摘要:本文研究了利用廉价的细通道雾化CVD面对面加热板在c面蓝宝石衬底上生长α-Ga2O3薄膜的方法。由于高温会导致反应器变形,传统的细通道雾化CVD设备采用价格昂贵的抗变形AlN陶瓷作为反应器制作材料,限制了其推广和研究。本文采用面对面加热方式替代传统的单面加热方式,降低了对设备密封性的要求,因此可以用廉价的石英代替昂贵的AlN陶瓷制作反应器,大大降低雾化CVD设备的成本。研究了衬底温度和载气对α-Ga2O3薄膜晶体质量和表面形貌的影响。通过优化制作条件,获得了三角形晶粒,其边缘在原子力显微镜图像中清晰可见。通过吸收光谱分析,我们还发现该薄膜的光学带隙达到了5.24 eV。最后,我们在X射线衍射图中记录到了α-Ga 2 O 3 (0006)衍射峰的半峰全宽值为508角秒。
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