摘要:我们在实验中证明了在Sili-ConNanodisk阵列中对连续体(A-BICS)中意外结合状态的调整。A-BIC出现了多物的破坏性干扰,这些干扰是平面电偶极子和平面磁性偶极子,以及弱电四极杆和磁性四极杆。我们进一步表明,可以通过改变纳米风险尺寸或晶格周期来方便地调节A-BIC的光谱和角度位置。非常明显,角度可以调节到0°,这表明A-BIC从OFF-γ-BIC到AT-γ-BIC进行了有趣的过渡。我们的工作为具有高质量因素的光捕获提供了一种新的策略,可调节的A-BIC可以在低阈值激光,增强的非线性光学和光学传感中找到潜在的应用。
在应用量子计算中,大量研究致力于分子和材料基态能量估计问题。然而,对于许多具有实际价值的应用,必须估计基态的其他属性。这些包括用于计算材料中电子传输的格林函数和用于计算分子电偶极子的单粒子约化密度矩阵。在本文中,我们提出了一种量子-经典混合算法,使用低深度量子电路以高精度高效地估计此类基态特性。我们对各种成本(电路重复、最大演化时间和预期总运行时间)进行了分析,这些成本与目标精度、光谱间隙和初始基态重叠有关。该算法提出了一种使用早期容错量子计算机进行行业相关分子和材料计算的具体方法。
I. 引言 无线电测向仪 (RDF) 的目的是估计电磁 (EM) 源辐射的入射波的到达方向 (DoA)。RDF 可用于国防以及民用应用,如射电天文学、导航系统和救援设备 [1]。为了估计传入 EM 场的 DoA,通常使用由传感器天线的空间分布 [2] 或传感器的极化分集 [3] 产生的空间相位分集。也有人提出将这两种众所周知的方法结合起来,以提高 DoA 估计的准确性 [4]–[10]。基于空间分集的 DoA 估计包括使用单极化分布式元件阵列测量传入的 EM 场,而极化分集的使用则基于使用由六个天线组成的矢量传感器(例如三个正交电偶极子和三个正交磁偶极子)测量 EM 场分量 [11]。然而,根据 [10]、[12]–[18],仅测量三个 EM 场分量似乎足以精确估计
教学大纲 电动力学 (08 小时) 电动势和运动电动势、法拉第电磁感应定律和磁场中的能量、麦克斯韦方程组、麦克斯韦如何固定安培定律、物质中的麦克斯韦方程组、边界条件 电动力学中的守恒定律 (06 小时) 连续性方程、坡印廷定理、电动力学中的牛顿第三定律、麦克斯韦应力张量、动量守恒定律、角动量 电磁波 (08 小时) 一维波、真空和物质中的电磁波、物质中的吸收和弥散、导波 势与场 (07 小时) 标量势和矢量势、规范变换、库仑规范和洛伦兹规范、延迟势、 Jefimenko 方程、Lienard-Wiechert 势、移动点电荷的场辐射(06 小时)电偶极子辐射和磁偶极子辐射、任意源的辐射、点电荷辐射的功率、辐射反应电动力学和相对论(07 小时)狭义相对论和相对论力学、相对论电动力学、场张量、张量符号中的电动力学。
神经元产生电信号,通过突触传输到其他细胞。首先,动作电位 (AP) 到达突触间隙(图 1 中的步骤 1),在那里它将通过神经递质传输化学信息(图 1 中的步骤 2),从而产生突触后电位 (PSP) 和局部电流(图 1 中的步骤 3)。PSP 将产生电流接收器并传播直到细胞体以产生电流源(图 1 中的步骤 4)。因此,PSP 会产生一个由负极(即接收器)和正极(即源)组成的电偶极子。该偶极子将产生初级(细胞内)电流和次级(细胞外)电流。M/EEG 信号来自突触后电位。更具体地说,M/EEG 信号来自大量同步神经元活动的空间和时间总和。但 MEG 和 EEG 之间存在显著差异。首先,就信号本身而言,MEG 信号主要由树突水平的 PSP 产生的细胞内电流引起,细胞外电流较少;EEG 信号对应于电位差,主要由细胞外电流引起。其次,就对偶极子方向的敏感性而言,EEG 对径向电流(位于脑回水平的活动)和切向电流(在脑沟内产生)都很敏感,尽管它具有
