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World File Search System烯和硼烯
PowerPoint 简报
TEAl : 三乙基铝 ( C 2 H5 ) 3 Al TMGa : 三甲基镓 ( CH 3 ) 3 Ga TMIn : 三甲基铟 ( CH3 ) 3 In DETe : 二乙基碲 ( C 2 H5 ) 2 Te DEZn : 二乙基锌 ( C 2 H5 ) 2 Zn CP 2 Mg : 双(环戊二烯基)镁
对石墨烯和石墨烯复合材料的评论，用于在电磁屏蔽中
摘要作为现代社会中通信，信息和感知的无线解决方案，电磁波（EMW）为人们日常生活质量的提高做出了巨大贡献。同时，EMWS产生电磁污染，电磁干扰（EMI）和射频（RF）信号泄漏的问题。这些情况导致对有效的EMI屏蔽材料的需求很高。要设计EMI屏蔽产品，必须在电磁屏蔽效率，屏蔽材料的厚度，耐用性，机械强度，体积和重量减小以及弹性之间实现折衷。由于其阻断EMW，柔韧性，轻质和化学电阻率的效果，石墨烯已被确定为有效的候选材料，以进行有效的EMI屏蔽。在此，我们审查了研究各种基于石墨烯的复合材料作为潜在的EMI屏蔽材料的研究，重点是基于石墨烯和银纳米线的复合材料，原因是它们的高EMI屏蔽效率，低产量和有利的机械性能。
反应条件对石墨烯氧化石墨烯特性的影响
摘要：本研究的重点是三个参数之间的相关性：（1）石墨粒径，（2）石墨与氧化剂的比率（KMNO 4），以及（3）石墨与酸（H 2 SO 4和H 3 PO 4）的比率（H 2 SO 4和H 3 PO 4），具有氧化物氧化物的性质，结构和特性（GO）。相关性是一个挑战，因为由于系统粘度的变化，这三个参数几乎无法彼此分开。石墨颗粒越大，GO的粘度越高。将石墨与KMNO 4的比率从1：4到1：6降低，通常会导致更高的氧化程度和更高的反应产率。但是，差异很小。除最小的颗粒以外，将石墨与酸 - 酸体积比从1 g/60 mL增加到1 g/80 ml，降低了氧化程度，并稍微降低了反应产率。然而，反应的产率主要取决于水的纯化程度，而不是反应条件。GO热分解的较大差异主要是由于块状粒径，而其他参数则较小。
多巴胺检测用硼掺杂金刚石膜电极材料与电化学性能研究
摘要 ：脑内神经递质多巴胺 (DA) 的含量异常与帕金森病、阿尔兹海 默症等神经系统类疾病的发生发展密切相关，精准、实时监测其脑 内含量可作为临床诊疗的重要参考。电化学分析法具备成本低、响 应快、可实现体内实时监测等优势。然而，脑内复杂环境中蛋白吸 附、多物质共存等因素会极大干扰多巴胺的定量分析，这对电极的 灵敏度、选择性和稳定性提出了极高的要求。因此，研发出满足要 求的电极材料是实现多巴胺电化学检测临床应用的关键。掺硼金刚 石 (BDD) 电极生物相容性好、背景电流低、电势窗口宽、抗吸附性 强、化学稳定性高，相较于易团聚、易脱落而失效的金属纳米颗粒 或电阻较大的高分子材料， BDD 电极更具潜力解决上述多巴胺检测 的难点问题。然而， BDD 电极虽能有效抵御蛋白吸附，但在多巴胺 的选择性检测方面存在不足： BDD 电极表面缺乏能够高灵敏度、高 选择性检测多巴胺分子的官能团。因此，在保持 BDD 本征特性的基 础上，系统研究 BDD 电极表面改性与功能化修饰对电化学检测多巴 胺的选择性、灵敏度和稳定性的影响机理，是 BDD 电极实现临床应 用的关键。