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石墨烯量子点中激光诱导高阶波混频和谐波产生
我们介绍了在石墨烯量子点 (GQD) 中通过强双频圆形激光场得出的高阶波混频/谐波产生 (HWM/HHG) 与多体相互作用过程的数值研究结果。展示了这种激光场的相对相位对 GQD 中产生的高阶谐波光谱的影响。这可能允许控制产生的谐波的极化。GQD 由最近邻紧束缚 (TB) 模型描述。在扩展的 Hubbard 近似中考虑多粒子相互作用。我们使用我们已经应用的方法求解带电载流子的现场表示中的量子动力学方程，并获得了 GQD 中高阶波混频/谐波产生过程的通用公式。由于光波点系统的对称性匹配，HWM/HHG 产量的显着提高发生在具有特定群对称性的 GQD 中。对所得结果的分析证实了在双频圆形激光场的某些相位下，具有锯齿状边缘的三角形和六边形GQDs中的HWM/HHG具有足够的效率。
三角形三重量子点中浆果相的手学电流调节和检测
基于运动的分层方程（HEOM）计算，我们从理论上研究了连接到两个储层的三角形三量子点（TTQD）环的相应控制。我们最初通过添加偏置电压并进一步调节量子点之间的耦合强度来证明，偏置引起的手性电流将通过顺时针向逆时针方向转换，并触发前所未有的有效霍尔角。转换非常快速，相应的特征时间为80-200 ps。另外，通过添加磁性弹力来补偿原始系统中的手性电流，我们阐明了施加的磁性环与浆果相之间的关系，该相位可以直接测量手性电流并揭示磁电耦合关系。
体育场形成单层和双层石墨烯量子点中的成像量子干扰
摘要：基于石墨烯的体育场形量子点（QD）的实验实现很少，并且与扫描的探针显微镜不相容。然而，这些QD中电子状态的直接可视化对于确定这些系统中量子混乱的存在至关重要。我们报告了由单层石墨烯（MLG）和双层石墨烯（BLG）组成的异质结构设备中静电定义的体育场形状QD的制造和表征。要实现体育场形状的QD，我们利用扫描隧道显微镜的尖端在支撑六角硼氮化硼中充电。体育场的可视化状态与基于紧密结合的模拟一致，但缺乏清晰的量子混乱特征。基于MLG的体育场QD中缺乏量子混乱特征归因于由于克莱因隧穿而引起的配置潜力的泄漏性质。相反，对于基于BLG的体育场QD（具有更强的配置）的量子混乱是由平滑的配置电势所阻止的，从而降低了状态之间的干扰和混合。关键字：量子点，单层石墨烯，双层石墨烯，量子混乱，STM
通过控制表面化学计量法来调整INP胶体量子点中的辐射寿命。
表1：在所有调查的CQD中，计算的CBM和VBM电荷密度（％）作为在球体内部的正方形的积分（与NC的同心）中的正方形的积分，半径为50％至90％的NC Radius R范围为NC Radius R R（无论是Cation-还是Anion-rich-Rich）。为例，在半径为14°A的INP NC中（富含磅的表面）42％的CBM，并且只有7.9％的VBM位于半径为8.4°A的球体中（即60％R）。因此，我们得出的结论是，该点中的大多数VBM电荷密度都包含在其外部，即在内半径= 8.4°A和外半径= r的球形壳中。
大麻素受体2结合位点中的水分子对新型配体的发现至关重要
大麻素受体2（CB 2 R）具有相当大的治疗和科学意义。因此，发现和调节这种回收物的新分子的发现，理想地选择性地对其最接近的相对相对的大麻素受体1，非常重要。在这项研究中，我们旨在发现使用硅离子座屏幕中的大型库来发现针对CB 2 R的新型配体。但是，由于CB 2 R结合位点由于其疏水性而难以针对硅方法，因此我们使用了各种筛选方法，包括将水分子放置在受体结合位点的预测水位位置，以及针对多个停靠设置和受体构象的筛选。我们系统地评估了这些不同的方法，以支持CB 2 R和其他受体的未来筛选。在当前工作中，每个设置都贡献了不同的内在活动的不同配体，与单个屏幕相比，总体上提高了命中率。，一个系列具有先前未描述的脚手架的高亲和力配体。
石墨烯量子点中激光诱导高次谐波产生和高阶波混频
