图 1:a) 印刷电路板 (PCB) 中带有 BGA 连接的表面贴装设备 (SMD) 的图示,b) 扫描电子显微镜 (SEM) 图像显示带有 SAC305 的 BGA 的细节以及使用焊膏安装到组件和 PCB 上的 PCSB 的图示,c) 直径为 750 µ m 的聚苯乙烯芯焊球 (PCSB),d) PCSB 结构的示意图。
瑞萨电子的四方扁平无引线 (QFN) 封装系列产品是一种相对较新的封装概念,目前正在快速发展。该封装系列包括通用版本 QFN,以及 TQFN、UTQFN 和 XQFN 等较薄版本。该系列的引线间距为 0.4 毫米及以上。四方扁平无引线的一个子集是双面类型(4 个侧面中只有 2 个有引线),其中包括 DFN、TDFN、UTDFN 和 XDFN 等版本。在本文档中,术语 QFN 代表所有系列选项。该系列具有多种优势,包括降低引线电感、小尺寸近芯片级封装、薄型和轻重量。它还使用周边 I/O 焊盘来简化 PCB 走线布线,而裸露的铜芯片焊盘技术可提供良好的热性能和电气性能。这些特性使 QFN 成为许多新应用的理想选择,这些应用对尺寸、重量以及热性能和电气性能都很重要。
摘要 随着封装的微型化和异质集成化,人们一直致力于开发低温焊料。Sn-58Bi 共晶焊料的熔点为 138°C,是一种颇具吸引力的替代方案。由于 Sn-Bi 焊料的熔点较低,即使在室温下也可能发生 Bi 粗化。本文观察了室温储存过程中 Sn-58Bi 接头的微观结构演变。室温老化导致焊料基体中 Bi 相的溶解和粗化,尤其是在初生 Sn 相和 Sn-Bi 枝晶中。通过纳米压痕测量了单个富 Sn 相和富 Bi 相的力学性能。结果表明,由于溶液强化,老化焊点中富 Sn 相比富 Bi 相具有更高的杨氏模量和硬度。Bi 相比 Sn 更柔顺,硬度更低。
摘要 本研究探讨智能数码产品(SDG)设计中的文化与情感因素,尤其关注 CMF(颜色、材质和饰面)设计的应用。尽管数字时代 SDG 技术进步迅速,但设计同质化的问题普遍存在,导致与用户缺乏情感和文化联系。本研究通过文献综述,找出当前 SDG 设计中存在的问题,并提出一个融合文化设计与 CMF 设计的新框架,以提升用户体验和产品差异化。采用 Ibrahim 独特的“文献综述综合过程”方法,从 Scopus 和 Google Scholar 中筛选出 26 篇相关文章并进行分析,最终确定了三大主题:智能数码产品设计、CMF 设计与研究方法、文化特征设计与应用。研究结果显示,将文化维度融入 CMF 设计可以增强 SDG 的视觉设计理论框架,促进文化传承。本研究为未来SDGs设计实践和学术研究提供指导,强调文化与情感设计在满足消费者需求方面的重要性。未来的研究将继续探索文化维度与情感设计方法在CMF设计中的融合。 关键词:智能数码设备,CMF设计,文化维度,情感化设计,用户体验 引言 在数字时代,智能数码设备已经成为日常生活中不可或缺的一部分。根据IDC的《全球个人计算设备季度跟踪报告》,平板电脑的出货量预计将在2023年达到1.35亿台,智能手机出货量将达到11.516亿台,合计12.94亿台。预测平板电脑市场
精确模拟高雷诺数可压缩流动具有挑战性。对于直接数值模拟 (DNS),必须解析所有尺度的流体运动,根据 Choi 和 Moin 1 的说法,网格点的数量按 N ∝ Re 37 / 14 L 缩放。虽然 DNS 是最准确的方法,但它的计算成本也最高。大涡模拟 (LES) 仅解析大能量承载流动结构,未解析(即子网格)结构用子网格应力 (SGS) 模型建模,或直接通过数值方案的扩散(即隐式 LES,ILES)来解释。对于壁面解析 LES (WRLES),近壁面条纹的平均长度和展向间距为 x + ≈ 1000 和 z + ≈ 100,通过壁面粘度 µ w 和摩擦速度 u τ = p 变为无量纲