物理学-DSC 2A:电和磁(学分:理论-04、实践-02)理论:60 讲座矢量分析:矢量代数(标量和矢量积)回顾、梯度、散度、旋度及其意义、矢量积分、矢量场的线、表面和体积积分、高斯散度定理和斯托克斯矢量定理(仅陈述)。(12 讲座)静电学:静电场、电通量、高斯静电定理。高斯定理的应用-点电荷、无限长电荷线、均匀带电球壳和实心球、平面带电片、带电导体引起的电场。电势作为电场的线积分,由点电荷引起的电势,电偶极子,均匀带电球壳和实心球。根据电位计算电场。孤立球形导体的电容。平行板、球形和圆柱形电容器。静电场中单位体积的能量。介电介质、极化、位移矢量。电介质中的高斯定理。完全充满电介质的平行板电容器。(22 讲)磁性:静磁学:毕奥-萨伐尔定律及其应用-直导体、圆形线圈、载流螺线管。磁场的发散和旋度。磁矢势。安培环路定律。材料的磁性:磁强度、磁感应、磁导率、磁化率。简介
摘要:近年来,硅 (Si) 基肖特基结光电极在光电化学 (PEC) 水分解中引起了广泛关注。要实现高效的 Si 基肖特基结光电极,关键挑战是使光电极不仅具有较高的肖特基势垒高度 (SBH) 以得到高光电压,而且还要确保高效的电荷传输。在本文中,我们提出并展示了一种通过金属硅化结合掺杂剂偏析 (DS) 来制造高性能 NiSi/n-Si 肖特基结光阳极的策略。金属硅化产生的光阳极具有高质量的 NiSi/Si 界面而没有无序的 SiO 2 层,从而确保了高效的电荷传输,从而使光阳极获得了 33 mA cm − 2 的高饱和光电流密度。随后的 DS 通过在 NiSi/n-Si 界面引入电偶极子,使光阳极具有 0.94 eV 的高 SBH。结果,实现了 1.03 V vs RHE 的高光电压和有利的起始电位。此外,NiSi 的强碱性腐蚀抗性还使光阳极在 1 M KOH 中的 PEC 操作期间具有高稳定性。我们的工作提供了一种通用策略来制造金属-硅化物/Si 肖特基结光电极,以实现高性能 PEC 水分解。关键词:硅、金属硅化、掺杂剂偏析、光阳极、水分解■ 介绍
通过脑皮层电图 (ECoG) 进行皮层刺激可能是在双向脑机接口 (BD-BCI) 中诱导人工感觉的有效方法。然而,电刺激引起的强电伪影可能会显著降低或掩盖神经信息。详细了解刺激伪影通过相关组织的传播可能会改进现有的伪影抑制技术或启发开发新的伪影缓解策略。因此,我们的工作旨在全面描述和模拟硬膜下 ECoG 刺激中伪影的传播。为此,我们收集并分析了四名患有癫痫并植入硬膜下 ECoG 电极的受试者的雄辩皮层映射程序数据。从这些数据中,我们观察到伪影在所有受试者的时间域中都表现出锁相和棘轮特性。在频域中,刺激导致宽带功率增加,以及基频刺激频率及其超谐波的功率爆发。伪影的空间分布遵循电偶极子的电位分布,在所有受试者和刺激通道中,拟合优度中值为 R 2 = 0.80。高达 ± 1,100 µ V 的伪影出现在距离刺激通道 4.43 至 38.34 毫米的任何地方。这些时间、光谱和空间特性可用于改进现有的伪影抑制技术,启发新的伪影缓解策略,并有助于开发新的皮质刺激方案。总之,这些发现加深了我们对皮质电刺激的理解,并为未来的 BD-BCI 系统提供了关键的设计规范。
摘要 量子点 (QD) 中自旋量子比特的电控制依赖于自旋轨道耦合 (SOC),它既可以是底层晶格或异质结构的固有特性,也可以是外部特性,例如通过微磁体。在实验中,微磁体已被用作合成 SOC,以使量子点中的自旋量子比特与电场强耦合。在这里,我们从理论上研究了由于合成 SOC 诱导的自旋轨道混合而导致的 QD 中电子的自旋弛豫、纯失相、自旋操纵和自旋光子耦合。我们发现,与固有 SOC 的情况相比,合成 SOC 存在时自旋动力学存在质的差异。具体而言,由于合成 SOC 和形变势声子发射(或约翰逊噪声)引起的自旋弛豫表现出对磁场的 B 5 0(或 B 0 )依赖性,这与本征 SOC 的 B 7 0(或 B 3 0 )依赖性形成对比。此外,电荷噪声会导致合成 SOC 发生快速自旋失相至一阶,这与本征 SOC 可忽略的自旋纯失相形成鲜明对比。这些定性差异归因于合成 SOC 的时间反转对称性(T 对称性)破缺。具有破缺 T 对称性的 SOC(例如来自微磁体的合成 SOC)消除了“范弗莱克抵消”并导致有限的纵向自旋-电耦合,从而允许自旋和电场之间的纵向耦合,进而允许自旋纯失相。最后,通过适当选择磁场方向,可以改善通过合成 SOC 实现的电偶极子自旋共振,并在基于自旋的量子计算中具有潜在的应用。