基于此，本论文从 BDD 膜电极的功能性改性与修饰到 BDD 微电极体内检测，系统研究了 BDD 膜电极在多巴胺电化学检测 中的作用机理，揭示了 BDD 电极界面性质对多巴胺分子氧化过程的 影响规律，所得具体结论如下： (1) 针对 BDD 电化学活性较低的问题，采用高温溶碳刻蚀和滴 涂修饰方法，在 BDD 电极表面刻蚀纳米孔洞并修饰 Nafion 选择性透 过膜（ NAF ），制备了 Nafion 修饰的多孔 BDD 复合电极 NAF/pBDD ； 研究了该复合电极对多巴胺的电化学检测机理，揭示了 NAF/pBDD 复合电极比 BDD 电极具有更多活性位点的原因，同时探究了 Nafion 膜对多巴胺和抗坏血酸的作用机制；该电极针对多巴胺的检测限 (42 nM) 和检测线性范围 (0.1 ~ 110 μM) 相较于 BDD 均得到了有效改善。 (2) 针对 BDD 电极对多巴胺选择性较弱的问题，在 pBDD 表面 修饰活性更高的纳米炭黑颗粒 (CB) ，制备了 NAF-CB/pBDD 复合电 极，研究了炭黑颗粒的加入对主要干扰物抗坏血酸 (AA) 电化学响应 的影响机理，揭示了该电极在高浓度、多干扰物并存环境下对多巴 胺的选择性检测机制。结果表明，该电极可有效将干扰物抗坏血酸 的氧化电位提前以减少对多巴胺信号的干扰，检测限 (54 nM) 和检测
用还原石墨烯氧化石墨烯的玻璃纤维的制造和特征评估
摘要：石墨烯电子纺织品（电子纹理）最近被认为是功能性纺织品领域的有前途的材料以及柔性/可穿戴电子产品。在本文中，我们报告了一种高度导电，柔性的石墨烯织物，该织物由氧化石墨烯（RGO）（RGO）片和玻璃织物组成，结合了表面化学和简单的浸入方法。我们还研究了它们的电子和机电特性，用于电子纺织品和柔性电子。拟建的RGO玻璃织物（RGOGFS）表现出良好的板电阻为30〜40Ω /□。此外，还研究了灵活性和机械稳定性。我们的RGOGF可以保持大于〜5 mm的曲率半径的稳定电阻。良好的电导率和柔韧性表明，RGOGFS在电子纹理和柔性设备中的应用可能具有巨大的潜力。
溶解氧含量对石墨烯氧化石墨烯的光催化性能的影响
石墨烯是一种二维的基于碳的光催化剂，显示出很大的希望。这项研究使用氧化石墨烯（GO）与传统的水处理程序，例如离子交换和吸附进行了比较新有机染料甲基蓝（MB）的光催化降解。在这项研究中，通过在水溶液中的光降解甲基蓝（MB）评估了GO和过氧化氢（H 2 O 2）的光催化活性。使用X射线粉末衍射（XRD），扫描电子显微镜（SEM），能量色散光谱（EDX）和傅立叶变换红外射线光谱（FTIR）检查所得的GO纳米颗粒。XRD数据验证了以2θ≈10.44°为中心的强峰，对应于GO的（002）反射。我们的研究发现，纳米颗粒和H 2 O 2在自然阳光照射下在60分钟内的pH〜7时，H 2 O 2的h 2 O 2达到了〜92％的照片脱色。此外，还研究了溶解氧（DOC）和H 2 O 2对MB降解的影响。实验结果表明，氧是增强光催化降解的决定性因素。直接光催化（MB/GO）和H 2 O 2辅助光催化（MB/H 2 O 2/GO）导致DOC 3.5 mgl -1的降解速率常数（K1）从0.019增加到0.019升至0.019升至0.042 min -1。在这种情况下，H 2 O 2充当电子和羟基自由基（•OH）清除剂；但是，添加H 2 O 2应达到正确的剂量，以增加MB分解。将初始DOC含量从2.8增加到3.9 mgl -1导致降解速率常数（K1）从0.035增加到0.062 min -1。对直接和H 2 O 2辅助光催化的光降解机理和动力学进行了研究。
