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里士满谷洪水研究
本报告由BMT Commercial Australia Pty Ltd（“ BMT”）编写，用于BMT的客户（“客户”）。没有第三方可以依靠本报告的内容。在法律合法允许的范围内，任何第三方的责任都因依赖本报告内容而引起的任何损失或损害所造成的所有责任都被排除在外。根据客户或其雇员，顾问，代理商和/或顾问为BMT Commercial Australia Pty Ltd（“ BMT”）提供的信息，为此目的准备了此报告，并且BMT尚未试图验证此类信息的完整性或准确性。因此，BMT对合同，侵权或其他任何损失，损害，索赔或其他需求不承担任何责任，无论是直接或间接而出现的，无论是直接还是间接出现此类信息的完整性或准确性，或与本报告中所包含的任何建议或提议有关的任何建议或建议是基于这些信息，或从这些信息中得出的。bmt在本报告中不提供任何建议或建议，因为任何建议或提案都包含或源自或以其他方式依赖此类信息，也不承担任何责任，以实施任何建议或建议在其控制下或以其建议符合其建议的方式执行任何建议或建议。
4.2 一维无限方阱势
通过将粒子困在有限的区域内，我们可以获得有关其位置的信息。因此，无法完全精确地了解其动量，这阻止了粒子处于静止状态的任何可能性。因此，最低能量不能为零，这一事实与不确定性原理相符。
强偏振量子阱红外光电探测器...
多光谱和/或极化成像是下一代红外摄像机不可避免的要求。1–9与单色/全球成像相比，狭窄和多光谱的成像可以提供更丰富的对象信息，从而确定对象的绝对温度，并降低相机对大气条件的敏感性。几个相邻光谱通道的组合有助于在复杂的环境中检测到埋藏的物体。5人工对象（例如金属和玻璃）通常具有与天然物体的极化特性不同的。因此，获取极化信息有可能识别某些对象，被认为是提高识别效率并减少错误警报的重要手段。2–4传统的多光谱和极化技术基于单个光谱焦平面阵列，光谱仪和/或极化器的掺入，这些光谱平面阵列，光谱仪和/或极化器通常需要高成本的机械扫描仪器和额外的空间。这些附加
里士满 2023-24 年转学指南
如果您的孩子已经在学校上学，而您正考虑将他们转到另一所学校，这可能会很困难。名额已经分配，可用名额有限。当孩子在同一所学校连续教学和学习时，他们的教育通常会受益最多。如果您希望您的孩子转到另一所学校，您应该与您孩子目前学校的校长讨论以解决任何问题或疑虑。在可能的情况下，不要将您的孩子从他们现在的学校转出，直到确保另一个名额为止，因为他们可能会停课数周。
16 bit 模数转换器TM7706 - NET
注释： 1.B 级温度范围为 -40 ℃ ~+85 ℃。 2.这些数据是按最初设计的产品发布的。 3.一次校准实际上是一次转换，因此这些误差就是表 1 和表 3 所示转换噪声的阶数。这 适用于在期望的温度下校准后。 4.任何温度条件下的重新校准将会除去这些漂移误差。 5.正满标度误差包括零标度误差 （ Zero-Scale Error ）（单极性偏移误差或双极性零误 差），且既适用于单极性输入范围又适用于双极性输入范围。 6.满标度漂移包括零标度漂移 （单极性偏移漂移或双极性零漂移）且适用于单极性及 双极性输入范围。 7.增益误差不包括零标度误差，它被计算为满标度误差——对单极性范围为单极性偏移 误差，而对双极性范围为满标度误差——双极性零误差。 8.增益误差漂移不包括单极性偏移漂移和单极性零漂移。当只完成了零标度校准时，增 益误差实际上是器件的漂移量。 9.共模电压范围：模拟输入电压不超过 V DD +30mV ，不低于 GND-30mV 。电压低于 GND-200mV 时，器件功能有效，但在高温时漏电流将增加。 10.这里给出的 AIN （ + ）端的模拟输入电压范围，对 TM7706 而言是指 COMMON 输入 端。输入模拟电压不应超过 V DD +30mV, 不应低于 GND-30mV 。 GND-200mV 的输入 电压也可采用，但高温时漏电流将增加。 11.VREF=REF IN （ + ）－ REF IN （ - ）。 12.只有当加载一个 CMOS 负载时，这些逻辑输出电平才适用于 MCLK OUT 。 13.+25 ℃时测试样品，以保证一致性。 14.校准后，如果模拟输入超过正满标度 , 转换器将输出全 1, 如果模拟输入低于负满标度， 将输出全 0 。 15.在模拟输入端所加校准电压的极限不应超过 V DD +30mV 或负于 GND － 30mV 。 16.当用晶体或陶瓷谐振器作为器件的时钟源时 （通过 MCLK 引脚 ）， V DD 电流和功耗 随晶体和谐振器的类型而变化 （见“时钟和振荡器电路”部分）。 