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摘要：本文研究了利用廉价的细通道雾化CVD面对面加热板在c面蓝宝石衬底上生长α-Ga2O3薄膜的方法。由于高温会导致反应器变形，传统的细通道雾化CVD设备采用价格昂贵的抗变形AlN陶瓷作为反应器制作材料，限制了其推广和研究。本文采用面对面加热方式替代传统的单面加热方式，降低了对设备密封性的要求，因此可以用廉价的石英代替昂贵的AlN陶瓷制作反应器，大大降低雾化CVD设备的成本。研究了衬底温度和载气对α-Ga2O3薄膜晶体质量和表面形貌的影响。通过优化制作条件，获得了三角形晶粒，其边缘在原子力显微镜图像中清晰可见。通过吸收光谱分析，我们还发现该薄膜的光学带隙达到了5.24 eV。最后，我们在X射线衍射图中记录到了α-Ga 2 O 3 (0006)衍射峰的半峰全宽值为508角秒。
使用雾化 CVD 面对面加热板制备 Ga2O3 薄膜
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