我们展示了高阶波混频/高次谐波产生（HWM/HHG）的数值研究结果，其中考虑了石墨烯量子点（GQD）中双频圆形强激光场引起的多粒子相互作用过程。显示了这种激光场的相对相位对 GCT 中产生的高阶谐波光谱的影响。这可以控制产生的谐波的极化。 GCT 由紧密耦合的最近邻 (TN) 模型描述。扩展哈伯德近似考虑了多粒子相互作用。我们利用已经应用的方法来解决带电载流子局部表示中的量子动力学方程，并获得了 GQD 中 SVV/SHG 过程的一般公式。对所得结果的分析证实了在双频圆形激光场的某些相位下，具有锯齿状边缘的三角形和六边形GCT中SHG具有足够的效率。
补充信息：利用薄硅量子阱降低量子点中的电荷噪声
其中，我们计算形成量子阱的平面数 ( n qw ) 并乘以 d qw 。因此，厚度测量的预期不确定性在于是否考虑了阱的初始平面和最后一个平面，即标准偏差由 σ = 2 d qw 给出。考虑到这一点，对于异质结构 B，其中 x = 0.31，在量子阱的不同区域 n qw = 33（3 次）和 34 进行了四次不同的测量，计数（002）平面。在平均实验 δ 为 -1.6±0.2 % 的情况下，我们得到 d qw = 2.704±0.007 Å，从而得到平均厚度 t qw = 9.0±0.5 nm。对于异质结构 C，x = 0. 31 并进行了两次计数 (002) 面的测量，n qw = 19 和 20。根据平均实验 δ -1.7±0.5 %，我们获得 d qw = 2 . 701 ± 0 . 014 Å，从而得出平均厚度 t qw = 5 . 3 ± 0 . 5 nm。
科学家实现双层石墨烯量子点中自旋填充序列的电气操纵
在有机材料中，激子必须首先移动材料，然后分离并产生可用的电流。Biaggio的实验室使用激光来激发这些颗粒并观察其量子级相互作用。研究人员通过短激光脉冲和荧光跟踪激子行为，分析“量子节拍”以研究复杂的过程，例如单线裂变，三重态传输和三重态融合。单线裂变将初始激发（以自旋0，称为单重）分为两个三重态激子（每个带有自旋1），该激励仍保持在纠缠量子状态下的合并旋转0。
论文：通过破坏 T 对称性的合成自旋轨道耦合来操纵量子点中的自旋和退相干
摘要 量子点 (QD) 中自旋量子比特的电控制依赖于自旋轨道耦合 (SOC)，它既可以是底层晶格或异质结构的固有特性，也可以是外部特性，例如通过微磁体。在实验中，微磁体已被用作合成 SOC，以使量子点中的自旋量子比特与电场强耦合。在这里，我们从理论上研究了由于合成 SOC 诱导的自旋轨道混合而导致的 QD 中电子的自旋弛豫、纯失相、自旋操纵和自旋光子耦合。我们发现，与固有 SOC 的情况相比，合成 SOC 存在时自旋动力学存在质的差异。具体而言，由于合成 SOC 和形变势声子发射（或约翰逊噪声）引起的自旋弛豫表现出对磁场的 B 5 0（或 B 0 ）依赖性，这与本征 SOC 的 B 7 0（或 B 3 0 ）依赖性形成对比。此外，电荷噪声会导致合成 SOC 发生快速自旋失相至一阶，这与本征 SOC 可忽略的自旋纯失相形成鲜明对比。这些定性差异归因于合成 SOC 的时间反转对称性（T 对称性）破缺。具有破缺 T 对称性的 SOC（例如来自微磁体的合成 SOC）消除了“范弗莱克抵消”并导致有限的纵向自旋-电耦合，从而允许自旋和电场之间的纵向耦合，进而允许自旋纯失相。最后，通过适当选择磁场方向，可以改善通过合成 SOC 实现的电偶极子自旋共振，并在基于自旋的量子计算中具有潜在的应用。
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在线测试系统提供田纳西州ELPA21和ALT ELPA测试，包括练习站点和操作测试站点。实践站点与操作测试站点的功能相同。但是，实践和操作站点中可用的测试不同。在实践测试管理站点中进行的测试是实践的，而操作测试管理站点中提供的测试是运营的，学生的分数将是正式的。