CS5095EA是一款5V输入,最大1.2A充电电流,支持 三节锂电池串联应用的升压充电管理IC。 CS5095EA集 成功率MOS,采用异步开关架构,使其在应用时仅需 极少的外围器件,可有效减少整体方案尺寸,降低 BOM成本。 CS5095EA的升压开关充电转换器的工作 频率为500KHz,转换效率为90% 。 CS5095EA内置四个环路来控制充电过程,分别为恒 流 (CC) 环路、恒压 (CV) 环路、芯片温度调节环 路、可智能调节充电电流,防止拉垮适配器输出,并 匹配所有适配器的输入自适应环路。 CS5095EA集成30V OVP 功能,输入端口能够稳定可 靠承受 30V 以内的耐压冲击,并在输入超过 6V 时停止 充电,非常适用于 T Y P E - C 接口的应用。同时芯片 BAT 输出端口耐压 30V ,极大提高了系统的可靠性。 CS5095EA 提供了纤小的 ESOP 8 L 封装类型供客户选 择,其额定的工作温度范围为 -4 0 ℃ 至85 ℃ 。
电源电压,V DD (见注释 1) 8 V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 差分输入电压,V ID (见注释 2) V DD ± . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 输入电压范围,VI (任意输入) –0.3V 至VDD. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 输入电流,I I ± 5mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 输出电流,I O ± 30 mA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 在 T A = 25 ° C (或以下) 时短路电流持续时间 (见注释 3) 无限制 . . . . . . . . . . . . . . 连续总耗散 参见耗散额定值表 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 工作自然通风温度范围,TA –40 ° C 至 85 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .存储温度范围 –65 ° C 至 150 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 距外壳 1.6 毫米 (1/16 英寸) 处的引线温度 10 秒内为 260 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . .
电源电压,V DD1 、V DD2 和 V DD3 (见注 1) 6.5 V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .输出电压范围,VO −0.3 V 至 V DD + 0.3 V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 峰值输入电流(任何数字输入) ± 10 mA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .峰值总输入电流(所有输入)± 30 mA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 工作自然通风温度范围,TA:TLC1550I,TLC1551I −40 ° C 至 85 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TLC1550M −55 ° C 至 125 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 存储温度范围,T stg −65 ° C 至 150 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 秒外壳温度:FK 或 FN 封装 260 ° C . . . . . . . . . . . . . . . ..................................................................................................................................... 距外壳 1.6 毫米(1/16 英寸)处的引线温度持续 10 秒:J 或 NW 封装 260 °C ....................................................................................................................................
⚫ 工作电压:1.75V 至 5.5V ⚫ 平均工作电流:40uA(典型值)@1Con/s,Vcc = 3.3V ⚫ 关断电流:3.0uA(典型值) ⚫ 无需校准的温度精度:± 1 o C 从 20 o C 到 100 o C ⚫ 12 位 ADC,分辨率为 0.0625 o C ⚫ 数字接口兼容 SMBus 和 I 2 C ⚫ 通过设置配置 1 寄存器(RANGE 位)可将温度范围提高到 -64 o C 至 191 o C ⚫ 可编程过/欠警报和带滞后温度的热温度 ⚫ 串行电阻取消 ⚫ 热二极管故障检测 ⚫ 支持 SMBus 警报响应地址(ARA) ⚫ 温度范围: -40 o C 至 125 o C ⚫可用封装: MSOP-10 应用
摘要 — 本文介绍了一项关于 28 nm FD-SOI MOSFET 参数提取和分析的分析性实验研究,温度范围从室温到 25 K,栅极长度从微米到纳米。结果表明,FD-SOI 器件随温度变化的行为可以通过深低温条件下已建立的物理理论可靠地描述:玻尔兹曼统计和声子散射机制是决定器件电行为的两个主要因素。此外,我们还展示了 Y 函数作为一种参数提取方法的优势,适用于不同的通道长度和宽的温度范围。我们展示了阈值电压、亚阈值摆幅、低场迁移率和源漏串联电阻对温度的依赖性,以及栅极长度减小如何影响这些特性。
尺寸 d20 – d110 符合 ISO 10931 原材料的温度范围 -76 °C 至 140 °C (-104.8 °F 至 284 °F) 化学品的温度范围 0 °C 至 +80 °C (32 °F 至 176 °F) 表面特性 注塑件和挤压件内表面 Ra < 0.5 µm (20 µin) 内部应力 管道:≤ 2.5 N / mm 2 ;制造过程中通过热退火消除应力 包装 管道与配件一样带盖并单独用箔纸包装 标记和标签 在生产过程中,所有组件都压印有永久性标识,以确保完全可追溯性: - 品牌名称 - 材料 - 尺寸 - 压力等级 用于区分 SYGEF ECTFE 和 SYGEF Standard PVDF 的彩色标签
电源电压,V DD1 、V DD2 和 V DD3 (见注 1) 6.5 V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .输出电压范围,VO −0.3 V 至 V DD + 0.3 V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 峰值输入电流(任何数字输入) ± 10 mA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .峰值总输入电流(所有输入)± 30 mA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 工作自然通风温度范围,TA:TLC1550I,TLC1551I −40 ° C 至 85 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TLC1550M −55 ° C 至 125 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 存储温度范围,T stg −65 ° C 至 150 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 秒外壳温度:FK 或 FN 封装 260 ° C . . . . . . . . . . . . . . . ..................................................................................................................................... 距外壳 1.6 毫米(1/16 英寸)处的引线温度持续 10 秒:J 或 NW 封装 260 °C ....................................................................................................................................
精神噬菌体是偏爱感冒的细菌。其理想的生长温度范围从-5c到15C。它们通常在冰川供应的溪流中发现,尤其是在北极和南极地区。细菌在中等温度的条件下被称为中介体繁殖。其理想的生长温度范围为25至45摄氏度。大多数细菌,包括居住在人体和普通土壤细菌上的细菌。嗜热剂是享受热量的细菌。它们在45至70摄氏度的温度下蓬勃发展,并且经常在堆肥和温泉中发现。细菌被称为高疗中的细菌在极度炎热的环境中壮成长。其理想的生长温度从70C到110c。它们通常属于古细菌,可以在非常深的海洋深处的水热通风口中找到。
使用圆柱形腔体测量天然气成分的多组分混合物。这些数据涵盖了 250 至 350 K 的温度范围,压力高达 10 MPa。数据的不确定性约为 0.05%。二元混合物
