重的环境问题，例如损害人体健康和降低生态风险，因此需要进一步处理后才能排入水环境，此外，它们对微藻的环境影响尚不清楚。本研究采用水钠锰矿光催化和紫外照射降解 TC，随后利用微藻 Scenedesmus obliquus 进行生物净化。此外，还检测了微藻的光合活性和转录以评估 TC 和 TDPs 的毒性。结果表明，光催化降解 30 min 后效率达到 92.7%，检测到 11 种中间产物。微藻在 8 d 后就达到了较高的 TC 去除率 (99.7%)。降解的TC溶液（D）处理下的S. obliquus生物量显著低于纯TC（T）（p < 0.05），且T处理下的S. obliquus恢复力优于D处理。不同处理的转录组分析显示，差异基因表达主要涉及光合作用、核糖体、翻译和肽代谢过程。光合作用相关基因的上调和叶绿体基因的差异表达可能是S. obliquus在暴露于TC和TDPs时获得高光合效率和生长恢复的重要原因。本研究为采用催化降解和微藻净化相结合的方式去除TC提供了参考，也有助于认识TDPs在自然水环境中的环境风险。