单人床和单人沙发床 2 张单人床(可转换为特大床)和单人沙发床 2 张单人床(可转换为特大床)和 1 张上层普尔曼床 2 张单人床(不可转换为特大床)和 1 张上层普尔曼床 2 张单人床(可转换为特大床)和 2 张上层普尔曼床 2 张单人床(可转换为特大床),单人沙发床和 1 张上层普尔曼床 2 张单人床(可转换为特大床),单人沙发床,带可转换式双层床
H 2 张单人床(可转换为特大床)和单人沙发床 2 张单人床(可转换为特大床)和 1 张上层普尔曼特大床(不转换为单人床)和 1 张上层普尔曼 2 张单人床(可转换为特大床)和 2 张上层普尔曼 n 2 张单人床(可转换为特大床)、单人沙发床和 1 张上层普尔曼 2 张单人床(可转换为特大床)、单人沙发床,带可转换的双层床
引用本文: 刘胜南, 付强, 冯楠, 张春华, 贺威.面向扑翼飞行机器人的电子稳像算法设计[J].北科大:工程科学学报 , 2024, 46(9): 1544- 1553. doi: 10.13374/j.issn2095-9389.2023.10.06.001 LIU Shengnan, FU Qiang, FENG Nan, ZHANG Chunhua, HE Wei.Design of an electronic image stabilization algorithm for flapping-wing flying robots[J].Chinese Journal of Engineering , 2024, 46(9): 1544-1553. doi: 10.13374/j.issn2095- 9389.2023.10.06.001
1 荷兰鹿特丹伊拉斯姆斯大学医学中心发育生物学系,邮编 3000 CA • 2 荷兰鹿特丹伊拉斯姆斯大学医学中心 Oncode 研究所,邮编 3000 CA • 3 荷兰鹿特丹伊拉斯姆斯大学医学中心伊拉斯姆斯 MC 癌症研究所分子遗传学系,邮编 3000 CA • 4 细胞整合生物学研究所 (I2BC)、CEA、CNRS、Uni Paris-Sud、Uni Paris-Saclay、法国吉夫河畔伊维特 • 5 荷兰鹿特丹伊拉斯姆斯大学医学中心细胞生物学系,邮编 3000 CA • 6 意大利罗马第二大学医学院生物医学与预防系 • 7 荷兰鹿特丹伊拉斯姆斯大学医学中心放射治疗系,邮编 3000 CA • 8 荷兰鹿特丹伊拉斯姆斯大学医学中心血管外科系, 3000 CA,鹿特丹,荷兰
引用格式: 李博文 , 李晶晶 , 张龙剑 , 等 . 基于混合集群演化元博弈的海上对空反导杀伤链优选策略研究 [J]. 中国舰船研 究 . DOI: 10.19693/j.issn.1673-3185.04217. LI B W, LI J J, ZHANG L J, et al. Research on optimal selection strategy of surface-to-air anti-missile kill chain based on mixed swarm evolutionary meta-game[J]. Chinese Journal of Ship Research(in Chinese). DOI: 10.19693/j.issn.1673- 3185.04217.
电表类型 每月电表租金(卢比) 1. 单相电磁式千瓦时电表 20 2. 三相电磁式千瓦时电表 40 3. 三相电磁式三矢量电表 1000 4. 铁路牵引用三矢量电表 1000 5. 单相静态千瓦时电表 40 6. 三相静态千瓦时电表 150 7. 三相静态三矢量电表 1000 8. 三相静态双矢量电表 1000 9. LT 单相智能电表 60 10. LT 三相 AMR/AMI 兼容电表 150
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生产、消费能力和人力资本能力对中国国民财富的影响 陈静轩 1*,张廖 2 1 江西财经大学,中国;Jing-Xuan.Chan@jxufe.edu.cn(JXC)。2 美国西肯塔基大学;Liao.Zhang@wku.edu(LZ)。摘要:由于不确定的金融和经济状况,中国国民收入近年来提高已成为全球现象。因此,本研究探讨了生产、消费能力和人力资本能力对中国国民财富的影响。本研究使用 1991 年至 2020 年的世界银行指标 (WDI) 等二手资料,使用增强迪基-福勒 (ADF) 检验构造的平稳性。它还使用自回归分布滞后 (ARDL) 模型研究变量之间的关联。研究结果显示,生产能力、消费能力和人力资本能力与中国国民财富呈显著正相关。本研究为监管者制定利用生产、消费和人力资本因素改善国民收入的政策提供了指导。关键词:生产能力、消费能力、人力资本能力、国民财富、净国民收入。1. 引言
磁性随机存取存储器 (MRAM) 作为一种新兴的非挥发性存储器,具有读写速度快、耐久性高、存储时间长、功耗低等特点,几年前就引起了台积电、三星、格罗方德等大型半导体代工厂的极大兴趣 [1−5]。一方面,MRAM 的高性能特性使其成为 28nm CMOS 技术节点以下嵌入式闪存 (e-flash) 的重要替代解决方案,而 e-flash 存在严重的经济障碍,阻碍了其进一步微缩 [6]。另一方面,MRAM 的目标是成为静态随机存取存储器 (SRAM) 等工作存储器的替代品,以解决先进 CMOS 节点中可能出现的严重漏电问题 [7,8]。然而,由于速度限制和耐久性问题,很难取代L1或L2缓存SRAM,尤其是对于两端自旋转移矩(STT)MRAM [ 9 − 11 ] 。因此,需要进一步探索下一代MRAM器件。