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World File Search System电介质
用光子增强大区域闪烁体检测...
A.介电介质中闪烁偶极子排放过程的分析..................................................................................................................................................................................................................提取内部发射光谱𝑌𝑌（𝜔𝜔）和有效的偶极矩方| 𝝁𝝁 | 2 of dipole emitter .......................................................................................................... 7 C. Purcell effect in layered medium ............................................................................................ 9 II.Influence of dipole distribution on the scintillator performance ............................... 17 III.Influence of the loss of the scintillator on the Purcell factor and scintillator performance ........................................................................................................................... 18 IV.Photonic band structure calculation of one-dimensional photonic crystal .............. 20 V. Designs with realistic materials ..................................................................................... 22 VI.Influence of the fabrication error on the scintillation performance ........................ 25 VII.光电探测器的量子效率.......................................................................................................................................................................................................
个人简介 - 姓名：Ashok Kumar 博士 研究领域
专业领域是超高真空和压力设备和装置、纳米结构铁电体、纳米电子学、拉曼光谱、超晶格、自旋电子学、弛豫器、多铁性材料、高 k 电介质、高能量密度电容器的制造和特性研究、非易失性随机存取存储器元件和设备的开发、磁场传感器、高功率传输系统、绿色能源光伏设备、压电传感器、光学活性铁电弛豫器和血压相关传感器和设备的制造和特性研究。
优化芯片准备和处理以实现高产量混合芯片到晶圆键合
摘要 混合铜/电介质键合是一种成熟的晶圆对晶圆 (W2W) 键合技术，但将该技术应用于芯片对晶圆 (D2W) 键合却具有挑战性。芯片或晶圆上的极小颗粒可能会导致空隙/非键合区域。用于混合 W2W 的晶圆清洁和激活工艺已经相当成熟，但将其应用于减薄和单片化芯片进行 D2W 键合却非常具有挑战性。为了允许（部分）重复使用现有的晶圆级清洁、计量和激活工艺和设备，我们提出了一个新概念，即在玻璃载体晶圆上对芯片进行单片化、清洁和激活。在完成芯片准备步骤后，直接从载体晶圆上拾取芯片。这种方法不需要额外的拾取和放置步骤，并且避免使用传统的切割胶带。使用这种新方法进行的首次直接电介质 D2W 键合实验显示出非常有希望的键合产量，键合的 50 µm 薄芯片数量众多，完全没有空隙。此外，通过消除切割胶带，减薄晶圆和单个芯片始终由刚性表面支撑，从而实现超薄芯片处理。在本研究中，我们还报告了厚度小于 10 µm 的芯片的处理。关键词载体系统、混合键合、互连、拾取和放置、薄芯片
材料物理性质，第三版
12. 电学性质................................................................................................321 12.1 简介...............................................................................................321 12.2 金属、绝缘体和半导体：能带理论....................................321 12.2.1 金属.......................................................................................324 12.2.2 半导体.................................................................................325 12.2.3 绝缘体.......................................................................................328 12.3 电导率的温度依赖性....................................................................328 12.3.1 金属.......................................................................................329 12.3.2 本征半导体.......................................................................330 12.4 非本征（掺杂）半导体的性质....................................................335 12.5 使用非本征（掺杂）半导体的电气设备.....................................336 12.5.1 p,n 结.....................................................................................336 12.5.2 晶体管................................................................................342 12.6 电介质...............................................................................................344 12.7 超导性...............................................................................................347 12.8 温度测量：教程��������������������������������������������������������������������������������352
多层原子和离子阱的制造
增加受控原子和量子比特的数量的一个基本前提是允许应用相应量信号的微结构，例如B.通过整合微波线路。这是通过叠加结构实现的，类似于多层电路板。 PTB 结构由一组厚金属导体层组成，这些层彼此通过电介质隔开，并通过通孔选择性地相互连接。原则上，金属层的数量是不受限制的，因为每一层都具有高度精确的整体平面化。该工艺仅使用符合环境超高真空对原子和离子捕获的严格要求以及低温操作的材料；此外，该结构的高频特性非常优异。
多层原子和离子陷阱的制作
增加受控原子和量子比特的数量的必要先决条件是允许应用相应数量信号的微结构，例如B.通过整合微波线路。这是通过叠加结构实现的，类似于多层电路板。 PTB 结构由一组厚金属导体层组成，这些层彼此通过电介质隔开，并通过通孔选择性地相互连接。原则上，金属层的数量是不受限制的，因为每一层都具有高度精确的整体平面化。该工艺仅使用符合环境超高真空对原子和离子捕获的严格要求以及低温操作的材料；此外，该结构的高频特性非常优异。
多层原子和离子阱的制造
增加受控原子和量子比特的数量的一个基本前提是允许应用相应量信号的微结构，例如B.通过整合微波线路。这是通过叠加结构实现的，类似于多层电路板。 PTB 结构由一组厚金属导体层组成，这些层彼此通过电介质隔开，并通过通孔选择性地相互连接。原则上，金属层的数量是不受限制的，因为每一层都具有高度精确的整体平面化。该工艺仅使用符合环境超高真空对原子和离子捕获的严格要求以及低温操作的材料；此外，该结构的高频特性非常优异。
多层原子和离子阱的制造
增加受控原子和量子比特的数量的一个基本前提是允许应用相应量信号的微结构，例如B.通过整合微波线路。这是通过叠加结构实现的，类似于多层电路板。 PTB 结构由一组厚金属导体层组成，这些层彼此通过电介质隔开，并通过通孔选择性地相互连接。原则上，金属层的数量是不受限制的，因为每一层都具有高度精确的整体平面化。该工艺仅使用符合环境超高真空对原子和离子捕获的严格要求以及低温操作的材料；此外，该结构的高频特性非常优异。
多层原子和离子阱的制作
增加受控原子和量子比特的数量的必要先决条件是允许应用相应数量信号的微结构，例如B. 通过整合微波线。这是通过叠加的结构实现的，类似于多层电路板。PTB 结构由一组厚金属导体层组成，这些层彼此通过电介质隔开，并通过通孔选择性地相互连接。金属层的数量原则上是不受限制的，因为每一层都具有高度精确的整体平面化。该工艺仅使用与环境超高真空以及低温操作对原子和离子捕获的严格要求相兼容的材料；此外，该结构的高频特性非常优异。