摘要:同轴丝材激光金属沉积是一种多功能、高效的增材工艺,可在复杂结构的制造中实现高沉积速率。本文研究了三光束同轴丝材系统,特别关注了沉积高度和激光散焦对所得珠子几何形状的影响。随着沉积间隔距离的变化,工件照明比例也会发生变化,该比例描述了直接进入原料丝材和基材的能量比。在不同的散焦水平和沉积速率下沉积单个钛珠,并测量和分析珠子的纵横比。在实验设置中,发现散焦水平和沉积速率对所得珠子的纵横比有显著影响。随着离光束会聚平面的散焦水平增加,光斑尺寸增加,沉积轨道更宽更平。工艺参数可用于将沉积材料调整到所需的纵横比。在同轴丝材沉积中,散焦为丝材和基材之间的热量分布提供了一种调节机制,对所得沉积物有重要影响。
hal是一个多学科的开放访问档案,用于存款和传播科学研究文件,无论它们是否已发表。这些文件可能来自法国或国外的教学和研究机构,也可能来自公共或私人研究中心。
研究了直接能量沉积制备的 AlSi10Mg 合金的断裂和拉伸行为。在室温下沿不同裂纹平面方向和载荷方向测试了三点弯曲断裂韧性和拉伸试样。在进行机械加工和测试之前,打印样品在 300 ◦ C 下进行 2 小时的热处理以释放残余应力。进行了微观结构和断口图分析,以研究每种裂纹取向的断裂机制和裂纹扩展路径。在裂纹平面方向上观察到断裂韧性的显著差异。裂纹取向在 XY 方向的试样具有最高的断裂韧性值( J Ic = 11.96 kJ / m 2 ),而 ZY 裂纹取向(垂直于打印方向)具有最低的断裂韧性值( J Ic = 8.91 kJ / m 2 )。断裂韧性的各向异性主要与沿熔池边界的优先裂纹扩展路径有关。在熔池边界处,孔隙优先出现,微观结构变粗,且 Si 含量较高,导致该区域的延展性较差,且抵抗裂纹扩展的能力较差。
激光金属沉积 (LMD) 是一种增材制造工艺,在制造和修复复杂功能部件方面表现出色。然而,为了提高表面质量和材料性能,生产的部件需要传统的机加工操作。由于样品在构建过程中受到高度局部的热输入,生产的部件中可能会出现局部材料性能的显著变化。这可能会影响 LMD 工艺生产的部件的可加工性。本研究旨在研究铣削工艺及其对 LMD 工艺生产的 Ti-6Al-4V 部件的表面完整性的影响。进行热处理是为了使材料的微观结构均匀化。以传统的 Ti-6Al-4V 作为参考材料样品。根据切削工艺参数,加工后的 LMD 部件的切削力和表面粗糙度分别比传统样品高 10-40% 和 18-65%。加工后的 LMD 样品中的压缩残余应力比传统样品高 11-30%。这些差异与测试部件之间的微观结构和晶粒尺寸差异有关。© 2020 作者。由 Elsevier BV 出版 这是一篇根据 CC BY-NC-ND 许可开放获取的文章(http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/)由第五届 CIRP CSI 2020 科学委员会负责同行评审
β -氧化镓(β -Ga 2 O 3 )的带隙约为4.9 eV [ 1 ],作为一种新兴的超宽带隙半导体,近年来得到了广泛的研究。由于其具有成熟的块体材料制备、优异的Baliga 品质因数和高电子迁移率等优点[ 2 ],β -Ga 2 O 3 被认为是一种很有前途的日盲紫外(UV)光电探测器、气体传感器、紫外透明导体和大功率电子器件的候选材料[ 3 ,4 ]。虽然块体β -Ga 2 O 3 是外延生长高质量β -Ga 2 O 3 薄膜的理想衬底,但其昂贵的成本和较差的热导率仍然阻碍了同质外延的商业化。因此,在低成本、大尺寸衬底上异质外延β -Ga 2 O 3 薄膜仍然具有重要意义。