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在 CVD 石墨烯上无种子层沉积高 k 电介质以增强栅极控制能力
摘要：栅极绝缘体是决定石墨烯场效应晶体管 (GFET) 性能的最重要因素之一。栅极电压对导电通道的良好静电控制需要较薄的栅极氧化物。由于缺乏悬挂键，通过原子层沉积 (ALD) 工艺生长的栅极介电膜通常需要种子层。种子层可实现介电膜的高质量沉积，但可能导致最终介电膜厚度大幅增加。针对该问题，本文提出了一种改进工艺，在原子层沉积之前使用蚀刻溶液去除自氧化的 Al 2 O 3 种子层，Al 2 O 3 残留物将提供石墨烯表面的成核位点。受益于电介质膜厚度的减小，与使用标准 Al 蒸发种子层方法的 GFET 相比，使用此方法作为顶栅电介质膜沉积工艺的 GFET 的跨导平均增加了 44.7%。
石墨烯上 AlN 的原子层沉积
M. Beshkova*、P. Deminskyi、C.-W Hsu、I. Shtepliuk、I. Avramova、R. Yakimova 和 H. Pedersen Docent M. Beshkova 电子研究所，保加利亚科学院 72 Tzarigradsko Chaussee Blvd, 1784 Sofia, Bulgaria 电子邮件：mbeshkova@yahoo.com P. Deminskyi 博士、Dr. C.-W Hsu，I. Shtepliuk 博士，林雪平大学物理、化学和生物系 SE-58183 林雪平，瑞典 保加利亚科学院普通与无机化学研究所讲师 I. Avramova。 G.邦切夫街BL。 11，1113 索非亚，保加利亚 R. Yakimova 教授，H. Pedersen 教授 林雪平大学物理、化学和生物系 SE-58183 林雪平，瑞典 关键词：AlN、SiC、石墨烯、ALD、SEM、AFM、XPS 摘要