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World File Search System物理性能
飞机陶瓷基复合材料指南...
• 由于某些性能的变异系数较高，因此对工艺性能数据进行了评估，并建立了物理性能验收限度——结果，一些数据被排除在外，需要生成新的数据。 • 进行了工艺参数评估，并计划进行额外评估，以便在不改变材料性能的情况下提高测试面板的质量和可重复性。 • 已生产了五批以上的预浸料和 100 块面板，并进行了 300 多次物理测试、60 次热物理测试和 700 多次机械测试。
用于氢气输送和储存的先进材料技术
3.1 机械性能 3.1.1 0° 拉伸模量 Msi 22 3.1.2 90° 拉伸模量 Msi 1.4 3.1.3 最小 0° 拉伸强度 ksi 370 3.1.4 最小 90° 拉伸强度 ksi 12 3.1.5 0° ε 微应变 7500 3.1.6 90° ε 微应变 7500 3.1.7 0° CTE 10 -6 m/m K TBD 3.1.8 90° CTE 10 -6 m/m K TBD 3.1.9 弯曲强度 ksi 3.2 物理性能 - 层压板 3.2.1 孔隙率体积 % < 2 3.2.2 纤维含量体积 % > 58
多级异质结构 FeCr–(Mg–...
异质结构 (HS) 材料由于其多种微观结构和优异的物理性能而受到广泛研究[1 e 5]。它们由不同性质的软硬异质区组成，不同区域之间的协同效应可改善物理性能。HS 材料根据硬区形状可分为层状结构[6,7]、梯度结构[5,6,8,9]、层压结构[10 e 13]、双相 (或多相) 结构[14 e 19]和核壳结构[20 e 22]。十年来，另一种互连 (或互穿) 结构一直受到人们的关注。这种结构具有双连续的两个不同的区域，其中硬相和软相都是连续的且相互交错。这种独特的结构包括胞状结构（如螺旋状结构）和由旋节线分解形成的空间无序模式。双连续结构的软区和硬区在机械上互相约束。增材制造[23,24]和粉末冶金[25,26]已用于开发互连的HS材料。然而，这些方法在区域大小及其分布方面存在技术限制。纳米级区域和均匀分布对于提高协同效应至关重要。最近，作者提出，通过液态金属脱合金（LMD）合成的3D互连HS材料在克服强度-延展性权衡方面具有巨大潜力[27]。从（FeCr）50Ni50前驱体中，可混溶的Ni选择性地溶解在Mg熔体中。
全方位实验室和测试服务
玻璃化转变温度 (Tg) 是了解环氧树脂系统热特性的一个非常有用的属性。Tg 是环氧树脂从玻璃态（固体）转变为柔软橡胶态时的温度。可以认为 Tg 是暴露于高温导致物理性能发生可测量下降的点。请注意，Tg 值可以在第二次加热后报告。第二次加热是在样品暴露于初始第一次加热后对其进行测试的过程，这会导致样品在固化后温度升高到 392°F (200°C)。第二次扫描测试有助于了解树脂系统固化后暴露的结果，在许多情况下，这可以提高规定的耐高温性。
电化学和热能领域结构材料的数字化设计与增材制造
摘要 增材制造在能源转换和存储领域的应用越来越广泛。它为制造具有改进物理性能的结构材料提供了极大的灵活性，并且还具有其他优势，例如减少材料浪费、缩短制造时间和提高成本效益。本文讨论了储能设备增材制造的最新发展。总结了结构材料的数字设计方法和主流增材制造技术，包括大桶光聚合、粉末床熔合、材料喷射、粘合剂喷射、材料挤出和定向能量沉积。然后，全面回顾了电化学和热能存储领域的最新进展。最后，提出了一个考虑数字设计和增材制造的综合框架，适用于广泛的能源应用。
NPL 出版物 - 国家物理实验室
复合材料的热性能通常会因基体和增强材料之间的热膨胀不匹配而产生不同的影响。从基体无应力的原始制造温度冷却时，会产生内部应力，这取决于冷却计划、增强材料的类型及其分散性。随后重新加热以确定热物理性能时，随着基体或其增强材料发生应力松弛，内部应力场会发生变化。在某些情况下，这些变化会导致新的稳定尺寸，但在其他情况下，热循环会导致应变棘轮，随着材料逐渐疲劳，长度会逐渐增加或减少。因此，通过测量热物理特性来表征材料的稳定性是确定整体材料性能的关键方面。
量子退火器的模式识别算法
摘要带电粒子的重建将是高亮度大型强子对撞机（HL-LHC）的关键计算挑战，其中增加的数据速率导致当前模式识别算法的运行时间大大增加。此处探索的另一种方法将模式识别表示为二次无约束的二进制优化（QUBO），该方法允许在经典和量子退火器上运行算法。虽然提出的方法的总体时间及其缩放量仍待测量和研究，但我们证明，就效率和纯度而言，可以实现LHC跟踪算法的相同物理性能。将需要进行更多的研究以在HL-LHC条件下实现可比的性能，因为增加的轨道密度降低了QUBO轨道段分类器的纯度。
通过优化界面层厚度实现低肖特基势垒接触的 MoS2 晶体管
摘要：二硫化钼（MoS 2 ）因其较大的带隙、良好的机械韧性和稳定的物理性能而受到研究者的广泛关注，成为下一代光电器件的理想材料。但较大的肖特基势垒高度（ Φ B ）和接触电阻是阻碍大功率 MoS 2 晶体管制备的障碍。详细研究了具有两种不同接触结构的 MoS 2 晶体管的电子传输特性，包括铜（Cu）金属-MoS 2 通道和铜（Cu）金属-TiO 2 -MoS 2 通道。通过调整金属和 MoS 2 之间的 TiO 2 夹层的厚度来优化接触。具有 1.5 nm 厚 TiO 2 层的金属-夹层-半导体（MIS）结构具有较小的肖特基势垒，为 22 meV。结果为设计 MIS 接触和界面以改善晶体管特性提供了参考。