石墨烯的未来潜力
水泥添加剂或水泥研磨助剂 (CGA) 的范围从纯研磨助剂到功能性添加剂和性能增强剂。后者是目前使用最广泛的产品类型。性能增强剂可以提高研磨过程的效率并改善关键的机械性能，例如抗压强度。使用性能增强剂的主要原因之一，除了降低能耗外，是需要降低任何给定水泥的熟料系数。熟料不仅是水泥中最昂贵的成分，也是造成最高相关二氧化碳排放量的成分。如果可以用较低的熟料系数保持相同的水泥性能，那么这是一个双赢的局面。当前的性能增强剂通常依赖于乙二醇和胺化学的组合。这些可使抗压强度提高约 10-20%，同时将熟料系数降低高达 5%，尽管个别情况可能有很大差异。这不仅仅是添加更多产品来获得更大的强度增加或更大的熟料减少的情况。由于这些化学物质在水泥水化过程中相互作用，添加过量会导致性能下降。为了进一步减少熟料，应该研究替代技术，先进材料公司 First Graphene Ltd 与 Fosroc International（一家全球建筑行业高性能化学品制造商和供应商）之间的合作显示出巨大的前景。该合作正在考虑利用添加量极小的石墨烯来实现更高水平的熟料替代。
研究石墨烯-wo3-Tio2 ...
一种水热方法用于合成不同的光射道，以在染料敏化的太阳能电池（DSSC）中应用。这些光射手包括WO 3，Tio 2，石墨烯-Tio 2，Wo 3 -tio 2和石墨烯3 -tio 2的纳米结构。使用扫描电子显微镜（SEM），能量分散性X射线光谱（EDS），紫外线可见光谱（UV-VIS）和傅立叶转换红外光谱光谱（FTIR）分析纳米颗粒的形态。结果表明，石墨烯 - -tio 2纳米结构具有较大的表面积，为有效的太阳能转化提供了更多的活性位点。值得注意的是，DSSC合并了石墨烯3 -tio 2纳米颗粒电极的表现仅基于TiO 2和WO 3，其较高的短路电流密度为7.5 mA.cm -2，开放式电路电压为0.68 V，填充因子为0.46，填充因子为0.46，功率为2.4％。相反，纯TiO 2和WO 3细胞仅达到0.88％和0.69％的效率。三元纳米结构的出色电子迁移率促进了电荷捕获并注入导电基板，从而减少了重组。此外，WO 3纳米棒和石墨烯的散射效应增强了光阳极中的光收集，从而导致太阳能电池的总体效率提高。这些发现突出了合成石墨烯的潜力，可以在DSSC中应用于有希望的光阳极材料。
基于石墨烯/SIC的D-Band ...
Abstrac T： - 基于异构结构的石墨烯/4H-SIC和基于同型的石墨烯，4H-SIC双滴区（DDR）影响电离雪崩传输时间（IMPATT）DIODES DIODES在140GZ处于140GZ的作用。通过使用漂移扩散模型，作者研究了DC，硫二极管的小信号特性。全面的仿真结果表明，与其他同行相比，石墨烯/4H-SIC DDR IMPATT在效率和输出功率方面的表现更好。石墨烯/4H-SIC DDR支持用理想的偏置电流密度为6.51×10 8 A/m 2，得出的转化效率分别为18.4％，输出功率分别为38.73W，表明其优于其他损耗的优势。这项工作中的设计发现非常有前途，并且在实现这些二极管的用于毫米波通信系统关键字的这些二极管：石墨烯，异质结构，碳化硅（SIC），双滴型区域（DDR），sppt。1。简介