17.在等待模式下，外部的主时钟继续运行， 5V 电压时等待电流增加到 150 μ A ， 3V 电 压时增加到 75 μ A 。当用晶体或陶瓷谐振器作为器件的时钟源时，内部振荡器在等待 模式下继续运行，电源电流功耗随晶体和谐振器的类型而变化 （参看“等待模式” 一节）。 18.在直流状态测量，适用于选定的通频带。 50Hz 时， PSRR 超过 120dB （滤波器陷波 为 25Hz 或 50Hz ）。 60Hz 时， PSRR 超过 120dB （滤波器陷波为 20Hz 或 60Hz ）。 19.PSRR 由增益和 V DD 决定，如下：
用于量子计算的离子阱建模和制造
量子计算机有多种架构，主要包括基于离子阱、超导、光子学和电子的量子计算机。与其他架构相比，离子阱量子计算机的主要优势在于其量子比特相干时间长，门保真度高 [2]。用于量子计算应用的离子阱主要有两种。第一种是三维线性保罗阱，传统上是将四根导电棒平行放置成方形。两根相对的棒接地，而另外两根棒施加射频信号。然后可以将一串离子捕获在这四根棒的中间。这些设备具有深捕获电势，但体积较大，难以扩大捕获离子量子比特的数量 [2]。人们尝试使用传统半导体技术制造三维离子阱；然而，该过程耗时长，并导致其他问题，例如光学性能差
QCCD 离子阱量子计算机架构演示
我们报告了离子阱 QCCD（量子电荷耦合器件）架构的所有必要组件集成到坚固、完全连接且可编程的离子阱量子计算机中的情况。该系统采用 171 个 Yb + 离子作为量子比特，138 个 Ba + 离子用于协同冷却，并围绕 Honeywell 低温表面阱构建，能够进行任意离子重排和跨多个区域的并行门操作。作为最小演示，我们并行使用两个空间分离的交互区域来执行任意四量子比特量子电路。通过各种方式在组件级别和整体级别对该架构进行了基准测试。包括状态准备和测量、单量子比特门和双量子比特门在内的各个组件都具有随机基准测试的特征。整体测试包括并行随机基准测试，显示不同门区域之间的串扰可以忽略不计，利用中间电路测量的传送 CNOT 门，以及 2 4 的量子体积测量。
里士满桥阶段2 - 环境因素的审查
Richmondbridge@transport.nsw.gov.au亲爱的先生/里士满桥阶段2 - 环境因素的回顾，我指的是上述里士满桥阶段2 - 目前在公开展览中的环境因素的评论。理事会在2025年2月4日至18日的普通会议上正式考虑了对环境因素的审查，并决心提出评论以供考虑。理事会不考虑有关对环境因素审查的最终评论（参考）。理事会不认可所提出的项目。我们严重担心该项目不会减轻交通拥堵，可能会对洪水行为产生不利影响。在审查对环境因素的审查时，理事会希望提出一系列需要关注和其他信息的重大问题。理事会要求以下内容：
TSV 集成表面电极离子阱可扩展...
1 新加坡科技研究局（A*STAR）微电子研究所，新加坡 117685 2 巴黎大学材料与现象实验室，法国巴黎 F-75013 3 南洋理工大学电气与电子工程学院，新加坡 639798 在本研究中，我们报告了一种铜填充硅通孔 (TSV) 集成离子阱的设计、制造和操作。TSV 被直接放置在电极下方，作为离子阱和玻璃中介层之间的垂直互连，随着电极数量的增加和复杂性的提高，可实现任意几何设计。TSV 的集成将离子阱的形状因子降低了 80% 以上，将寄生电容从 32±2 pF 最小化到 3±0.2 pF。尽管没有接地屏蔽层，但仍实现了低射频耗散。整个制造过程在 12 英寸晶圆上进行，并与成熟的 CMOS 后端工艺兼容。我们通过加载和激光冷却单个 88 Sr + 离子展示了该阱的基本功能。我们发现，加热速率（轴向频率为 300 kHz 时为 17 量子/毫秒）和寿命（约 30 分钟）与类似尺寸的阱相当。这项工作开创了 TSV 集成离子阱的发展，丰富了可扩展量子计算的工具箱。
InSb量子阱器件中的量子传输
摘要 InSb 是一种窄带 III-V 族半导体，具有带隙小、电子有效质量小、电子迁移率高、有效 g 因子大、自旋轨道相互作用强等特点，这些独特性质使 InSb 在工业应用和量子信息处理方面都具有广阔的应用前景。本文综述了 InSb 量子阱器件量子输运研究的最新进展。随着高质量异质结构生长和微纳制造技术的进步，基于 InSb 量子阱的低维体系中已经开展了量子输运实验。此外，在未掺杂的 InSb 量子阱中已经实现了双极操作，从而可以系统地研究 p 型窄带半导体的能带结构和量子特性。此外，作为对更窄带隙半导体物理探索的延续，我们介绍了对 InAsSb 量子阱的最新研究成果。